小尺寸MOS晶体管的漏致势垒降低效应建模

该文针对PSP模型中漏致势垒降低效应建模纯经验性的缺点,通过求解二维泊松方程得到漏致势垒降低效应引起阈值电压漂移的解析解,并将其应用于32nm晶体管的直流I-V曲线拟合,结果显示此模型有很好的拟合精度。     

磁场对二维量子环中电子基态能级的影响

在有效质量包络函数理论框架内,通过求解单带薛定谔方程,计算了在无磁场和有磁场时,InAs/GaAs二维量子环中电子的基态能级,分析了能级随量子环内半径、外半径、平均半径和宽度的变化。结果表明,垂直于量子环平面的磁场对提高电子基态能量,有很明显的效果。此外,磁场还会减小能级对量子环外半径的依赖关系：即当外半径超过某一临界值时,能级不再发生变化。     

超对称WKB方法对Morse势能级的精确求解

采用超对称量子力学方法和形状不变势性质及超对称WKB方法精确求解了非相对论性Morse势的能级问题.研究结果表明:对于具有形状不变性的Morse势, 采用超对称WKB和超对称量子力学方法能够避免了直接求解复杂薛定谔方程,从而代数的获得系统的精确能级.     

有限差分法解能量本征方程

为研究和发展薛定谔方程的数值计算方法,本文将有限差分法应用到量子力学求解薛定谔方程本征值问题.在直角坐标系中,对能量本征方程的一般形式进行有限差分解析,并建立相应的差分格式.以一维、二维、三维各向同性谐振子为例,介绍了求解本征值问题差分格式的建立,并进行了编程计算。结果表明有限差分法计算结果相当精确,在量子力学计算和教学中具有广泛的应用前景.     

利用自洽计算研究InP基HEMT器件的材料性能

利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和Poisson方程的自洽求解,得到器件中二维电子气（2DEG）面密度、势阱中电子子能级以及每一子带中的电子浓度。讨论了掺杂浓度、空间隔离区宽度、Schottky势垒层厚度以及外加电压对2DEG浓度的影响,得到最佳器件参数约为5.2×10^12cm-2。所得结果对器件的设计和参数设定具有指导意义。     

基于二部图的含有免疫的流行病传播的研究

利用渗流理论研究了二部图网络中含有免疫的SIR模型流行病传播.首先,利用概率生成函数的方法,理论上得到了依赖于免疫概率的流行病阈值、疾病流行前的平均爆发规模和疾病流行后的巨片规模的解析解.然后对三个不同结构的网络:泊松-泊松网络、泊松-幂律网络和幂律-幂律网络进行了数值模拟来验证理论结果的正确性.固定网络结构分析了免疫...     

五点差分格式求解泊松方程并行算法的研究

以二维静电场泊松方程数值求解的串行算法(雅可比迭代、超松弛迭代)为基础,提出了五点差分格式超松弛迭代(SOR)求解二维静电场泊松方程的并行算法,通过与雅可比迭代(Jacobi)并行算法的时间复杂度、加速比和空间复杂度进行对比,得出超松弛迭代的并行算法具有更低的时间复杂度、空间复杂度和更高的加速比与效率。通过实验验证,CHIPIC软件的泊松模块宜采用超松弛迭代并行算法。     

二维薛定谔方程的全离散有限元两层网格方法

针对一类二维依赖于时间的线性薛定谔方程,在空间方向采用双线性有限元进行离散,时间方向利用向后欧拉方法得到全离散有限元格式,构造一种全离散有限元两层网格算法,对薛定谔方程耦合的实部和虚部进行解耦。从而将在细网格上进行求解,简化为在粗网格上求解原问题以及在细网格上求解两个泊松方程。数值实验结果表明,两层网格有限元方法比标准有限元方法更高效,且当粗细网格尺寸满足一定条件时,数值解具有相同的最优误差阶。     

AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立A1GaN/GaNHEMT器件二维模型.针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布.     

输流管道流体结构互动响应研究

基于充液管系轴向流固耦合振动4方程模型,研究了连接耦合、泊松耦合、摩擦耦合 3种形式对充液管道振动响应的影响。介绍了特征线法求解过程,并对水箱-直管-阀门(RPV)管系在阀门瞬间关闭时的瞬态响应进行了数值仿真计算。结果表明,流固耦合作用对充液管道振动响应有较大影响。3种耦合作用中,摩擦耦合影响较小,连接耦合与泊松耦合影响较大。针对气液两相流动,列举了常用的压力波速计算模型,优选了合适的波速计算表达式,分析了含气率对压力波速的影响,旨在为进一步研究气液混输管道流固耦合振动提供一定的理论指导。      

Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性

通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正向电压为1.65 V,从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6 mV/℃.     

Boosting Hydrogen Evolution and Oxygen Reduction Performances of Pd/C upon Surface Phosphorization

表面磷化策略提高 Pd/C 的析氢和氧还原性能

朱桐桐， 王海鸽， 李小鹏， 廖耀祖， 朱美芳

（东华大学 材料科学与工程学院 纤维材料改性国家重点实验室，上海 201620）

中文说明：构筑金属异质结构是实现高性能电催化剂的有效途径之一，共轭微孔聚合物（CMP）是一种具有可设计孔隙率的功能新材料。基于此，本文提出利用CMP 客体化学方法来制备具有双功能电催化活性的PdP2@Pd/C 异质结构。该异质结构的形成依赖于由氮基团组成的 CMP前体，它允许结合 Pd 物质并引入磷掺杂剂。原位形成的 Pd 负载CMP 前体在热解过程中可直接转化为氮和磷化物掺杂的多孔碳（NPC），而 P 则扩散到 Pd/C 界面导致Pd颗粒表面磷化。所制备的由 PdP2@Pd/C（Pd 含量 4 wt.%）异质结构组成的 NPC 表现出显著增强的电催化性能，包括具有高析氢活性（58mV @ 10 mA cm^-2）和接近商业化 20 wt.% Pt/Cd电极的氧还原活性以及出色的循环稳定性。该研究指出了CMP作为客体，在构筑异质结构的电催化剂方面展现的巨大潜力。

关键词：共轭微孔聚合物，钯磷异质结构，双功能电催化剂，析氢反应，氧还原反应

     

Impact of strain relaxation of AlGaN barrier layer on the performance of high Al-content AlGaN/GaN HEMT

Owing to large direct bandgap energy, high saturation drift velocity, large conduction band discontinuities, high thermal stability and strong piezoelectric and spontaneous po- larization[1-4], AlGaN/GaN HEMTs have advantages over electronic devices based on Si, GaAs and their alloys in high-frequency, -temperature and -power applications. Many researches show[5,6] that the characteristics of AlGaN/GaN HEMTs depend on two-dimensional gas (2DEG) in heterostructures which has intimate r…     

ZrO2溶胶的醇盐受控水解-缩聚合成及光散射研究

采用一缩二乙二醇（DEG）修饰丙醇锆（Zr（OPr）4）的水解-缩聚过程,在乙醇（EtOH）介质中制备ZrO2基溶胶;借助小角X射线散射和激光动态光散射研究胶体微观结构对合成体系组成的依赖性。结果表明,DEG分子可以通过其端羟基与Zr（OPr）4发生亲核取代而形成稳定的配合中间体,有效抑制Zr（OPr）4的水解-缩聚过程,从而在很宽的组成范围内获得稳定的ZrO2基溶胶。此外,在稳定溶胶对应的组成范围内,随DEG引入量减少或反应H2O量增加,胶体粒子数量增大并形成团簇。受胶粒表面未水解的DEG配体残留的影响,胶粒之间通过表面羟基缩合迅速长大的几率很小。     

ZnO/TiO_2核壳异质结的制备及其光电性能研究

采用硝酸锌/六次甲基四胺溶液体系,首先利用水热法在ITO导电玻璃基片上制备ZnO纳米棒,然后,再利用溶胶-凝胶法,并结合浸渍-提拉工艺在附有ZnO纳米棒的ITO导电玻璃基片上制得ZnO/TiO2核壳异质结,考察了TiO2溶胶的浓度以及拉膜次数对异质结形貌及其性能的影响.结果表明：TiO2溶胶的浓度和拉膜次数都对异质结的形貌有显著的影响,TiO2在ZnO纳米棒表面的附着量随TiO2溶胶的增加而增大.另外,拉膜次数的增多也会增加TiO2在ZnO纳米棒表面的附着量,在适宜的附着量下会得到形貌较好的ZnO/TiO2核壳异质结.基于ZnO/TiO2核壳异质结的设备,其光电转化效率提高了50.79%     

CsLaTa2O7/Na2Ta2O6异质结构的构建及光催化性能

利用层状结构CsLaTa2O7的亚稳特性,通过水热法在其表面原位合成烧绿石型Na2Ta2O6粒子,构建出CsLaTa2O7/Na2Ta2O6异质结构光催化剂。利用XRD、SEM、TEM、UV⁃Vis光谱和荧光光谱等测试手段,对CsLaTa2O7/Na2Ta2O6样品进行表征。结果表明,CsLaTa2O7/Na2Ta2O6异质结构可以有效地抑制光生电子和空穴的复合,并且在紫外光下光照10 min就能将亚甲基蓝染料完全降解,其紫外光下光催化性能明显高于单一相。     

GNR-TiO_2/g-C_3N_4异质结构的制备及其性能研究

采用二次凝胶-溶胶法和水热法合成了具有光催化效应的GNR-TiO_2/g-C_3N_4异质结构,并对其性能进行了研究.研究结果表明:GNR-TiO_2/g-C_3N_4异质结构表现出强的光催化活性,并在可见光照射下,对有机物亚甲基蓝有良好的催化效果.这主要归因于石墨烯纳米带作为载体,不仅增加了异质结构的比表面积,还使空穴-电子对的再结合率降低.     

二甘醇醚化合成二甘醇单丁醚

以副产物二甘醇为原料,氯代正丁烷为烷基化试剂,在固碱的作用下合成二甘醇单丁醚。实验考察了反应温度、反应时间、物料配比对产品收率的影响以及二甘醇的循环使用情况。结果表明,较佳工艺条件为反应温度１００～１２０℃,反应时间３ｈ,物料配比６～８;收率达８０％以上。该法无需相转移催化剂及脱水剂,操作简单,反应条件温和,能降低生产成本,缩短反应时间,可作为一种有效的合成方法使用。     

Finite element model updating of existing steel bridge based on structural health monitoring

Based on the physical meaning of sensitivity,a new finite element（FE） model updating method was proposed. In this method,a three-dimensional FE model of the Nanjing Yangtze River Bridge（NYRB） with ANSYS program was established and updated by modifying some design parameters. To further validate the updated FE model,the analytical stress—time histories responses of main members induced by a moving train were compared with the measured ones. The results show that the relative error of maximum stress is 2.49% and the minimum relative coefficient of analytical stress—time histories responses is 0.793. The updated model has a good agreement between the calculated data and the tested data,and provides a current baseline FE model for long-term health monitoring and condition assessment of the NYRB. At the same time,the model is validated by stress—time histories responses to be feasible and practical for railway steel bridge model updating.