高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响

研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用.分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用.研究发现,在1200℃退火2h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多.然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10 μm.因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小.     

大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟

数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟，通过对300单晶炉内热场的数值模拟计算，得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。     

氧含量对钢中氧化物尺寸分布的影响

本文研究了钛脱氧氧含量对氧化物尺寸分布的影响。观测了连铸坯中氧化物的数量和大小，并且检验了冷却结晶过程中细小氧化物的体积分类和氧化物析出数量。试验结果如下。     

钢中氧含量对氧化物尺寸分布的影响

选用Ｔｉ脱氧钢研究了钢中氧含量对氧化物尺寸的影响，观察了连铸钢板中氧化物尺寸与数据，测量了细微氧化物的体积分数和钢水冷却凝固过程中以氧化物形式沉积的氧含量，得出如下结论：主要由Ｔｉ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＭｎＯ组成的细微复杂氧化物的数量和直径随钢中氧含量的增加而增大，钢中的氧几乎全以氧化物形式存在，即钢中氧含量几乎等于氧化物含量。钢冷却凝固过程中沉积的氧化物相当于钢中氧化物总量的７０％，并且尺寸大多小     

CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟

利用有限元分析软件对φ300mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律.随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低.随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低.随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大.通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果.     

Φ125mm硅单晶的控氧技术

Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...     

降低精炼钢水中全氧含量的研究

研究了“电炉—钢包精炼炉—连铸”工艺中电炉钢水的脱碳量，氧化期终点碳的控制、出钢过程中硅—铝—铁加入量对ＬＦ炉钢水全氧含量的影响，同时也研究了ＬＦ炉的渣量和碱度、精炼时间、终点脱氧制度等操作对ＬＦ炉精炼后钢水全氧含量的影响。     

轴承钢中氧含量的控制

本文分析了氧元素在钢中的作用及其危害,对几种常用脱氧剂的脱氧效果及产物的排除进行了探讨,并提出了几点在冶炼过程中需要注意的环节以及降低氧含量的途径。     

FZ硅单晶中氧对晶体寿命的贡献—少子复合机构的转变

本文介绍了ＦＺ硅单晶中由于氧的引入而引进晶体中微缺陷数量的变化，以及氧与微缺陷，杂质间的相互作用而形成络合物，使得硅中缺陷，杂质能级发生变化，而改变少子复合形式，从而使得晶体寿命随炎变化。提出了特长寿命中少子复合的模拟。     

隧道式密封气氛保护电阻炉氧含量的测试及研究

针对部分电池材料在烧结过程中对炉膛内氧含量的要求,通过实验分析得出隧道式密封气氛保护电阻炉炉膛内气体置换的有效方法,分析了影响炉膛内氧含量的因素,为同类设备在满足产品氧含量要求方面,从设计、生产到调试起到了重要指导作用。     

提高n型〈100〉硅单晶质量和成品率的研究

(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的速度,提升30min后取出;单晶收尾后以25.4cm/h的速度,提升1h后取出,对比这两种条件下的单晶。     

SS400连铸坯总氧含量的分布规律

对SS400连铸坯不同部位钢中总氧含量分布进行了分析,结果表明,SS400连铸坯正常坯与过渡坯的总氧含量相对较低,平均值小于0.001 5%,能够满足洁净钢要求;头坯坯头及头坯坯尾总氧含量均值分别为0.003 9%和0.002 5%,不利于洁净钢生产,对此进行了原因分析,并提出了相应措施,实施后达到了生产要求。     

300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟，模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变，以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程，考虑了硅单晶的各向异性，计算了〈100〉硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律，结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著，界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。     

脉冲红外法测定钼粉中氧含量及其分量研究

利用斜线升温，温度保持两种模式测定钼粉中氧含量，并对钼粉中几种氧存在的形式进行了计谋。     

铜液中氧含量的自动化检测

近几年来 ,随着世界有色金属冶炼技术的发展 ,国内相继引进了许多先进的连铸连轧和上引法无氧铜生产线 ,如美国南方线材公司 ,德国曼内斯曼德马克公司 ,意大利康梯纽斯公司及芬兰奥特昆普公司。这些设备的引进使国内铜的冶炼生产水平有了较大发展。但由于在引进设备的同时 ,没有配套引进过程检测技术 ,特别是铜液中温度和氧含量的在线连续检测技术 ,至使生产的铜杆在性能、质量上波动较大 ,铜杆中的氧含量无法得到有效的控制。为此 ,我们开发了一套连续测量铜液温度和氧含量的系统。１系统功能系统由５部分组成 :传感器、高速数据采集、数据…     

纵向磁场拉制硅单晶的工艺研究

用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场分布、磁场对硅单晶中杂质的分布、磁场对硅单晶中氧、碳含量、磁场对硅单晶中微缺陷等的影响。发现:VMCZ的结果与资料报导的HMCZ数据相比有较大差别。通过调整拉晶参数也只能有限度地改善硅单晶的性能。     

电渣重熔过程中氧含量的控制

电渣重熔钢锭中的氧主要来源于自耗电极中的原始氧、在电极制造和重熔时渣池上方电极表面生成的氧化铁皮、渣料带入的不稳定氧化物和电渣重熔过程中气氛中的氧,为了有效地控制电渣锭中的氧含量,必须使用复合脱氧剂对自耗电极进行终脱氧,对自耗电极表面进行处理,严格控制渣中不稳定氧化物的含量,以及降低电渣重熔过程中气氛中的氧分压.     

氧含量对钽粉电性能影响的研究

介绍了不同氧含量对钽粉电性能的影响,重点分析了钽粉在不同贮存条件下氧含量的变化及对电性能的影响,并提出了钽粉放置贮存的措施。