蚀刻设备的现状与发展趋势

概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。     

eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下工艺窗口的优化

随着设计技术进一步发展,通过以C4F6为基础的蚀刻制程气体在MERIE技术eMAX反应腔室的应用,可以扩大eMAX机台绝缘体材料蚀刻130nm及以下制程的窗口。它有比C4F8更高的对光阻和氮化硅（SIN）的选择比和更宽的蚀刻终止窗口。通过优化工艺窗口,其对SIN的选择比可以达到30：1,使得有能力蚀刻低或高深宽比的结构．大于87度角的蚀刻能力可以很好的控制CD和蚀刻轮廓。     

Tegal获得日本晶圆厂900系列蚀刻设备订单

应用于IC和纳米器件的等离子体蚀刻和淀积设备设计与制造商Tegal Corporation近期宣布,公司获得了两家日本领先公司关于Tegal900系列等离子体蚀刻设备的订单。Tegal900系列自发布以来,已经向全球半导体晶圆厂销售了1500套。Tegal900系列蚀刻设备具有一个RF二极管等离子体发射源,可以为多种薄膜实现最佳蚀刻,并具有低成本优势。灵活的圆片自动处理系统、紧凑设备占用空间和广泛的制程使得900系列蚀刻设备广泛的应用于各种领域,包括硅CMOS、无源集成器件、MEMS器件和薄膜磁头制造。Tegal为先进半导体和纳米器件供应商提供制程和设备解…     

多层板内层图形蚀刻工艺及品质控制技术探讨

该文对多层印制板内层图形制作之蚀刻工艺技术进行了简单介绍,对该制程的品质控制进行了较为详细的论述。     

多层印制板图形制作之蚀刻工艺技术及品质控制

本文对多层印制板图形制作之蚀刻工艺技术进行了简单介绍，对该制程的品质控制进行了较为详细的论述。     

自动动态补偿功能改善酸蚀蚀刻不均匀性问题

在酸蚀制程中,由于其蚀铜量较大,蚀刻线生产时蚀刻速度较慢,导致蚀刻不均匀性对线路制作存在很大影响,为改善蚀刻不均匀性的问题,采用奥宝公司专门开发的可制造性设计功能----自动动态补偿(Dynamic Etch Compensation),根据不同的间距设置不同的线宽补偿量,来确保蚀刻后线宽的一致性。     

背面通孔工艺对砷化镓滤波器性能的影响

滤波器作为微波系统中的无源器件,在现代电子通信中具有非常重要的应用.采用砷化镓无源器件集成工艺制作了滤波器,在制作工艺中重点研究了背面通孔工艺对滤波器性能的影响.首先讲述了IPD工艺,然后通过分析背面通孔不同位置的侧向蚀刻,经过测试数据的分析对比,进而说明侧向蚀刻对滤波器性能的影响.通过以上的分析结果,为后续滤波器工艺...     

论显影垃圾对内层蚀刻余铜的影响及改善

内层蚀刻余铜(或称残铜)是内层蚀刻制程中的一种常见缺陷。它会导致内层短路,引起PCB功能失效导致板件报废,是业界长期存在的一大困扰。通过研究发现,干膜显影过程中,单体、光引发剂等疏水性有机高分子会形成显影垃圾,残留在板面导致余铜,而且显影水质中Ca2+和Mg2+的含量对显影垃圾的产生有很重要的影响。本文将对显影垃圾的产生及改善进行阐述。     

多层印制电路板内层图形蚀刻技术研究

本在就多层印制板内层图形制作之蚀刻工艺技术进行简单介绍的基础上，对该制程的质量控制进行了较为详细的论述。     

印制电路板用化学镀镍金工艺探讨

本在就多层印制板内层图形制作之蚀刻工艺技术进行简单介绍的基础上，对该制程的质量控制进行了较为详细的论述。     

基于GaAs背孔工艺监控研究

在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法。在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP蚀刻后的晶圆进行裂片分析,这无疑大大增加了研发成本,裂片分析也仅仅是当前晶圆的通孔良率,且分析孔洞数量有限,本身存在局限。提出在晶圆正面依次沉积Si3N4/PI/Si3N4=600 nm/1.6μm/800 nm,采用ICP蚀刻,蚀刻气体为Cl2/BCl3,在光学显微镜(OM)20倍率下便可观察到晶圆正面第一特征蚀刻通孔印记和印记尺寸较原始尺寸单边大10μm的第二通孔特征,该监控方式节省研发成本且统计良率直观,可及时反馈通孔良率,监控产品的可靠性、可再现性。     

碱性蚀刻机理及维护保养浅谈

对碱性蚀刻机理和设备维护保养进行了较深入的阐述,就如何达到稳定一致的蚀刻线路,提高产品质量作了分析说明,并提出了建议。     

碱性蚀刻的不良分析和改善

蚀刻工艺是印制线路板制作过程中一个非常重要的步骤,怎样提高蚀刻均匀性,降低蚀刻报废,非常的重要。设计方面:不同厚度的底铜做相应的补偿;设备方面:要从喷咀类型、喷咀方向、喷咀到板距离、蚀刻抽风量、蚀刻液的喷淋压力、防卡板上控制;药水和工艺方面:要从配制子液、蚀刻母液的氯铜比、蚀刻液温度、蚀刻液PH值等进行控制;检验方面:要从首末件的确认上控制批量蚀刻不良的流出。     

浅谈蚀刻因子的计算方法

文章针对业内不同蚀刻因子的计算方法做了较详尽的分析,并结合试验验证进而提出对蚀刻因子计算方法的一点看法,对于蚀刻因子的正确运用有一定的参考价值。     

国外VLSI等离子蚀刻设备的现状及发展趋势

本文述评了国外等离子干法蚀刻技术及设备的发展概况。主要介绍了可进行亚微米图形蚀刻的磁控反应离子蚀刻及新型的电子回旋共振(ECR)等离子蚀刻技术原理和处于开发应用阶段的模块组合式蚀刻设备概况。最后讨论了几种可能进入256MDRAM时代的蚀刻技术的发展趋势。     

高精度蚀刻技术

本针对传统湿法蚀刻的固有弊端，提出了避免传统蚀刻方法固有弊端的四种高精度蚀刻。     

印制电路板的精细埋阻制作精度分析及改善

针对印制电路板中埋置电阻的设计越来越小,精度要求越来越高的现状,本文对埋阻精度的影响因素进行分析比对。通过优化电阻长度和宽度的补偿来提升电阻制作精度。并提出第二次蚀刻时按照线宽大小对批量产品板进行分组蚀刻的生产控制方法,减小产品之间的电阻值极差,以保证电阻值控制良好,并将成果应用于实际生产,0.25 mm×0.125 mm尺寸设计的电阻,产品电阻良率达到95%以上。此外还介绍了mSAP工艺提升制程能力的新工艺     

酸性CuCl2蚀刻液动态蚀刻均匀性与蚀刻速率研究

对酸性CuCl2蚀刻液在HCl/H2O2和HCl/NH4Cl两种体系下进行了水平动态蚀刻研究,分别对蚀刻均匀性和蚀刻速率进行了分析,结果表明面铜粗糙度和上下喷淋对蚀刻均匀性有很大影响,HCl/NH4Cl系统相对于HCl/H2O2系统具有更高的蚀刻速率,为工业生产提供相关的数据参考。     

氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

在半导体湿法蚀刻中,热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺,实践中发现高温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制.从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发,分析了影响蚀刻率的各个因素,并通过实验分析了各个因素对蚀刻率的具体影响.根据目前广泛应用于生产中的技术,介绍了如何对相关因素进行控制调节,为得到稳定的热磷酸蚀刻率提供了方向.     

以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的印制板蚀刻液浅谈

文章探讨了对以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的新印制板蚀刻液及腐蚀工艺。利用优化实验方法,验证了以银盐代替汞盐做催化剂的可能性,以及催化剂、温度、时间、酸度等因素对腐蚀速度的影响,获得了以银盐代替汞盐为催化剂、以（NH4）2S2O8为主蚀刻剂的新印制板蚀刻液的新配方和新的蚀刻工艺条件。