大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

存贮器系统

微型计算机系统为了适应科学计算及数据处理等方面的需要,通常配有相当规模的存贮器系统。其中包括随机存取存贮器(RAM)和只读存贮器(ROM及EPROM)。RAM用于存放输入、输出数据及中间结果,而ROM用于存放程序。容量的配置一般占满地址总线     

存贮器系统

<正> 3.1 概述 DJS 186计算机采用高速缓冲存贮器来提高对中央处理机对主存系统的访问速率。从功     

金属氧化铝半导体晶体管只读存贮器

最近,由于信息量不断增加,对计算机的大容量化、高密度、高速化、低成本的要求越来越高。为此,除了使用写入和读出重复性几乎相同的暂存器外,还研制成了只读存贮器,其用途是把固定信息多次重复读出,目前这种存贮器颇受重视。只读存贮器的特点是,写入时间此读出的取数时间长,写入用的外围电路简单,所以其造价低,而且由于只读出,故可缩短运算时间。只读存贮器不仅可做为数字表     

LSI及半导体存贮器的发展动向

一、引言 LSI,特别是MOS-LSI以及LSI半导体存贮器及微处理机工业,是七十年代电子工业的核心,已发展成为第二次工业革命的动力。 以MOS-LSI为例,已由71年的第一代PMOS4004四位微处理机(～770门)发展到亚毫微秒指令时间包括上万门电路的第三代16位μP(微处理机,下同)如Z8000、8086及MC68000等,速度由早期PMOS的上100ns单门时延经硅栅NMOS的儿十ns,降低到HMOSⅡ的0.4ns。即LSI的集成度及速度,在七十     

半导体存贮器在国产小型机上的应用

本文提出一种大规模MOS动态存贮器用于国产小型机的设计方案。对小型机与半导体存贮器的适配,奇偶校验、出错重读和交叉存取技术,以及系统工作原理作了较为详细的论述,同时,介绍了16K×16位半导体试验模块BCQ—802。     

集成联想存贮器系统

联想元件 联想存贮器单元电路示于图1。字线通常保持在+1V,位线保持于+0.5V,使其在字线上无电流。如果D_a上升到+3V,T_1饱和,则流入D_a的电流转入字线。如果T_2饱和,D_a电压升高,则无电流流入字线。电流的有     

高性能LSI存贮器系统

已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位     

MOS画面存贮器的设计

本文在总结研制X—4彩色显示器的基础上,提出画面存贮器设计的若干要点。     

高速缓冲存贮器的设计

近年来,高速缓冲存贮器(Cache)对计算机的系统结构产生了重大的影响,由于它的应用,大型慢速存贮器似能以高速缓存的速度操作,大大提高了系统的工作效率。Cache的效能基于这样的事实:当从存贮器的某个单元取得信息时,其附近的一些单元可能很快被访问,这就是所谓群集的信息。因此,使用高速缓冲器的系统是在假设使用群集信息的前提下,由硬设备控制,自     

一个虚拟存贮器的设计

一、前言虚拟存贮器VS(Virtual Storage)是存贮器系统的一项很成功的技术,为越来越多的大型通用计算机系统所采用。这是增进系统可用性和可靠性的重要措施之一。具有VS的系统特点是:·对作业提供了大于主存贮器(MM)的存贮空间。·用户作业的存贮空间与实在的主存无关,这对发展软件和应用程序尤有好处。     

多单片机系统中共享存贮器的设计与实现

本文详细地叙述了一种多单片机系统中共享存贮器的设计和实现方法，应用该方法设计的共享存贮器硬件线路简单实用，软件编程方便，具有较好的应用价值。     

磁鼓存贮器的高速开关系统

本文描述了一个选通时间小于1微秒的磁鼓存储器的内磁道选通系统。详细地介绍了线路并讨论了把选通时间减小到0.1微秒的可能性。     

80386高速缓冲存贮器的设计

Intel 80386微处理器能以每秒处理三、四百万条32位指令的持续速度工作。为发挥386全部潜力,需要一个胜能优越的存贮系统,从而使386能快速存取代码和数据。存贮系统不仅要求速度快,同时为了386能完成在许多大规模应同中存贮程序与数据的需要,存贮量要求很大。这样,系统设计者面临着提供价格合理、大容量高速度存贮器的挑战。微处理器通常使用DRAM.(动态随机存取存贮器),这种存贮器提供了价格合适的存贮,并可在上一代微处理器要求的速度     

低功率的计算机存贮器系统

引言 宇宙航行的关键技术之一是电源功率。降低功率要求以及改进电源本身的重要性日益强调。在现今的宇宙航行计算机中,存贮器系统的功率消耗约占计算机总功耗的40％到60％。这主要是由于目前磁芯存贮器大的驱动要求,或是与磁薄膜存贮器相关的读出问题所致。所以,降低存贮器的功率要求,对于延长有效的航行时间具有重大的影响。     

双极型存贮器系统取数时间分析

本文对存贮器系统取数时间的因素进行了分析,其中包括:对ECL RAM组件地址取数时间的分析;对RAM组件地址取数时间典型值的分析;对RAM组件地址取数时间最大值的分析。文章还介绍了容量、字长、集成度以及微带线的传输延迟等对系统取数时间的影响。图8幅,表3个。     

存贮器的发展与新型存贮器介绍

本文回顾了近年来存贮器件的发展概况及趋势,简要地介绍了 Flash 非易失存贮器,NVRAM、Cache 产品以及 Latch RAM 等新型的专用存贮器件。文中还介绍了 IC 芯片技术发展所遇到的一些基本极限,讨论了存贮器技术的发展方向。     

动态存贮器构成的68000存贮系统

支持68000的最大存贮容量为16M字节,已在各方面有所应用,但大部使用的是静态存贮器(SRAM)。若用动态存贮器(DRAM)构成一个存贮系统,则具有体积小、功耗少、成本低、性能价格比好的特点,为人们所注意。但与静态存贮器相比,必须在线路上安排定期进行刷新。这类刷新的电路尽管各自特点不同,但统属二种类型,一类是由 TTL 门构成的,另一类是由 DRAM 控制器构成的。本文就这二类问题作个初步探讨。     

双极型高速存贮器系统的应用

前言 对计算机系统高速化的要求越来越高,最近研制的超大型计算机,速度方面正在越过毫微秒级界限,向微微秒级进展。 FACOM M-200计算机是世界上实际使用的水平最高的超大型通用计算机。这台计算机全面采用高速LSI以及各种先进的控制,是为追求高性能而研制的机器。 可达到高性能的技术之一是采用高速缓冲