HBr反应离子刻蚀微米硅深槽

采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体,用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜,在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上,刻出槽宽１．２μｍ,槽深０．８μｍ的硅深槽,并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析．     

反应离子刻蚀实验研究

本文报告了应用反应离子刻蚀技术制作半导体激光器件的可行性工艺方法，可以对发展半导体激光器的制作有一定的指导作用。     

单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究

对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究，介绍了氟化物反应离子刻蚀机理，对CF4和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析，总结出刻蚀优化工艺条件，解决了刻蚀中存在的工艺难题。试验表明，在CF4加O2的优化工艺条件下，其刻蚀具有良好的各各异性和较高的重复性，获得了良好的刻蚀效果。     

工艺参数对电感耦合等离子体刻蚀ZnS速率及表面粗糙度的影响

为了得到电感耦合等离子体反应刻蚀ZnS的工艺参数,采用CH4∶H2∶Ar(1∶7∶5)作为刻蚀气体,在ZnS刻蚀机理的基础上,分析各工艺因素对ZnS刻蚀速率和刻蚀后表面粗糙度的影响.实验结果表明:当气体总流量39sccm、偏压功率80W、射频功率300W时,ZnS刻蚀速率为18.5nm/min,表面粗糙度Ra小于6.3nm,刻蚀后表面沉积物相对较少;Ar含量变化对刻蚀速率和表面粗糙度影响较大.给出了刻蚀速率和表面粗糙度随气体总流量、Ar含量、偏压功率和射频功率的变化趋势.     

金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线及其工艺参数优化

为了制备形貌良好性能优良的硅纳米线,利用金属辅助化学刻蚀法,在AgNO₃和HF的混合水溶液中沉积Ag颗粒,使之作为刻蚀反应的催化剂,并在H₂O₂和HF的混合溶液中进行刻蚀反应制备硅纳米线.通过改变实验中的工艺参数,包括刻蚀反应时间、刻蚀反应温度、刻蚀液中HF浓度及反应过程中的搅拌速度,用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)图像进行对比分析,讨论制备优良硅纳米线的最佳参数.结果表明:当刻蚀反应时间为1 h,反应温度在室温下,HF浓度为4.8 mol/L时,硅纳米线的表面形貌是最好的,但对刻蚀液的搅拌会严重破坏硅纳米线的表面形貌,不利于优良硅纳米线的制备.     

用SF6/O2气体ICP刻蚀硅深槽基片温度对刻蚀速率的影响

以SF6/O2为刻蚀气体用RIE刻蚀机刻蚀Si,当功率为500W,偏压为250V,气体流量45mL/min,压力分别为2.7Pa6、.7 Pa、11Pa时,基片温度的改变对其刻蚀速率的影响。实验结果表明:进行室温刻蚀(≥0℃)和低温刻蚀(≤0℃)时,其刻蚀机理不尽相同,当基片温度为0℃~80℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向同性的化学反应刻蚀。当基片温度为-120℃~0℃时,对刻蚀速率起关键作用的是各向异性的物理刻蚀,可以获得理想的尺寸和形貌。     

影响钢坯修磨因素初探

以建立在磨削几何学分析之上的金属切除率数学模型为基础，分析讨论了磨削工艺参数（修磨压力、砂轮圆周速度。砂轮直径、工件进给速度）对金属切除率、磨削力比的影响，并对钢坯修磨机理进行了初步探讨，揭示了高效修磨的特点和规律．从而为提高钢坯修磨生产效率，降低修磨成本提供了理论参考依据．     

工艺参数对铸态贝氏体灰口铸铁的影响

研究了各工艺参数对铸态贝氏体灰口铸铁的影响。结果表明，铸态贝氏体灰口铸铁的组织和性能不仅与合金元素的正确选择及配合有关，而且还与铸件的冷却方式及冷却速度有关，与强化孕育及高温过热等工艺因素也有着密切的关系。     

步进式振动攻螺纹工艺参数的合理选择

从步进式振动攻螺纹的原理、步进电动机的工作特点、刀具耐用度、切削生产率和工艺参数对切削过程的影响等方面，对步进式振动攻螺纹工艺参数的合理选择进行了分析并得到了各参数合理值的表达式。     

808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究

为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除＂燕尾＂结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。     

硅深刻蚀中掩蔽层材料的研究

掩蔽层材料选择比低是硅高深宽比微结构实现的限制之一.为了获得高质量的掩蔽层材料,利用感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP)刻蚀方法,选择SiO2,MgO,Al作为掩蔽层材料,通过研究刻蚀过程中射频功率及气体流量对SiO2,MgO,Al及Si刻蚀速率变化的影响,获得了SF6等离子体对Si与SiO2,Si与MgO,Si与Al的选择比.结果表明:MgO薄膜作为掩蔽层、射频功率为800 W,气体流量为50 sccm或80 sccm是深刻蚀中适宜的工艺参数.     

ZnS离子束抛光过程中的粗糙度演变

为了得到离子束抛光ZnS的工艺参数,采用微波离子源作为抛光源,分析了离子束能量、离子束流大小、离子束入射角度对ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的影响,比较了ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的变化趋势.研究结果表明:当离子束能量为400eV、离子束流大小为35mA、入射角度为45°时,ZnS表面粗糙度降低了0.23nm.     

Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用

对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。     

电力系统无功优化规划方法的研究

针对电力系统的长期规划问题，提出了基于启发式算法和Bender‘s分解技术的目标年无功优化规划算法，并分别考察了单负荷水平和多负荷水平两种情况，该算法把无功优化问题分解为投资和运行两个问题子，解决了线性化运动子问题求解时可能出现的不可行情况，计算结果表明，该算法是合理、有效的。     

工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

采用射频磁控反应溅射法，以高纯Al为靶材，高纯N。为反应气体，成功制备了氮化铝(AlN)薄膜。研究了N2气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积速率的影响规律。结果表明，随着N2气流量的增加，靶面溅射由金属态过渡到氮化态，沉积速率随之明显降低；沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大，随靶基距的增大而减小；随着溅射气压的增大，沉积速率不断增大，但在一定气压下达到最大值后，沉积速率又随气压不断减小。