一种低压高精度的CMOS带隙基准电压源

采用0.5μm CMOS工艺设计了一种高精度低压基准电压源.提出了一种结构比较新颖的基准电压源电路,该基准电压源电路具有较低的温度系数、较大的温度范围和较高的电源抑制比.此外,还增加了提高电源抑制比电路、启动电路,以保证电路工作点正常、性能优良,并使电路的静态功耗较小.Spice仿真结果表明低频时电源抑制比可达70dB;在-40～120℃范围内,输出变化仅为0.004V,温度系数可达25×10-6V/℃;静态功耗小,在电源电压Vdd=3.3V时,总功耗约为0.025mW.     

一种高性能BiCMOS带隙基准电压源设计

文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上,介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路。该电路的实现是基于0．6μm、5V的BiCMOS工艺。仿真结果表明,该基准电路稳定工作电源电压范围为1．9V～6．4V,在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-25℃至150℃时,温度系数为9．73×10^-6,输出电压误差为1．72mV。     

一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计

提出了一种低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电路。电路采用电流模BGR结构,采用对VBE的线性补偿方法。利用BISM 3模型,电源电压可在5V,在-55—125℃温度范围内,温度系数为6.034ppm／℃。在低电源电压,低频下PSRR为-73dB。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。     

一种用于D/A转换器的带隙基准电压源设计

本文设计了一种用于D/A转换器的带隙基准电压源,该电路采用中芯国际(SMIC)0.18 μm CMOS工艺设计,利用Cadence Spectre工具对其仿真,后仿结果表明,1.8V电源电压下,在-40℃～125℃温度范围内,带隙基准电压源的温度系数为4.1ppm/℃,电源抑制比(PSRR)低频时为89dB,在10 kHz时仍可以达到62.4dB.基准输出电压约为406.6mV.该带隙基准电压源能够很好的应用到高分辨DAC中.     

补偿温度系数的电压基准电路

本文给出一个温度系数(TC)线性可调的电压基准电路.它可用于各种传感器的温度系数补偿.它的特点是不用重新改接就能提供正、负两种温度系数.整个电路容易集成化,使其成为一个通用集成电路组件.源电压变化所引起的基准不稳定度小于0.01%.V_(ref)(20℃)=2V时,TC≈(-0.38%～ 0.38%)/℃:输出电阻高的缺点可通过后接一个电压跟随器解决.该电压基准有两个0.2mA附加电流输出.I_(ref 1)的TC=0.22%/℃.I_(ref 2)的TC=-0.65%/℃.两者接在一起,可提供0.4mA的基准电流,TC=-0.43%/℃.     

一种集成稳压电路的设计与研究

设计了一种采用CSMC 0.6um CMOS工艺的集成带隙基准电压源电路.仿真结果表明,在电源电压VDD为5V时,在的温度范围内,电路得到一个温度系数为37.3533ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为43.98dB的带隙基准电压输出,性能较为理想.     

一种实用的带隙参考电压源曲率校正方法

在对传统双极型晶体管带隙电压基准源电路的分析和总结基础上,提出了一种对双极型带隙参考电压源进行曲率校正的实用电路结构.这种电路结构通过在适当温度下引入具有正温度系数的因子来遏制温度系数持续下降的趋势.使电路在工作区域可取得很好的曲率校正效果.仿真结果表明.本电路结构实现了在整个工作温度范围内(-40℃～120℃)电压的变化只有0.001V.     

测量仪表中电压基准的选择

电压基准是提供一个精确的输出电压，作为电路系统或负载的精确参考电压，因而称其为基准。在测量仪表中，模拟信号和数字信号的相互转化就需要满足精度要求的电压基准。本文从实际应用的角度介绍了电压基准的种类、特点及其主要技术参数，选用电压基准的方法和注意事项。     

无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于无线传感器网络SoC芯片中射频收发机模块的LDO,具有低温度系数,低静态电流和高电源电压抑制比。其电源电压抑制比大于58dB在1kHz。在-40-+85℃的范围内,温度系数为6.87ppm/℃。电源电压在2.0-3.6V的变化范围内,LDO能提供1.8V的稳定输出电压,100mA的输出电流。芯片面积为0.168mm2,最大静态电流为221.9μA。测试结果表明带隙基准的输出电压为0.429V,LDO的输出电压是1.850V。     

一种微机电源的LDO设计与实现

针对微机电源稳压性能较差的缺点,设计一款输出电压为5 V,最大输出电流为1 A的低压差线性稳压器(LDO)。通过选择误差放大器、反馈电阻网络、大功率N沟道MOS管作为调整管;采用具有过温、限流保护功能的芯片和外围电路构成基准源电路,改善了稳压器的线性调整率。测试结果表明,室温下输入电压为5.5~25 V时,输出电压稳定在5 V,负载为5Ω时电压调整率为0.6%,显示出良好的稳压性能。     

一种新型CMOS数模转换器的设计与仿真

设计了一种基于R-2R倒梯形电阻网络结构的8位CMOS数模转换器。数模转换器输入采用并行数字输入结构,输出采用模拟电流输出方式,基准电压源采用CMOs带隙基准电压电路,该电路综合了电路启动、温度补偿和电流反馈等技术,通过适当调节电阻,使输出电压具有较低的温度系数。采用Hspice作为设计电路模拟仿真分析的软件工具,仿真结果表明,在5V工作电压下,建立时间小于50ns,电路的积分与微分非线性误差均小于5LSB,功耗小于40mW,达到了设计要求。     

高精度低压基准电路的设计

介绍几种获得高精度基准低电压源的方法,并给出具体电路图.     

三坐标测量中确定测量基准与设计基准一致的重要性

分析三坐标测量位置度误差中测量基准的建立 ,讨论测量基准对测量精度的影响 ,确定了测量基准与设计基准一致的重要性     

基于同轴光子带隙晶体的应变传感器

基于微波网络理论,提出了一种基于变绝缘层的同轴光子带隙晶体应变传感器的设计方法。给出了同轴光子带隙晶体传感器的结构形式,推导了传感器带隙极值频率与晶体电长度之间的关系。根据给定监测频点设计了传感器的几何尺寸及材料参数,计算了传感器的S参数,计算结果与仿真结果相吻合。分析了提高该传感器灵敏度和品质因数的方法,并搭建了实验测试平台。实验结果表明:当应变量由0με提高至10 000με时,极值频率由2.450GHz移至2.432GHz,频移量为18 MHz,灵敏度为1.8kHz/με。得到的实验结果与仿真结果相吻合,验证了本文所提出的基于变绝缘层的同轴光子带隙晶体应变传感器设计方法的可行性和有效性。该传感器可满足不同灵敏度需求下对应变的实时监测。     

一维声子晶体振动带隙的带边模式研究

从一维声子晶体的波动方程出发,选用保持晶格对称性的原胞对声子晶体的能带结构进行解析分析.结果表明一维声子晶体带隙边缘的振动模式与其单个对称性原胞的固有振动模式完全一致,从而对一维声子晶体带隙特性的分析可以简化为对其单个对称性原胞固有模式的分析.研究表明,一维声子晶体中的振动模式是其各对称性原胞固有振动模式相互作用的耦合模式,在带隙边缘由于布拉格散射出现解耦效应,振动模式为解耦的驻波模式,从而与单个对称性原胞的固有振动模式一致.以有机玻璃及铝构成的声子晶体细直梁为例,采用振动试验对其振动传输特性进行测试,试验结果同理论分析结果基本吻合.这为声子晶体复杂梁杆结构的带隙特性研究及减振降噪设计提供了新的、简化的思路.     

充液周期管路的轴向振动带隙特性

充液管路的固液耦合振动广泛存在于各种工程领域中,对其振动控制进行研究具有重要意义。将声子晶体思想引入到管路结构设计中,将管壁设计成周期性结构,可以利用带隙特性实现管路的振动控制。利用平面波展开法,计算固液耦合条件下的周期管路结构轴向振动能带结构。计算表明,周期管路结构的轴向振动存在振动带隙,液体耦合效应使振动带隙的频率范围降低。同时分析泊松耦合、管壁厚度等因素对带隙频率范围和宽度的影响。充液周期管路结构的振动带隙特性为管路的振动控制提供了一条新的技术途径。     

一种具有完全光子带隙的二维光子晶体薄膜

简单介绍利用光子晶体的概念,提出一种正方结构的类似棋盘式的二维光子晶体结构,根据光子晶体能带理论计算并设计了这一结构,利用碲化铅(PbT e)与一氧化硅(S iO)材料对组合,可在此两种材料的透光区波段内,获得具有TE与TM的重合完全光子带隙,相对宽度为4.55%,其意义是可以制作全角反射镜和偏振分光镜,文中为实际制备这一器件结构提供理论指导和可行性分析。     

方向公差带与基准的关系

机械零件上不可避免地存在加工误差,这些加工误差超过一定范围。就会影响其使用性能．因此要对这些加工误差加以限制．即对其规定相应的几何公差。以保证产品的使用性能及互换性。对于设计者而言。其设计要求需通过图样标注等方式表达。而图样标注必须符合有关标准的规定。这就需要对相应标准的进行认真分析和准确解读。以达到正确标注的目的。     

负泊松比星型周期格栅结构的振动带隙特性

基于声子晶体的能带结构理论,结合弹性波动方程与Bloch定理建立结构单胞的动力学方程,研究负泊松比星型周期格栅结构的面内纵向振动与面外弯曲振动的带隙特性,发现其存在丰富的禁带特性,且在较低频率范围内存在稳定的宽大带隙。对比了2种振动模式的能带结构,研究了内凹夹角、长细比等几何参数对结构等效弹性参数与带隙特性的影响,并分析了带隙频率处单胞的振动模态。研究结果表明：星型格栅中存在2种振动都被抑制的完全带隙;内凹夹角和斜梁的几何参数是影响低阶带隙的关键;旋转共振模态的出现导致最低带隙处简并态的打开。星型周期格栅结构的这些带隙特性使其在工程减振降噪中具有潜在的价值。     

一维粘弹材料周期结构的振动带隙研究

采用迭代法改进了一维声子晶体带隙特性计算的平面波展开(PWE)算法,以使其适用于组成材料粘弹性所导致的弹性常数随频率非线性变化的特性。将该算法应用于丁腈橡胶(NBR)和钢组成的两种结构尺寸的一维周期结构声子晶体振动带隙的研究中,理论计算和振动测试结果吻合理想。进一步的理论分析表明,橡胶材料的储能弹性模量随频率的单调增加,使得在保持禁带开始频率不变的同时大大加宽了禁带范围,在3 mm钢/10 mm NBR以及7 mm钢/10 mm NBR两种周期结构一维声子晶体中禁带宽度分别增加了36.4％和34.0％。