宏力半导体建国内首个O．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage,ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升,     

宏力半导体宣布成功建立国内首个0．18μm

上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”）,专注于差异化技术的半导体制造领先企业,宣布成功建立国内首个0．18μm“超低漏电”（Ultra—Low-Leakage,ULL）嵌入式闪存工艺平台。     

宏力半导体发布先进的0.18μm45 V LDMOS电源管理制程

<正>上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)专注于差异化技术的半导体制造业领先,发布基于其稳定的0.18μm逻辑平台的先进45V LDMOS电源管理制程。     

宏力半导体发布其0.13μm铝制程逻辑及混合信号工艺

<正>上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业,发布其低成本高效的0.13μm铝制程逻辑及混合信号工艺。与0.18μm技术节点相比,0.13μm可以将芯片尺寸最多缩小50%并使其提供更快的速度。宏力半导体的0.13μm铝制程逻辑及混合信号工艺可以提供通用和低压制程两个选择。     

中芯国际推出0.13μm低功耗嵌入式工艺

正中芯国际日前宣布,其0.13μm低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性存储器平台的延续,为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。中芯国际的0.13μm嵌入式闪存技术平台优势表现在三个方面:第一,强耐度:具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力,达到业界标准的三倍;第二,极具成本效益:工艺创新,使用较少的工艺步骤;第三,低漏电工艺适合极低功耗的应用并提升性能及可靠性:后段采用铜工艺(Cu-BEoL)适合需要高     

芯原和宏力半导体共同宣布0.18微米库正式发布

芯原微电子和宏力半导体制造公司近期发布了针对宏力半导体0.18微米CMOS工艺的芯原标准设计平台。该平台是一个完整的、易用的、并通过硅片验证的标准设计平台,包括标准单元库、输入/输出单元库和存储器编译器,有单口/双口静态随机存储器和扩散可编程只读存储器。该库通过了宏力流片验证并支持业内主流EDA工具,其良好的时序性、低功耗和高密度性将为宏力带来业务的显著增长。www.verisilicon.com芯原和宏力半导体共同宣布0.18微米库正式发布     

宏力半导体发布最新低成本高效率0.18μmOTP制程

上海宏力半导体制造有限公司（宏力半导体）,是专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一,日前发布了其最新的0.18μmOTP（一次编程）制程平台。该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0．18μm逻辑制程,结合了第三方OTP。采用3．3V作为核心器件,从而省去了0．18μm标准逻辑制程中的1．8V器件,因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上,所以不需要额外的制程步骤。     

华虹宏力携手硅视觉在0.11微米技术平台上共推硅验证智能蓝牙射频IP

上海华虹宏力半导体制造有限公司与硅视觉技术有限公司,一家领先的知识产权(IP)提供商,提供高性能、低功率射频知识产权,宣布携手合作,在华虹宏力0.11微米混合信号/射频技术平台上推出了蓝牙低功耗IP。这款通过硅验证的IP已被授权给一家客户,该客户应用蓝牙技术开发了无线键盘鼠标等人机接口设备。为满足集成蓝牙模块的无线MCU需求,接下来将很快在华虹宏力射频嵌入式非易失性存储器工艺平台验证这个IP。     

同方微电子携手宏力稳定量产0.13微米最小闪存存储单元SIM卡

北京同方微电子有限公司与上海宏力半导体制造有限公司近日共同宣布,同方微电子采用宏力半导体0.13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗,且生产良率稳定,产品性能突出,已大量投放国内市场。     

同方微电子携手宏力半导体稳定量产0．13微米最小闪存存储单元SIM卡

近日,专注智能卡芯片设计的北京同方微电子有限公司（以下简称“同方微电子”）与晶圆制造服务公司上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”）共同宣布,同方微电子采用宏力半导体0．13微米微缩版嵌入式闪存技术生产的SIM卡芯片出货量已超过2亿颗,且生产良率稳定,产品性能突出,已大量投放国内市场。     

一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器

本文提出了一种适应于高性能嵌入式闪存的低压灵敏放大器,通过采用电流比较技术和自动消失调技术,该灵敏放大器在低电源电压下获得了很好的性能,改善了低电流阈值窗口存储器的读取速度。基于上海宏力半导体制造公司130nm的嵌入式闪存工艺,该灵敏放大器的感应时间在1.5V的电源电压下达到了0.43ns,其感应速度比传统的灵敏放大器提高了46%     

宏力半导体发布最新低成本高效率0．18μm OTP制程

上海宏力半导体制造有限公司（宏力半导体）近日发布了最新开发的0．181μm OTP（一次编程）制程平台。     

一种应用于虚拟地闪存结构的读保护电路设计

提出了一种新型的应用于虚拟地闪存结构的读保护电路,电路采用双电压读保护技术及位线压降跟踪技术减少侧边漏电。提出的读保护电路在0.09μm的嵌入式闪存平台上实现。测试结果表明:该读保护电路可以将侧边漏电控制在0.3μA以内。     

宏力半导体闪耀亮相IC China2009

上海宏力半导体制造有限公司（宏力半导体）近日参加了第七届中国国际集成电路博览会暨高峰论坛。 宏力半导体在现场展示了差异化科技,包括逻辑、存储和电源管理技术的增值解决方案和客户定制服务。除了2009—2010年度的科技蓝图,众多观众被各种晶网及其终端应用产品所吸引,特别是代表宏力最新研发成果的0．13微米嵌入式闪存晶圆更是引起了众多客户的兴趣。     

宏力中国区营收持续快速增长

上海宏力半导体制造有限公司日前宣布依托嵌入式闪存、一次可编程和逻辑等特色工艺,中国区营收继连续五年大幅快速增长后,2012年一季度仍呈现增长旺势,并首次达到公司业务总营收三分之一强。     

莱迪思MachXO2 PLD系列为低成本低功耗设计树立了新的标准

莱迪思半导体公司宣布推出其新的MachXO2TM PLD系列,为低密度PLD的设计人员提供了在单个器件中前所未有的低成本,低功耗和高系统集成。嵌入式闪存技术采用了低功耗65纳米工艺,     

基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计

针对0.13μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。     

TSMC发布0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权

<正>TSMC近日宣布推出0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权,是TSMC第二代符合AEC-Q100产品高规格认证之硅知识产权,适用于广泛的车用电子产品。TSMC0.18μm车用嵌入式闪存硅知识产权与0.25μ     

华虹宏力:坚持技术创新 为客户创造新价值

上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称"华虹宏力"),由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成,是全球领先的200mm纯晶圆代工厂。公司在上海营运三座200mm晶圆厂,月产能总计约137,000片,主要专注于研发及制造专业应用的200mm晶圆半导体,涵盖1.0μm至90nm工艺技术节点。华虹宏力战略重点定位于高增长的细分市场,     

宏力120纳米闪存项目荣获“上海市科技进步二等奖”

2011年度上海市科学技术奖励大会日前在上海展览中心隆重召开。中共中央政治局委员、上海市委书记俞正声作重要讲话,市委副书记、市长韩正主持会议。上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力”）承担的“120纳米自对准分离栅NOR型闪存技术与工艺开发”项目（以下简称“120纳米闪存项目”）荣获“上海市科学技术进步二等奖”。