中国功率器件市场发展现状

功率器件包括功率IC和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的强大动力,电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的。IGBT是在功率MOSFET工艺基础上发展起来的产物,它是兼有MOSFET的高输入阻抗、高开关速度和GTR大电流密度特性优点的混合器件,在大、中功率应用场合已经逐步取代传统的GTR、GTO器件,它和MOSFET、MCT一起,成为现代电力电子技术中最具活力的功率开关器件。本文着重介绍IGBT——绝缘栅双极晶体管的基本构造及导电机理,并从它的基本构造出发了解IGBT的锁定问题,同时探讨IGBT在使用中的某些问题,最后简要地介绍一下功率集成电路PIC。     

IGBT在开关应用领域全面挺进

绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。     

具有超低关断能耗的IGBT

STGxL6NC60D系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）采用高效的寿命控制工艺,有效降低关断期间的能耗。该IGBT目标应用包括70～150W高频镇流器以及开关电源、功率因数控制器和其他的高频功率开关设备。该器件可将整体功率提高到一个新的水平,远胜于标准技术的MOSFET。新产品还有一个优点：     

量体裁衣选择功率器件

功率器件包括功率IC和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等,几乎用于所有的电子制造业.目前在功率器件市场,产品同质化现象非常严重,性能差异不大,价格竞争激烈.面对复杂的市场,做为采购我们该如何选择适合我们自己的产品?如何以更低的价格,买到最好的产品?     

中国功率器件市场MOSFET成亮点

在中国功率器件市场中,电源管理IC仍旧占据市场首要位置,MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管）位于第二位,大功率晶体管位于第三位,此三大产品销售额占整体市场的80％以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大,但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多,其市场销售额保持着较快的增长,是中国功率器件市场中的新兴产品。     

减小尺寸和功耗的隔离式FET脉冲驱动器

三相控制整流器和变换器,矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管,每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电路用1kHz～200kHz频率的全占空比脉冲驱动一个容性输入功率器件,如MOSFET或IGBT《绝缘栅双极晶体管)。一只变压器起隔直作用,电路在15V初级电源电压下只消耗少量功率。采用具有输入电容高达5nF的几只MOSFET和IGBT,测试满意,该驱     

了解这些 就可以搞懂IGBT

<正>绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。     

功率半导体器件的著名品牌——三菱电机电力电子器件

世界著名电力电子器件生产供应商三菱电机株式会社(MITSUBISHI ELECTRIC)向全世界供应各种功率器件,包括单管器件和模块(IGBT、MOSFET、晶体管、二极管、可控硅),近年来又率先推出智能功率模块IPM。 IGBT模块和IPM模块,是三菱电机目前着力向中国内地推广的两种优秀器件,并被广泛应     

Si IGBT和SiC MOSFET分立器件封装可靠性对比

为了明确SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命差异的原因，在相同结温条件下对上述两种分立器件进行功率循环试验。试验结果表明，SiC MOSFET的寿命大于Si IGBT的寿命。若将两组试验负载电流等效一致，则SiC MOSFET的寿命约为Si IGBT的1/4。为了揭示寿命差异的根本原因，即失效机理的探究，建立了两种器件电-热-力多物理场有限元模型并在功率循环试验条件下进行仿真，结果表明造成寿命差异的原因是Si、SiC材料与铝材料之间的热膨胀系数差异不同，导致器件在功率循环中受到循环热应力时产生的塑性应变不同。研究结果为提高SiC MOSFET的寿命提供了理论参考。     

轧机主传动快熔的作用、选型原则及失效对策

绝缘栅双极晶体管IGBT兼有功率三极管（GTR）和场效应管（MOSFET）的优点,在电子技术、电气传动、开关电源等场合有着广泛的应用。实际使用时,由于装置设计和应用时的意外原因,IGBT可能发生短路,急剧增大的集电极电流将造成器件永久性破坏。IGBT过电流的能力极差,快熔很难起到保护作用,因此现代IGBT模块内部一般都...     

功率IGBT模块测试设备校准技术研究

正引言IGBT模块集合了MOSFET器件和双极型晶体管的优点,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、元件容量大等卓越性能,在伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、交流电机控制以及逆变电路等应用中成为关键器件。     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

MOSFET曾被称为“摸死管”

功率MOSFET(MOS场效应晶体管)和将MOS技术与双极技术相结合而衍生的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是当前功率半导体器件的主流产品。然而，在上世纪60年代后期，我国研制MOSFET的初期，不管是分立的MOSFET还是MOS集成电路，都曾在安装、运输、存贮和应用中莫明其妙地发生栅击穿和阈值电压y，漂移等损坏现象。很快，对这种新颖器件就被传为“MOS，MOS，一摸就死”的“摸死管”，使它陷入可靠性和稳定性问题的困境。     

IGBT市场前景可期

正IGBT,英文全称Insulated Gate Bipolar Transistor,中文全名绝缘栅双极晶体管,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,作为电力电子技术的核心技术,是电机控制和功率变换器的首选器件。IGBT综合了BJT、MOSFET两种器件的优点,具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低、工作频率高、安全工作区宽和导通电阻小、电流密度大等特性。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。总体来说,现代电力电子器件向大功率、易驱动和高频化的方     

碳化硅器件挑战现有封装技术

碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。     

基于3300V牵引级IGBT的新一代高压变频器

1 3300V牵引级IGBT简介 IGBT（绝缘栅双极晶体管）集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术，取得巨大的进展。     

使用IGBT的90W功放

音频功放通常使用大功率晶体管或MOSFET担任末级放大,使用IGBT(绝缘栅双极晶体管)的尚属少见。本功放的末级放大管使用IGBT取得了良好效果,其输出功率大于同级晶体管或MOSFET。试验结果表明,若本电路的末级放大管使用HEXFET(六角形MOS场     

东芝电子致力推广控制交流电动机的功率模块

东芝电子元件公司分立元件部生产小信号二极管、晶体管和功率元件等多种元器件。它提供的功率元件有IGBT、功率MOSFET、GTO闸流管、IGBT模块、智能型功率模块(IPM)。     

直流不可逆数字伺服系统功率转换电路的研究

１引言在现代伺服控制中，绝缘栅双极三极管（IGBT）作为一种新型的功率转换元件，与大功率晶体管（GTR）、场效应晶体管（MOSFET）等功率器件相比，以其具有的管压降较低、所需驱动功率小、工作频率范围较广（０．５kHz～３０kHz）、无二次击穿现象等特点得到了越来越广泛的应用。当应用于不可逆伺服控制系统时，考虑到成本和简化电路，而多采用单管IGBT方式实现。利用单管IGBT驱动电机的功率电路如图１所示。调宽波控制IGBT栅极以驱动高速电机；VD１为IGBT模块中集成的快速二极管；VD２为续流二极管，当IGBT关断时为高速…