新型SOG压阻式力敏传感器的研制

本文介绍一种以玻璃作绝缘介质膜的SOG压力传感器,探讨了实现SOG材料良好键合的关键工艺,研究了以腐蚀自致停技术为核心的减薄成膜方法.结果表明,SOG传感器在高温、大压力方面颇具潜力.     

一种新型单晶硅SO I 高温压力传感器

单晶硅 SOI高温压力传感器是一种新型高性能高温压力传感器。它与扩散硅压力传感器相比有较高的工作温度 ,与多晶硅高温压力传感器相比有更高的工作灵敏度。这主要得益于它采用了单晶硅膜的 SOI结构。本文给出了这种压力传感器的工艺生产过程 ,并相对深入地讨论了各向异性腐蚀硅杯和静电封接这两道工序。介绍了此种压力传感器的工作原理。最后给出了测试结果及结论。     

单面多层结构硅微压传感器的研制

提出并利用“掩模－无掩模”腐蚀的方法形成了一种新型单面多层结构的硅微压传感器，该传感器针对用体微机械双面加工的硅压阻式压力传感器的不足，从结构上给予了改进，文中给出了理论分析和实验结果。     

多晶硅压力传感器热灵敏度漂移补偿技术

列举了几种多晶硅高温压力传感器的热灵敏度漂移补偿方法,并分别讨论了它们的原理及特点。对采用多晶硅热敏电阻器进行补偿的两种补偿方法进行了详细地分析和测试。实验表明,这两种补偿法更适用于多晶硅压力传感器。     

双E形结构硅压力传感器的研制

介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 ,制成了灵敏度和量程范围各不相同的性能优良的压力传感器     

无线传感器网络节点的加权定位研究

根据实际工程提出一种基于加权定位算法的粮库压力传感器网络模型。运用数学建模、数学分析、最优化理论知识,根据浅圆粮仓粮堆底部力场特性,提出一种加权定位算法,根据此算法构建压力传感器网络模型。对比文献中提出的几种传感器网络模型,该方法优化了传感器节点的布置,提高了监测精度。实验显示该方法具有很高可靠性和适用性。     

高温大压力传感器研究现状与发展趋势

高温环境下大量程压力测量技术在工业、航空航天、石油勘探等领域具有广阔的应用前景。高温大压力传感器是目前研究的热点。对目前几种常用的高温大压力传感器包括多晶硅高温压力传感器、单晶硅（SOI）压力传感器、硅 蓝宝石（SOS）高温压力传感器、SiC高温压力传感器、光纤高温压力传感器的工作原理、国内外研究现状以及应用特点进行了阐述。最后,对高温大压力传感技术未来的发展趋势进行了展望。     

基于SOI-MEMS工艺的谐振式压力传感器研究

提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作“H”型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明：传感器一致性良好,在500~1100hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96Hz/hPa,线性相关系数为0.999996。     

本期摘要

钢水成分传感器及其应用进展，厚膜压力传感器的温度补偿与调理方法研究，一种新型高精度压电谐振式石英晶体温度传感器，动态血糖连续测定系统，几种较新的纳米聚合物传感器     

SiC薄膜高温压力传感器

SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。     

双岛结构硅压力传感器的非线性内补偿研究􀀁

本文指出采用矩形双岛结构可以实现硅压力传感器的非线性内补偿，用一维近似模型分析计算了矩形双岛结构硅压力传感器硅芯片的应力分布及其与（１００）硅各向异性腐蚀深度的关系，指出对已确定了几何尺寸的掩膜，可以找到某一最佳腐蚀深度，使这时两对力敏电阻所受横向应力大小与其非线性值成反比，这样总的非线性零值，通过实验证实了这一结论。     

硅压力传感器的新技术

在研制压阻式扩散硅压力传感器中，除了采用常规的平面工艺以外，还需要几项特殊的、重要的新技术、新工艺，简要地论述真空静电封接技术、异向蚀刻技术以及减少层错的三氯乙烯氧化工艺等．     

压阻式微型压力传感器微型 化限制因素的研究

本文初步探讨了对压阻式传感器的微型化起限制作用的多种因素:根据(100)晶面硅片各向异性腐蚀的特点,得出了器件芯片最小尺寸与硅片厚度的关系;根据方膜和矩形膜上应力分布曲线,得出了在一定的图形位置偏差下压力灵敏度与硅膜几何尺寸的关系曲线;讨论了硅片厚度均匀性与力敏电阻尺寸对器件总尺寸的限制作用,比较了全桥结构和横向压阻X型结构对器件几何尺寸的要求。最后介绍了两种实用的微型压力传感器设计与其主要技术参数。     

Integrated SPM probes with NEMS technology

Two kinds of integrated scanning probe microscope (SPM) probes are developed. The first kind is AFM probes realized with a novel masked–maskless combined etching process. Both the nano-tips for scanning and the bending cantilevers are simultaneously formed with the masked–maskless combined anisotropic etching technique. The simultaneous formation method effectively avoids damage to the previously formed tips when the cantilever shaping is processed. The testing results for the probes show the imaging quality comparable with commercial probes. The second kind of probes is an integrated probe with both a piezoresistive sensor and an electric-heated tip. This kind of probe is used for thermal–mechanical data storage, with the pulse-heated tip for data writing and the piezoresistive sensor for data reading. Nano-sized bumps have been formed by probe scanning on PMMA thin film, resulting in a storage density beyond 30 GB/in.².     

微尖的两种制作工艺

描述各向异性腐蚀结合键合和各向异性腐蚀结合电镀来制作微尖的方法,利用这两种方法制作出了针尖直径小于25nm的金字塔形微尖,通过实验证明:这是两种有良好可控性和工艺要求不高的制作方法。微尖的成功制作为传感器微型化提供了一种很有潜力的新型检测方式,解决了检测的灵敏度问题。     

一种适用无源RFID的集成加速度传感器设计

针对射频识别（ RFID）与无线传感器网络（ WSNs）融合研究的需要,基于0.35μm CMOS工艺设计了一种集成加速度传感器。传感器单元采用从单晶硅衬底的背面进行深反应离子刻蚀工艺,背面刻蚀完成后再正面对金属和介质复合层进行各向异性刻蚀。集成电容式传感器接口电路基于锁相环原理,将传感器信号转移到频率域处理,避免了高功耗的A/D转换器的使用,直接完成电容/数字转换。后期测试结果显示：所设计的集成加速度传感器线性度好,稳定性高,功耗低,适合无源RFID及其它超低功耗应用设计。     

传感器网络安全研究

传感器网络中节点有限的能源、计算能力、存储能力以及采用无线的通信方式,使得其面临着严重的安全问题。针对传感器网络不仅有更多的攻击方式,而且可以采用的防御手段也极为有限的问题,综述了目前对传感器网络攻击的方式,并总结了可用于传感器网络的防御措施。     

Design of bossed silicon membranes for high sensitivity microphone applications

This paper deals with the design optimization of new high sensitivity microphones in silicon on insulator (SOI) technology for gas sensing applications. A novel geometry of bossed silicon membranes used as mechanical transducer has been studied by finite element modelling. Device fabrication is achieved from SOI substrates through deep backside anisotropic etching and shallow front side reactive ion etching to define a bossed sensing membrane with two reinforced areas. Thus, the influence of thin film stresses on the device performance is largely decreased. Polysilicon gauges are located on the reinforced areas to get a better linearity in pressure.