32位SAW抽头延迟线匹配滤波器

文章采用了声表面波（ＳＡＷ）抽头延迟线和延迟线相合结构以及幅度修正补偿设计技术，研制了７２ＭＨｚ和１４０ＭＨｚ３２位Ｍ序列ＳＡＷ抽头延迟线匹配滤波器，在连续脉冲测试条件下，对Ａ和Ｂ两种码序列分别获得到了３．４：１，４．４５：１和３．５：１，４．５：１的自相关峰值旁瓣比，同时介绍了器件工作原理，设计方法和实验结果。器件成功地应用于扩频无线局域网系统中。     

Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格PIN探测器的研制

本文对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格ＰＩＮ探测器进行了分析和设计（其中ｘ＝０．６），并制作出了相应的器件．对典型器件的测试结果表明，在１．３μｍ光照下，反偏电压为－５Ｖ时，光响应电流为２．６μＡ，暗电流为４００ｎＡ，探测灵敏度为０．１５３μＡ／μＷ．最大总量子效率为１４．２％．     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT

设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工，设计，组装了一套实验系统，可重复可靠地得到剖面陡直的０．３－０．３５μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺     

工欲善其事,必先利其器

随着兰导体工艺技术和印制板层数的日益增多，电子设计自动化（ＥＤＡ）技术的重要性与日俱增。在设计复杂或超复杂系统时，从系统到芯片物理设计乃至印制板布局和布线，全都离不开ＥＤＡ．不依靠ＥＤＡ，简直是寸步难行．有了完善的ＥＤＡ工具，就可收到事半功倍的效益。我们在编辑这一期电子设计自动化专集时．力求从ＥＤＡ市场、器件、ＩＣ设计自动化工具和印制板设计自动化工具等方方面面反映ＥＤＡ的当前最新成就和未来发展趋势。在市场方方面，我们选登了两篇文章；“ＡＳＩＣ时髦有期”和“ＰＬＤ市场．热点在哪里”．对器件感兴趣的…     

InGaAsP／InP单片集成波长解复用器件

报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件，器件刻蚀在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平板波导上，通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离，光的输入输出耦合由波阵列来完成，器件的工作波长在１．５μｍ附近，通道间隔约４．３ｎｍ。本文给出了器件的设计方法，制作工艺和初步测试结果。     

异质结电荷注入晶体管

通过对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究，以及对器件工作特性的测量分析，在理论上给出了器件过程的物理机制，并对器件结果提出了进一步的改进措施．     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．     

二元位相型菲涅尔透镜列阵器件的研制及其应用实验

详细介绍了二元位相型菲涅尔透镜列阵器件（ＢＰＦＬＡＳ）的设计原理、制作过程和测试方法，研制了２４×２４元８阶ＢＰＦＬＡｓ，对０．８４μｍ波长的焦距为４６．５ｍｍ，单元尺寸为１．５×１．５ｍｍ２，衍射效率达７７．３％．有关应用实验表明，该器件具有平行光分束、多路成像及傅里叶交换功能，在列阵发光器件的光学准直，光学相关器等方面有广泛的应用前景．     

完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．     

4096位线阵CCPD摄像器件

采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。     

可编程逻辑器件原理及开发应用（上）

本文简述了可编程逻辑器件的工作原理，着重的介绍了其相应的５种开发软件。本文共分上下二部分，在上半部分中主要是分析可编程逻辑器件的工作原理，着重的介绍了ＰＡＬＡＳＭ开发软件。ＧＡＬＬＡＢ开发软件，ＦＭ开发软件的应用。结合实例给了了各种开发软件的设计文件样本，并对样本进行逐行的分析，因而对读者在实践中如何正确应用可编程逻辑器件有着实际的指导意义。     

GaAs1×2Mach－Zehnder 波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

GaAs1×2Mach－Zehnder波导开关／调制器

文报道了ＧａＡｓ１×２ＭＺ波导开关／调制器的研究结果，并分析了该器件的工作原理．这种器件利用Ｙ分支作为３ｄＢ耦合器，非对称Ｘ结作为干涉器．在波长１．１５μｍ下测试，得到了串音比小于－１６ｄＢ和开关电压１９Ｖ的开关特性．预计该器件可广泛应用于ＧａＡｓ１×。开关列阵及高速光调制等方面．     

0.1A—8A高稳定性恒流器件研究

提高温度稳定性和展宽恒定电流范围是当前恒流器件应用中的两个突出问题，现有根据长沟道场效应的原理制备的两端恒流器件，由于工作机理限制已难指望在上述问题上取得有效的进展，本文介绍一种恒流源电路的模块设计思路，新近研制了在很宽电流范围内连续可调的新恒流器件。测试结果表明，该器件样管的输出电流可达０．１Ａ－８Ａ，电流温度系数低达１０＾－１／℃－１０＾－５／℃。起始电压低于０．４Ｖ，是一种输出电流范围又宽，     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．     

新型可编程器件GAL讲座 第二讲GAL器件的开发

新型可编程器件ＧＡＬ讲座　第二讲ＧＡＬ器件的开发杜恩祥，肖玉芳，王红霞一、ＧＡＬ器件开发工具简介ＧＡＬ器件的开发工具包括硬件开发工具——编程器和软件开发工具——ＰＬＤ专用的程序设计语言及其编译程序。目前市场上的０ＡＬ器件编程器种类繁多，其结构大同小异...     

计程测速电路的在系统可编程器件的实现

根据在系统可编程器件的特点，以提高器件的资源利用率、简化设计为原则，利用在系统可编程器件的开发系统设计了计程测速电路，总结了利用在系统可编程器件进行ＡＳＩＣ设计的特点和技巧。     

具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器

本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果．所用的外延片是由分子束外延生长的，下镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器，上镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成．器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成．器件初步研制已实现了室温脉冲激射，阈值最低３２０ｍＡ，最大峰值功率可达９ｍＷ．