中芯国际计划在武汉兴建12英寸晶圆代工厂

中芯国际（0981．HK）计划在武汉投资，再兴建一座12英寸晶圆代工厂，武汉市预计总投资100亿元。     

水导激光技术及其在半导体中应用

目前,随着晶圆厚度越做越薄和更多的三族、五族化合物半导体材料的应用,“钻石刀”技术越来越不能满足高质量的切割要求,晶圆切割开始使用激光技术。但传统的激光切割技术容易产生碎片,同时由于热影响在晶圆表面产生微细裂纹导致晶圆的断裂强度很低。为了解决这些问题,产生了一种新的切割技术——水导激光技术。这种技术采用头发丝细的水束流引导激光至工件表面,这就好比光纤一样。采用水导激光技术起初是为了解决切口热影响的问题,但该技术在克服光束发散和去除切割产生的熔融物质方面同样具有无可比拟的优势。全面介绍了水导激光切割技术的原理及其切割晶圆的应用,特别是在化合物半导体（砷化镓）晶圆、碳化硅晶圆方面的应用。     

中芯国际与高通合作推进28纳米晶圆制造

中芯国际集成电路制造有限公司与美国高通公司日前共同宣布。中芯国际将与美国高通公司的子公司——美国高通技术公司在28纳米工艺制程和晶圆制造服务方面紧密合作，在中国制造高通骁龙处理器。高通技术公司是全球最大的无晶圆厂半导体供应商之一和全球3G、4G及下一代无线技术的领军企业，其骁龙处理器专为移动终端而设计。该合作将会提升中芯国际28纳米制程的成熟度及产能。     

三星与德国世创合建的12英寸晶圆厂量产

三星电子日前表示，与德国晶圆制造商世创合资设立的晶圆制造公司SSW（Siltronic Samsung Wafer Pte．Ltd．），已完成生产线设置并将12英寸晶圆正式导入量产，预估今年月产能为10万片，明年成长至20万片，至2010年月产能将扩大至30万片。     

硅晶圆磨削减薄工艺的磨削力模型

硅晶圆磨削减薄是一种有别于传统磨削的材料加工方式。磨削减薄过程中,硅晶圆和砂轮同时绕旋转轴旋转,砂轮沿垂直方向连续进给去除材料,其中磨削力是磨削质量的决定性因素。目前,尚缺少一个用于硅晶圆磨削减薄工艺的磨削力预测模型。为了得到磨削力模型,分析了磨削减薄过程中的硅晶圆材料去除机理,将磨削力分为摩擦力和切屑力,考虑了磨粒运动轨迹,分别计算了单颗磨粒在法向和切向上的摩擦力和切屑力,最后基于有效磨粒总数建立了总磨削力模型。模型综合考虑了磨削参数、砂轮和硅晶圆的几何参数和材料性质对磨削力的影响。讨论了砂轮进给速度、晶圆转速和砂轮转速三个主要磨削参数对磨削力的影响,讨论了硅晶圆上晶向对磨削力的影响,给出了磨削力在硅晶圆面上沿径向的分布情况。     

三星晶圆代工跃居全球第3

市调机构ICInsights最新调查，三星晶圆代工部门（LSI）2012年营收成长幅度高达98％，成长幅度同业第1，营收规模超越联电，跃居全球第3大晶圆代工厂。三星来势汹汹，2013年可能进一步超越格罗方德，距离龙头台积电脚步愈来愈近。     

高性能晶圆读码器产品线

康耐视公司（纳斯达克：CGNX）推出了高性能晶圆读码器产品家族的新品——In-Sight1720。推出了1720之后，康耐视具备范围极其宽广的照明和成像解决方案，来满足对晶圆百分之百质量跟踪的所有读码挑战。该产品系列包括以下三款：     

图像处理在晶圆瑕疵自动标记系统中的应用

针对传统晶圆测试手工标记瑕疵的不足,提出了应用机器视觉技术进行晶圆瑕疵的自动标记.首先,对晶圆图像进行预处理,提取晶圆边缘图像;其次,利用最小二乘法检测晶圆的直径.在此基础上通过坐标变换获得晶圆瑕疵的坐标,将其传递给探针台,由探针台自动将有瑕疵的晶圆剔除.最后,通过实验验证了该方法的实用性与有效性.     

晶圆预对准精确定位算法

针对IC制造工艺中传统的晶圆预对准控制系统预对准精度不高和占用空间较大的不足,提出了一种采用高精度激光位移传感器和低成本的透射式激光传感器的新型晶圆预对准系统,并结合该系统的特点提出了相应的晶圆预对准精确对位算法,而且进行了晶圆预对准重复性精度检测和实验验证.该系统用两种传感器数据融合的方式来检测晶圆的边缘,用质点系重心法确定晶圆形心和缺口位置,最终实现了微米级的晶圆预对准.该系统提高了对准算法的精度,减小了预对准台占用的实际空间,降低了成本.实验结果验证了该系统的有效性.     

三维集成电路（3DIC）技术带动对300mm晶圆的投资

大约10年前，半导体业界就已经做好了开发300mm晶圆的准备。今天，300mm晶圆已经占据了全球集成电路产品的50％。然而，虽然业界对300mm晶圆技术越来越欢迎，但研究机构（像IMEC这样的少量研究机构除外）对300mm的设备的投入却很勉强。     

台积18寸晶圆最快2015年导入量产

据报道,台积电6月11日表示,18寸晶圆会先在新竹12厂（Fab12）第6期导入研发试产线,最快2015、2016年在中科15厂第五期（P5）正式导入18寸晶圆厂的量产作业。台积电表示,由于18寸晶圆仍得看设备与大环境需求的配合,根据台积电技术蓝图,18寸晶圆最快要到2015年量产。     

三星与全球晶圆巨头结盟 台积电备战

据报道，全球晶圆（Global Foundries）及三星电子决定针对28nm高介电金属闸极（HKMG）制程进行合作，同时开放两方共4座12寸晶圆厂，让客户自由选择下单投片地点。     

尔必达在苏州建立300毫米晶圆厂满足中国市场DRAM需求

在与其中国晶圆代工伙伴分手后，日本必尔达（Elpida）在中国建立了一家300mm晶圆厂，其总体资本支出可能达到50亿美元。     

新日铁开发出低内部缺陷率的大直径SiC单晶晶圆

新日本制铁的技术开发本部尖端技术研究所成功开发出内部缺陷极少的直径100mm化硅（SiC）单晶晶圆。与一般的硅晶圆相比，SiC单晶晶圆有很好的耐热性和耐电压性，预计用于逆蛮设备、家电用功率模块、汽车用半导体元件等可提高性能降低耗电。[第一段]     

基于高精度测微仪的晶圆预对准方法

现有的基于高精度测微仪的预对准方法需交换晶圆才能够完成操作.为提高其效率,介绍了一种无需晶圆交换的预对准方法.该方法采用缺口定向先于圆心定位的预对准顺序,通过一维旋转和二维直线平移完成晶圆的定位.另外,还给出了该方法重复定位晶圆圆心和缺口的误差表达式.针对线性最小二乘圆拟合算法进行晶圆缺口拟合时计算精度不易保证的问题,提出了一种非线性晶圆缺口拟合算法,即利用Levenberg-Marquardt算法直接求解缺口边缘拟合问题.精度测试结果表明,该算法的计算误差近似为现有缺口拟合算法误差的1/2.     

CREE推迟向6英寸晶圆制造转移

据报道，近日，Ctee（科锐）公司表示将放缓向较大晶圆制造转移的步伐，目的是为了保持更高的工厂利用率及盈利水平。此前Cree已经开始了从4英寸向6英寸晶圆制造的转移，此举将有助于大力提升产量及生产力，并降低芯片价格。但Cree首席执行官ChuckSwoboda称将会推迟转移，以便控制成本。     

表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆

昭和电工宣布，成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC（碳化硅）外延晶圆（Epitaxial Wafer）。该晶圆的平滑性为0．4nm，较原产品的1．0-2．5nm最大提高至近6倍。     

世界级300mm晶圆研发制造中心公开出售

据报道，高力国际（Colliers International）旗下部门ATREG已被聘为Qimonda德国德累斯顿先进300mm生产园的出售顾问。该高度开放的生产园位于撒克逊州，拥有一个一流的300mm半导体晶圆制造厂，包括281种先进的前端半导体生产工具、     

晶圆边缘离子平均入射角度数值模拟研究

针对晶圆边缘非垂直刻蚀剖面问题,对300mm双频容性耦合等离子体刻蚀机晶圆边缘离子平均入射角度的分布特性进行了数值模拟研究。采用流体动力学模型求解等离子体宏观特性,氩气作为工艺气体,以一个射频周期内平均离子通量的矢量方向近似为离子平均入射角度,研究发现:边缘效应导致的晶圆边缘鞘层畸变是引起离子平均入射角度偏斜垂直方向的主要原因;晶圆外伸量与可利用半径近似呈负相关关系,且只会影响晶圆边缘向内约10~15mm区域的离子平均入射角度分布;上接地板半径和喷淋头半径影响范围较大,在晶圆半径超过100mm外均有较大影响;适当增大上接地板半径有利于提高离子平均入射角度的垂直性和增大晶圆的有效利用面积,而喷淋头半径在略小于晶圆半径时较佳。     

上海晶盟开始外延片生产

中国台湾太阳能硅晶圆厂合晶转投资的上海晶盟，目前已具备4、5、6、8英寸半导体外延（EPI）制造能力，结合台湾合晶与上海晶盟的硅晶圆支持，可提供客户完整外延解决方案。上海晶盟预期，2008年底可拥有20％中国大陆EPI市场份额。目前中国大陆拥有硅晶圆与外延完整供应方案的主要有宁波立立与河北普兴2家公司。