半导体光电特性的表面光电压谱表征

根据半导体能带结构 ,利用静电平衡条件及电荷守衡定律 ,详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法 ,给出了单晶硅的表面光电压谱 ,并由此得出了单晶硅的带隙能量     

半导体光电特性的表面光电压谱表征

根据半导体能带结构，利用静电平衡条件及电荷守衡定律，详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法，给出了单晶硅的表面光电压谱，并由此得出了单晶硅的带隙能量。     

薄膜样品X射线能量色散谱仪测试方法研究

利用能量色散谱仪(EDS)对铜基材镍磷薄膜样品进行成分分析,研究扫描电镜(SEM)不同加速电压和能谱采集率对薄膜样品所含元素定量结果的影响。结果表明:加速电压影响薄膜样品中各元素绝对定量结果,并对膜层中P、Ni元素的质量比产生一定的影响;但在相同的加速电压条件下,能谱采集率的高低对样品中各元素绝对定量结果以及膜层中P、Ni元素的质量比影响较小。     

增材制造预旋喷嘴表面高质量光整技术研究

通过进行增材制造高温合金预旋喷嘴内腔磨料流动仿真研究,优化了磨粒流抛光专用工装,开展了增材制造预旋喷嘴典型结构试验件内腔磨粒流表面光整工艺研究.通过抛光前后表面形貌对比,认为磨粒流对增材制造零件表面粘粉效应、球化效应、阶梯效应、挂渣现象以及残留支撑均有较好的去除作用,但是对基体表面凹坑内的光整效果有限,抛光后零件表面粗...     

高纯铝片抛光工艺及对氧化铝模板的影响

在多孔阳极氧化铝（Porous anodic alumina,PAA）制备过程中,为了得到更稳定的电解过程,实现高度有序的纳米孔阵列结构,对高纯铝片表面进行抛光是一个典型的、必要的步骤。为此系统研究了高氯酸/乙醇抛光液体系在不同电压（1,5,10,20V和25V）和不同时间（10,60s和180s）下的抛光工艺,以及抛光对高纯铝片表面以及PAA的影响,获得用于制备PAA模板较合适的抛光工艺,即抛光电压为10V,抛光时间为180s。     

应用表面光电压谱研究TiO_2/AS体系的表面态

采用(NH4)2SO4和TiO2为原料,制备了TiO2/AS复合材料。用表面光电压谱(SPS)表征了TiO2/AS的表面态。发现在热处理过程中(NH4)2SO4和TiO2之间发生了反应,生成了S-Ti配合物,这个表面的S-Ti配合物SPS峰的强度和IR峰的强度与处理温度有平行关系。     

不锈钢振动辅助力流变抛光

为进一步提高力流变抛光效率与抛光质量,提出振动辅助力流变抛光方法。对不锈钢振动辅助力流变抛光加工过程中,工件材料去除过程及不同工艺参数对抛光特性影响进行研究。基于振动辅助力流变抛光原理及试验,以材料去除率和表面粗糙度为评价条件,分析了抛光速度、振动频率和振幅3个关键参数对抛光影响规律。基于田口法设计试验,采用信噪比评估试验结果并得出优化的工艺参数,通过方差分析法得出各因素的权重。结果表明：抛光速度对材料去除率影响最大,振幅次之,振动频率影响最小;抛光速度对表面粗糙度影响最大,振动频率次之,振幅影响最小。在优选的抛光参数组合下,抛光速度40 r·min^-1、振幅0.35 mm、振动频率80 Hz,加工30 min后工件表面粗糙度由(80±10) nm下降至(7.1±0.9) nm,其材料去除率达到68 nm·min^-1。受振动的抛光液中粒子间发生相对相位差并形成一定的剪切速率,使抛光液产生流变效应并把持游离磨粒。在相对运动作用下对工件表面施加压力及剪切力,以塑性去除方式实现不锈钢材料去除。利用所提方法,在优化工艺参数下可有效去除不锈钢表面划痕,...     

Yb2O3纳米晶光伏性质的研究

利用紫外一可见反射吸收光语对不同粒径Yb203纳米晶进行了光吸收特性的研究，对其在300nm一500nm的宽带吸收指认为02p→Yb4f电荷转移跃迁。利用表面光电压语和场调制表面光电压语技术对不同粒径Yb2O3纳米晶进行了光伏特性及界面电子行为的研究。     

微晶玻璃研磨抛光超光滑表面粗糙度的工艺研究

研磨抛光采用浸液式定偏心锡磨盘抛光方式,研究抛光液浓度、PH值、上下研磨盘转速、抛光时间等参数对微晶玻璃超光滑表面粗糙度的影响,粗糙度的测量采用NT1100干涉仪.实验结果表明:粗糙度受PH值影响比较大;试件在低浓度弱碱抛光液中,延长抛光时间可降低表面粗糙度值并获得高质量的表面,最终测得表面粗糙度为Ra=0.37 nm.     

热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响

采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。     

多孔金字塔型黑硅电极的制备及其光电性能研究

介绍了一种不需要抗反射层的多孔黑硅的制备方法.通过两步法在n-硅上合成得到具有梯度折射的多孔金字塔型表面,该表面能有效降低硅片对太阳光的反射,对可见光区太阳光的反射率可降至2.24%,因此,有利于光电转换效率的提高.I-V曲线测试表明:多孔金字塔型硅电极的最大电流密度可达0.969mA/cm2,光电转换效率为22.3%.     

Achievement of a near-perfect smooth silicon surface

During the ultra large scale integration (ULSI) process, the surface roughness of the polished silicon wafer plays an important role in the quality and rate of production of devices. In this work, the effects of oxidizer, surfactant, polyurethane pad and slurry additives on the surface roughness and topography of chemical-mechanical planarization (CMP) for silicon have been investigated. A standard atomic force microscopy (AFM) test method for the atomic scale smooth surface was proposed and used to measure the polished silicon surfaces. Finally, compared with the theoretical calculated R _a value of 0.0276 nm, a near-perfect silicon surface with the surface roughness at an atomic scale (0.5 Å) was achieved based on an optimized CMP process.     

单晶硅片质量对太阳能电池性能的影响研究

太阳能电池硅片的质量是影响电池片转换效率以及电池组件发电效率的一个关键因素。硅片缺陷的存在会极大地降低电池片的发电效率,减少电池组件的使用寿命,甚至影响光伏发电系统的稳定性。通过对单晶硅片质量进行检测,分析少子寿命、早期光致衰减以及位错对太阳能电池性能的影响及解决方案。     

Preparation of Non-spherical Colloidal Silica Nanoparticle and Its Application on Chemical Mechanical Polishing of Sapphire

Non-spherical colloidal silica nanoparticle was prepared by a simple new method, and its particle size distribution and shape morphology were characterized by dynamic light scattering(DLS) and the Focus Ion Beam(FIB) system. This kind of novel colloidal silica particles can be well used in chemical mechanical polishing(CMP) of sapphire wafer surface. And the polishing test proves that non-spherical colloidal silica slurry shows much higher material removal rate(MRR) with higher coefficient of friction(COF) when compared to traditional large spherical colloidal silica slurry with particle size 80 nm by DLS. Besides, sapphire wafer polished by non-spherical abrasive also has a good surface roughness of 0.460 6 nm. Therefore, non-spherical colloidal silica has shown great potential in the CMP field because of its higher MRR and better surface roughness.     

电势对硅片摩擦电化学材料去除特性的影响

为了提高硅片抛光效率,改善抛光表面质量,采用电化学交流阻抗谱法实验研究了极化电势对硅片表面钝化作用的影响规律,结合摩擦电化学实验探讨了极化电势对硅片表面摩擦系数及材料去除特性的影响．结果表明,在碱性CeO₂抛光液中,对硅片施加1 V阳极极化电势能够促进其表面形成抑制腐蚀的钝化层,极化电势过高会破坏表面钝化层,过低则抑制钝化层形成．良好的硅片表面钝化层能够有效增大其摩擦系数,提高摩擦电化学实验过程中的材料去除率．     

单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展

为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向.     

8-羟基喹啉铜配合物的合成、表征及表面光电性能

采用水热合成法合成了8-羟基喹啉铜配合物(Cu(C9H7NO)2 )。对配合物进行了单晶X射线衍射 测定,结构分析表明,分子间存在的氢键将配合物连成了1D无限结构;对配合物的紫外可见吸收光谱(UV-Vis- NIR)及表面光电压光谱(SPS)进行了测定和分析指认,配合物的SPS在300~800nm 范围内呈现出正的表面光伏 响应(SPV),而且SPS响应带与UV-Vis-NIR 光谱的吸收峰是一一对应的;配合物的场诱导表面光电压光谱 (FISPS)中,光伏响应的强度随着外加正电场的增加而增强,随着外加负电场的增加而减弱。     

硅基表面无形貌改变的硫酸／过氧化氢氧化清洗

提出了一种利用硫酸／过氧化氢溶液氧化清洗硅基的方法．硅片经超声预清洗后,放入硫酸／过氧化氢溶液中,80℃下氧化清洗其表面的污染物．通过接触角检测,表征了清洗前后硅基表面的亲水性变化．通过原子力显微镜（AFM）表征了经硫酸／过氧化氢溶液清洗后硅基的表面形貌．结果显示,经硫酸／过氧化氢溶液亲水化清洗30min后的硅基表面的接触角为7．3°,显示出很强的亲水性,其表面均方根粗糙度（RMS）仅为0．03nm．因此,硫酸／过氧化氢氧化清洗法是一种硅基表面无形貌改变的亲水化清洗方法．     

多孔硅红外光激发上转换兰光特性

采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期了内峰值强度有明显的增强，这种非线性光这响应的增强，被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关，硅片初始电阻率赵低发光强度越大。