SiGe激发下一代宽带通信器件

对新的宽带通信应用和设备有着很多期望.要达到这些预期,制造商必须开发新的集成电路工艺,继续将电路性能推向更高,并使每千兆位的总成本更低.宽带通信有其独特的特性,这些特性要求已将传统CMOS工艺推向其极限,并推动了寻找新材料的竞赛,这些新材料将为高频应用提供更佳的功能,但却保持可制造性、和成本效益高的大生产所需要的性能.几种有希望的新材料是砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和锗化硅(SiGe),它们能提供优于CMOS的性能.安森美半导体仔细评估各种材料的优点并选择SiGe用于其下一代宽带通信集成电路.它具有超低噪声性能、固态器件的速度和功率特性,方便多通道集成并广泛支持传统硅处理技术.     

SiGe晶体管技术及在RF器件电路中的应用

介绍了在无线应用中的两种ＳｉＧｅ器件工艺：低压ＩＣ电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。     

SiGe材料及其在半导体器件中的应用

介绍了SiGe材料的发展历史、特性、制备方法及其在半导体器件中的应用。     

SiGe器件及其研究综述

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况,并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。     

国外SiGe器件及其应用

本文主要叙述SiGe器件的材料、制作工艺及其器件应用。     

SiGe器件及其在蓝牙系统中的应用

SiGe是目前RF半导体领域中一项非常引人关注的半 导体生产工艺。继IBM公司之后,TI公司、ST公司和Conexant Systems公司等主要的芯片供应商纷纷加入了使 用者的行列。与此同时,随着蓝牙技术在个人无线设备（尤 其是手机、头戴式耳机、笔记本个人电脑和PDA等）领域 中应用的迅猛发展,迫切需要开发包含无线及基带电路的 超低功耗芯片组。SiGe技术不仅可满足这种低功耗要求,而且还能满足 蓝牙技术应用的诸多其他要求,本文将对有关情况做简要     

SiGe泮导体技术新进展

综述了ＳｉＧｅ材料的性质、主要研究方向以及最新的发展情况，并介绍了国外ＳｉＧｅ的研究情况。     

SiGe／Si HBT及其单片微波集成电路的研究

ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ作为单片微波集成电路中的有源元件，在截止频率，增益，噪声等方面相对于ＧａＡｓ器件有很大的优势。本文结合本单位在ＳｉＧｅ材料和器件、电路等方面做过的工作，对实现ＳｉＧｅ单片微波集成电路的一些理论和技术要点作了阐述。     

New Optoelectronic Devices and Technologies for RoF

In the high-frequency microwave photonics field,Radio over Fiber (RoF) technology has become a hot topic in the development of next generation broadband wireless communication technologies.In recent years,based on new optoelectronic devices that support RoF technology,several optical generation and receiving techniques of millimeter-wave subcarriers have been developed,including external modulation,radio frequency up-conversion,heterodyning and millimeter-wave modulated optical pulse generator.The development of these technologies will no doubt quicken the pace of commercialization of RoF technology.     

硅微电子大树上的新枝——SiGe/Si器件和电路

<正> 回顾近半个世纪半导体的发展,无疑,硅材料器件及IC为代表的微电子技术起着核心作用。硅材料的超纯度、硅器件尺寸的微细度、硅IC的集成度神话般地呈现在世人面前。以“硅文化”为心脏的计算机更是改变了传统产业、社会面貌乃至人们的生活。但是,硅亦有其局限性。由于其固有能带结构为间接带隙,非平衡载流子的本征寿命比直接带隙的砷化镓大三个数量级,载流子迁移率比砷化镓低得多,这些无疑都大大限制了硅微电子技术向更高速度进军。另外硅无法实现高效率发光和激光器件,因此在光电子领域也几乎都是化合物半导体的天下。当硅微电子在90年代实现0.1μm、1Gb、一个芯片集成一亿个器件的DRAM以后,硅微电子还能有更大的发展吗?     

SiGe器件及其研究综述

阐述了ＳｉＧｅ器件的主要研究方向以及国内外对ＳｉＧｅ材料和器件的研究情况,并对ＳｉＧｅ器件与Ｓｉ器件和ＧａＡｓ器件的发展前景进行了比较。     

半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术

综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用.     

硅基片上复用—解复用技术与器件

近年来,随着云计算、数据中心的迅速发展,光互连凭借其在功耗、速度和带宽等方面具有电互连无可比拟的诸多优势,获得越来越多的关注。为了充分发挥光互连带宽优势,发展波分复用（WDM）、偏振复用（PDM）以及模式复用（MDM）等技术是一种有效途径。而将多种复用方式综合运用则可形成一种多维混合复用技术,从而显著提升光互连通道数量和传输容量。鉴于片上集成（解）复用器是实现多通道并行传输复用系统的关键器件,着重介绍总结了基于硅光子技术实现的超小型片上集成（解）复用器件的进展,包括WDM、PDM、MDM复用—解复用器件以及混合复用—解复用器件。     

SiGe材料及其在双极型器件中的应用

SiGe材料具有很多独特的性质,高性能的应变SiGe外延层能够将能带工程的概念引入到传统的S基材料中去。外延SiGe合金使得在Si基材料上制作性能优异的双极晶体管成为可能。本文回顾了siGe材料和SiGe异质结双极晶体管的最新研究进展,包括它们的结构、性能、制作工艺、优点以及未来发展方向等。     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺，分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合介质层，作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质，开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.