Ag在低温PVF衬底上气相沉积的分形结构

用透射电子显微镜观察了Ａｇ气相沉积在不同温度的聚乙烯醇甲醋薄膜衬底上的显微结构，发现在２１３Ｋ的ＰＶＦ衬底上沉积的Ａｇ具有分形结构，同时观察到有许多大小约为０．３μｍ的“黑点”分形结构 ，这些“黑点”是由特别致密的微晶组成的。     

Pd在低温PVF衬底上气相沉积的分形现象

探讨了5×10-3Pa真空条件下Pd在240K低温聚乙烯醇缩甲醛（PolyvinylFormal，编写PVF）衬底上气相沉积的特征。由透射电镜（TEM）分析发现，在240K的PVF衬底上沉积的Pd膜结构与PVF衬底温度为300K时沉积的情况很不相同，具有分形网络特征。分形网络是由线度小于2nm的fcc微晶凝聚而成。同时还发现分形结构的小岛及在生长过程中由于俘获竞争机制造成的某些区域内形校和核生长被抑制的现象。     

聚乙烯醇缩甲醛(PVF)有机膜上沉积金属膜的XPS研究

介绍了在聚乙烯醇缩甲醛（PVF或Formvar）膜上蒸镀Au，Pd和Ag金属膜，用XPS研究其表面与界面的化学组分与价态。实验发现，在PVF膜上蒸镀Au，Pd和Ag后，三种不同价态的C1s相对含量均发生了变化。表明金属原子在PVF膜上的沉积是化学吸附。     

电场对Au/SiO_2及Au-Ag/SiO_2表面结构与原子迁移特性的影响

利用扫描俄歇微探针（SAM）和原子力显微镜（AFM）研究了SiO2衬底上在外加直流电场作用下沉积的Au薄膜及Au－Ag复层薄膜的表面形貌、结构变化及电迁移扩散行为。结果表明：①在衬底表面施加水平方向电场辅助沉积制备的Au薄膜其表面显示出平整的椭球形晶粒，并沿外电场方向呈织构取向。与未加电场的热蒸发沉积膜相比，具有较为均匀、有序的表面微观结构。②SiO2表面Au-Ag复层薄膜在直流电场作用下，Au，Ag物种同时向负极方向作走向迁移扩散，这与Au－Ag复层薄膜在Si（111）表面电迁移时Au，Ag分别向两极扩散的特点不同，反映了衬底性质对表面原子电迁移的影响。③Au－Ag复膜在电迁移过程中还发生了表面原子聚集状态的变化，原来沉积排布的细小晶粒在电迁移扩散过程中出现不均匀长大，导致薄膜表面粗糙度显著增加。     

非均质基底表面团簇生长的周期性研究

根据基底表面客观存在杂相（不同材料、或同一材料的不同晶面等）的实验事实，考虑到粒子进出不同的相界具有不同的能耗，粒子在不同相基底上扩散具有不同的能耗，建立了非均质基底上扩散能量有限的多中心成核的DLA模型，对非均质基底上团簇的生长过程进行了Monte Carlo模拟。模拟结果表明：沉积在此类基底表面的粒子凝聚成具有分形结构的团簇的数目、团簇的回旋半径、团簇的分形维数均呈现一种周期性的变化。     

脉冲激光沉积ZnO薄膜的结构和光学特性研究

采用脉冲激光，在Si（001）衬底上生长ZnO薄膜，利用X射线衍射（XRD），原子力显微镜（AFM）和光致发光光谱（PL）等测试手段研究了不同衬底温度所生长的ZnO薄膜结构特征和光学性能。研究表明：衬底温度影响ZnO薄膜结构和光学性能。在500℃～600℃沉积范围内随着温度升高，ZnO薄膜结构和光学性能提高。     

A1N薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

研究了采用脉冲激光沉积（PLD）技术在Si（100）衬底上A1N薄膜的制备及其性质。结果表明，衬底温度从室温到800℃的范围内，所得到的A1N薄膜为（002）择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高，A1N薄膜从纳米晶结构转为多晶结构，同时表面微粗糙度上升。A1N晶粒呈柱状生长机制。     

WO3/Si纳米晶薄膜的脉冲准分子激光沉积及结构分析

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Si(111)单晶衬底上沉积了WOx薄膜，采用X射线衍射（XRD）、喇曼光谱（RS），付里叶红外光谱（FT－IR）及透射电镜扫描附件（STEM）对不同条件下沉积的样品进行了结构分析，结果表明，氧分压和沉积温度是决定薄膜结构和成份的主要参数，在沉积温度300℃以上及20Pa氧压下得到了三斜相纳米晶WO3薄膜。     

采用MPCVD法在硅衬底上选择性生长金刚石膜

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法在附有SiO2掩摸的硅衬底上选择性沉积出了金刚石膜。采用扫描电子显微镜（SEM）和Raman光谱仪对金刚石膜的表面形貌和结构进行了表征。并讨论了衬底温度对金刚石薄膜选择性沉积的影响。得出了较佳的沉积条件。     

薄膜生长初期岛形貌转变的模拟研究

用Kinetic Monte Carlo（KMC）方法实现了（001）衬底上薄膜生长初始阶段岛形貌的模拟。在模型中考虑了原子沉积、吸附原子扩散和绕岛运动等过程，并考虑了衬底温度、沉积速率、Lennard-Jones（L-J）作用势范围等因素对生长的影响。研究了岛边缘亚稳粒子绕岛运动对岛形貌的影响。结果表明，绕岛运动越强岛形貌越趋于紧致状。模拟中发现：当绕岛能力相同时，随着衬底温度的升高，岛形貌由紧致向枝晶转变。     

一种高效沉积反应室的设计

利用Arrhenius公式对化学气相沉积的反应进行研究，设计了一种低压热化学气相沉积（LPCVD）高效沉积反应室。在料管的下方与衬底的上方间安放漏斗型筛板，在工艺中有效地提高了氢气的分压，并有利于衬底温度的提高，加快了沉积速率。通过对设计前后钨薄膜的金相组织对比分析后发现，较高的沉积速率可以使沉积薄膜晶粒细小，结构致密，但薄膜与衬底附着力较差，提高衬底温度可有效地提高薄膜与衬底附着力，以弥补因较高的沉积速率带来的薄膜与衬底附着力较差的问题，提高薄膜质量。     

沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响

采用ＲＦ反应溅射法在Ｓｉ（１１１）、玻璃衬底上制备了具有良好Ｃ轴承向的多晶ＺｎＯ薄膜。用ＸＲＤ分析了沉积条件（衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类）对样品结构的影响,发现（１）薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过４００℃后薄膜质量开始变差;（２）工作气体中氧与氩气压比（Ｐｏ２／ＰＡｒ）为２：３时,薄膜取向性最好;（３）薄膜晶粒尺寸１１－３４ｎｍ,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品（００２）衍     

钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究

本文报道了用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰＭＯＣＶＤ）法在Ｓｉ衬底上制备高质量的钛酸钡铁电薄膜，钡的β－二酮螯合物（Ｂａ（ＤＰＭ）２）和异丙氧基钛（ＴＩＰ）作为金属有机源，在衬底温度为７００℃时，在Ｓｉ（１００），薄膜具有完全的（００１）取向，其介电常数（ε）为１０７。研究了衬底温度与薄膜的结晶性和取向性的关系；讨论了半导体衬底对酸钡铁电薄膜物理性质的影响，得到了薄膜的剩余自发极化强度（Ｐｒ）为２     

分形结构金属铜的制备与分析

从仿生的观点出发，选择具有分形结构的叉枝藻（海藻的一种）作为基底材料，经预处理后用化学沉积方法，先在海藻基底上沉积得到一层铜金属，之后再用电沉积方法，使基底表面的金属铜层加厚到一定程度（30～50μm）。最后通过烧蚀去除包裹在铜金属中的海藻，从而得到较为纯净的具有分形结构的金属材料，采用计盒维数法计算出该金属材料的分维数（在准二维上）为1.59。     

电沉积技术制备钼酸钡薄膜及其特性表征

采用恒电流电沉积技术，在不同衬底（金属钼片、镀金的硅片、ITO导电玻璃）上，不同溶液酸碱性的条件下制备出了具有白钨矿结构的钼酸钡薄膜，利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对制备的薄膜进行了分析表征。分析了利用电沉积方法制备的钼酸钡薄膜的成膜机制．实验结果表明：在室温环境下，利用电沉积技术，在不同材质的衬底（金属钼片、镀金的硅片和ITO导电玻璃）上，可以制备出具有白钨矿结构钼酸钡薄膜，不同材质的衬底会影响到薄膜晶粒的形状进而影响薄膜的表面形貌和致密性，用镀金的硅片（Au-Si片）作衬底时，制备的钼酸钡薄膜晶粒更加饱满，晶体生长呈四方锥形，晶界清晰。     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

不同衬底上低温生长的ZnO晶体薄膜的结构及光学性质比较

采用电子束反应蒸发方法,在单晶Si（001）及玻璃衬底上低温外延生长了沿C轴高度取向的单晶ZnO薄膜,并对沉积的ZnO晶体薄膜的结构和光学性质进行了分析比较。通过对ZnO蒲膜的X射线衍射（XRD）分析及光致荧光激发谱（PLE）测量,研究了衬底材料结构特性、生长温度及反应气氛中充O2对ZnO薄膜的晶体结构和晶体光学吸收特性的影响。结果表明：①衬底温度对沉积的ZnO薄膜的晶体结构影响显,玻璃衬底上生长ZnO薄膜的最佳温度比Si(001)衬底上生长的最佳温度要高70℃;②虽在最佳生长条件下获得的ZnO薄膜的的XRD结果（半高宽和衍射强度）相近,但光学吸收特性有较大差异,Si(001)衬底上生长的ZnO薄膜优于玻璃衬底上生长的ZnO薄膜;③反应气氛中的O2分压对XRD结构影响不大,但对PLE谱影响显,充O2后能明显改善吸收边特性。     

真空气相沉积可控制备有机半导体单晶薄膜

利用多温区温度可控的真空气相沉积设备,在热氧化硅片衬底上沉积了并五苯（PEN）与甲氧基寡聚苯乙烯撑（MOPV）2种有机半导体材料的薄膜。研究了不同的沉积条件下有机半导体材料在二氧化硅衬底上的成核和生长模式。MOPV的生长遵循Volmer-Weber模式。在理想的条件下分别得到了岛状与线状的单晶结构。偏振显微荧光研究证明单晶纳米线有显著的荧光各向异性。     

微波等离子体化学气相沉积法生长取向性纳米氮化铝薄膜

采用微波等离子增强的化学气相沉积法，在Ｓｉ（１１１）衬底上生长了（００２）选优取向良好的Ａ１Ｎ纳米薄膜。研究沉积参数对膜的形貌、物相结构和生长速率的影响，发现在一定条件下，该沉积过程属于典型的输运控制过程，采用表面吸附生长模型讨论了膜的生长机制。     

NbN沉积膜的抗腐蚀特性研究

利用磁过滤等离子体沉积技术在单晶Si和碳钢衬底上生长一层NbN沉积膜，用XPS，XRD和SEM对膜层进行测量和分析，结果表明，沉积膜为δ-NbN，沉积膜的质量与样品的衬底温度有关，衬底温度越高，生成的膜越致密，膜的表面越平整光滑，多次循环阳极极化扫描曲线测量表明，沉积样品的致钝电流密度（Ip)较碳钢降低（1－2）个数量级，抗腐蚀性能大 幅度提高。