18英寸硅片时代来临？

业界对于未来半导体进步的动力，在继续缩小尺寸方面45纳米制程己量产。对于32纳米制程，用193纳米浸没式光刻机及利用两次图形成像技术，虽然成本稍高但技术上己没有阻碍，英特尔、IBM包括台积电等都声称已有试制样品。至于能否进入22纳米制程．在EUV技术可能推迟至2011年之后的情况下，业界似乎都确信，目前的光学光刻方法有可能延伸至22纳米。而对于硅片直径由12英寸过渡到18英寸，分歧则很大。     

IBM生产出首个22nm工艺SRAM芯片

IBM近日宣布,已生产出首个22nm工艺SRAM（静态存储器）单元。据国外媒体报道,SEAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备,速度更快、体积更小且技术更复杂,主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。IBM认为SEAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步。SPAM芯片将使22nm处理器性能大幅提高,并减少耗电。IBM希望,到2011年能够制造出22nm制程处理器。     

《半导体国际》光刻技术专家委员会成立啦!

10月24日．《半导体国际》光刻技术研讨会在沪顺利举办．与会者与演讲嘉宾积极互动；借此机会．《半导体国际》邀请到来自晶圆厂和设备材料供应商的光刻技术方面权威的专家．成立“光刻技术专家委员会”，以此更好地服务于中国的半导体制造产业．并不断提升《半导体国际》一年一度的光刻技术研讨会的含金量。期望在未来能够借助专家的支持和《半导体国际》这一平台，与业内的工程师和制造商共同分享半导体行业最权威的知识和最迅捷的先进技术！     

ATMI和IBM合作开发下一代半导体材料和制程技术

据Semiconductor International报道：ATMI与IBM签订了一项技术发展协议，将针对45nm及以下节点先进半导体材料和制程技术进行合作开发。该项合作将在ATMI在Connecticut州的总部和实验室以及IBM的Watson研究中心进行。     

未来半导体发展已无法依循摩尔定律

<正>近来在半导体制程微缩的进展速度逐渐趋缓下,观察未来的产业走势,明导国际(MentorGraph-ics)董事兼执行总裁阮华德(WaldenC.Rhines)表示:     

三星加大半导体制程技术研发力度

韩国三星公司最近显著加大了逻辑芯片制造技术的研发力度,该公司最近成立了新的半导体研发中心,该中心将与三星现有的内存芯片制程技术研发团队一起合作,进行新半导体材料、晶体管结构以及高性能低功耗半导体技术的研发。另一方面,三星旗下的芯片厂除了正在积极准备45nm制程芯片的量产,同时作为IBM技术联盟的一员,也在积极研发下一代32nm／28nm制程技术．     

2010决胜年ASML主攻38nm、EUV设备

全球最大半导体微显影设备业者ASML表示：目前客户订单增加相当多，但主是来自半导体业者制程微缩而非产能扩充的需求，半导体业者仍持续微缩半导体制程，摩尔定律预料将持续延续。以目前ASML最先进的浸润式微显影机种来看，新一代的机种NXT1950i也已于2009年下半年出货，未来将快速增加出货，同时深紫外光（EUV）也至少囊括5套客户订单，对ASML来说2010年将是极重要的一年。     

光源掩模协同优化的原理与应用

当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限.光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期.综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术.     

基于半导体产品多维特征可视化分析的后摩尔时代发展趋势研究

半导体产业是数字经济的基石。依靠工艺制程节点微缩化而使集成电路芯片的晶体管数量每两年翻倍的摩尔定律,已经指导和激励了至今近60年的半导体产业发展。通过类似于摩尔定律散点图的可视化,直观体现了异构集成路线中“延伸”的摩尔定律,即依靠键合间距微缩化而推动能效表现每两年翻倍;以及通过气泡图和雷达图,直观展现了半导体产品典型主体类别之间的多维度特征比较与关系权衡;基于此,阐述了后摩尔时代的三大趋势,即极高性能数字产品的三维异构集成化,极多功能泛模拟产品的复杂异质集成化,以及半导体产业与产品的持续多样化。     

《半导体国际》第三届光刻技术研讨会

光刻作为推动半导体制造技术的关键工艺一直以来备受业界的关注。近年来,随着器件尺寸的不断缩小,作为现有光学光刻技术的延伸,浸没式光刻因其能获得更高的数值孔径而实现更高的分辨率为业界所追捧,然而在以0．     

IBM、GF、三星、意法四巨头同步投产28nm芯片

IBM、GlobalFoundries、三星电子、意法半导体四家行业巨头联合宣布,他们将合作实现半导体制造工厂的同步,共同使用IBM技术联盟开发的28nm低功耗工艺生产相关芯片。据了解,这种同步模式将确保客户的芯片设计能够在三个国家的多座晶圆厂内灵活生产,无需重新设计,大大降低半导体制造的风险和成本。     

半导体制程微缩至28纳米封测厂加码布局先进封装技术

随着半导体制程微缩到28纳米，封测技术也跟着向先进制程演进，日月光、矽品、京元电、力成、颀邦等一线大厂，都加码布局3DIC及相对应的系统级封装（SiP）产能，包括硅通孔TSV）、铜柱凸块（CopperPillarBump）等。封测业者预估，最快2011年第4季可以接单量产。     

华大九天联手MunEDA布局20nm设计移植优化方案

正20 nm节点将是半导体产业生态圈的分水岭和转折点,它不仅带来半导体设备、光刻技术、封测技术等领域的诸多挑战,更对电子设计自动化(EDA)工具提出了革新性的需求。2013年28 nm芯片呈现爆发式增长,更有少数厂商将在2013年进入22 nm和20 nm时代。而先进工艺IP的移植及设计优化遇到的诸多挑战,随着制造工艺愈加复杂,尤其进入到纳米工艺制程,且新产品上市周期越来越短,如何提高设计移植效率,缩短设计周期     

KLA-Tencor为半导体客户提供高标准、高技术服务

目前最先进的半导体制程是28nm,但已经有很多公司正在进行20nm甚至是16nm的研发。半导体产业面临很多挑战,比如设计尺寸和工艺窗口越来越小,对工艺控制要求越来越高。以往的半导体制程是平面的2D制程,现在3D的工艺,比如FinFET正在走人大家的视线,制程的控制越来越难。在未来的3—4年里,DRAM和Flash也会有很多的创新,这对半导体检测和量测设备业者而言,除了带来庞大的商机外,更提出了新的要求。     

ASML推出创新光刻平台TWINSCAN NXT套刻精度及生产能力显著提高

<正>光刻巨头ASML Holding NV(ASML)公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT,套刻精度(overlay)及生产能力(productivity)显著提高,将有力推动半导体制程蓝图的前进。另外,ASML Research Review称,TWINSCAN NXT平台也适用于双图形曝光(double patterning)技术。TWINSCAN NXT平台具有创新的晶圆载物台设计,     

安智电子材料携手IBM创新半导体制程

安智（AZ）电子材料将与IBM—Almaden研究中心的材料研发团队共同开发一种以块状聚合物为基础的材料，可以应用在与传统的微影及半导体制程设备相容的定向白组装（DirectedSelf-Assembly，DSA）制程。市场预估应用奈米技术的产品到2015年将达到2．41兆美元的规模，因此降低半导体制造成本，改善元件性能是必要的。     

光刻技术与光刻机

一、简介 光刻技术(Lithgraphy)被广泛运用于当今半导体制程中.光刻技术可以用近紫外光(Near UltraViolet,NUV)、中紫外光(Mid UV,MUV)、深紫外光(Deep UV,DUV)、真空紫外光(Vacuum UV,VUV)、极短紫外光(Extreme UV,EUV)、X-光(X-Ray)等光源对光刻胶进行照射.相关波长范围如图1所示.     

新研发定向自组装技术扫清14nm节点障碍

正由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布,已经开发出一种新颖的自组装技术,该技术之前仅在实验室进行实验,但现在已经能针对14 nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。藉由解决芯片微缩过程中一项艰难的光刻挑战—即连接半导体和基板的微型接触过孔—这些斯坦福大学(StanfordUniversity)的研究人员展示了一款22 nm的实作电路,声称可朝14 nm转移,而且还能直接朝10 nm以下节点发展。     

FinFET并非半导体演进最佳选项

正在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulk high-K metal gate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMG CMOS制程。此成本问题     

迎接挑战的先进光刻技术——《半导体国际》第二届“光刻技术研讨会”

光刻是半导体制造工艺中最为重要的步骤之一，决定了整个IC工艺的技术水平。随着半导体技术沿着ITRS继续向前发展，新的先进光刻技术也逐渐从理论走向实践，与之相应的新材料的研发和应用也从未间断。光刻技术正变得更加复杂．特征尺寸的减小对于光刻是机遇也是挑战。浸没式光刻在近几年内得到了迅猛的发展，已经从实验室向大批量生产迈进．前景怎样？193纳米光刻还能走多远？先进光刻技术如何应对更小节点尺寸。