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张蕊 《激光与光电子学进展》2014,51(2):21202
用数字梯度敏感法(DGS)测量了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)板的张开型应力强度因子(SIF)。用DGS方法测量了PMMA板裂纹附近应力集中区的应力梯度(或偏转角)。此方法先用数字图像相关法(DIC)测量了透明试件裂纹尖端附近的全场位移,再根据光弹效应获得光线在透明固体应力集中区的全场偏转角,在平面应力条件下,偏转角可以与应力梯度建立联系从而获得应力集中区的应力梯度。由应力梯度场测量了裂纹尖端的应力强度因子。在应力强度因子的求解过程中提出了一种迭代最小二乘拟合应力梯度场的方法,此方法可同时得出应力强度因子与裂纹尖端位置。将实验结果与理论值进行了比较,结果显示数字梯度敏感方法准确地测量了复合型应力强度因子。 相似文献
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本文主要研究用焦散线方法求解裂纹尖端应力强度因子,扼要介绍了焦散线法基本原理,并对单边裂纹拉仲板条的应力强度因子进行测量,与理论值相比较,符合得很好。 相似文献
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本文运用断裂力学法分析塑料焊球阵列封装(PBCA)的爆玉米花现象,专门对封装粘片中发生的裂纹,粘片中的裂纹增大以及焊料掩模和铜之间界面处裂纹增大进行研讨,通过两种方法(裂纹尖端开度位移法和有效裂纹闭合技术)确定裂纹尖端参数,诸如应变能释放率,应力强度系数及不同裂纹长度的相角。 相似文献
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针对OLED面板COF(Chip on Film)连接过渡区在弯折过程中易发生金属走线断裂的问题,本文对金属走线中裂纹的扩展机理以及抑制裂纹扩展的方法进行了研究。基于复合材料界面裂纹偏转与穿透理论分析了金属走线与有机光阻界面处的裂纹扩展方式,比较了两种金属走线结构在裂纹扩展过程中的应力强度因子变化。仿真结果表明,金属走线与有机光阻的裂纹倾向于沿垂直走线的方向扩展,裂纹沿着界面扩展的趋势很小。对比两种不同金属走线(环状与条状)的应力强度因子发现,环状金属走线内部靠近孔处的应力强度因子降低了95%,能有效抑制金属走线中的裂纹扩展。 相似文献
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本文以弹性理论为基础,通过全息干涉实验,确定θ=0°时各点的r值和n值以及无限远处的n值,从而可以确定应力强度因子,同时可以显示裂纹尖端的应力状态分布。 相似文献
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激光切割液晶玻璃是一个复杂的激光与材料相互作用的过程。在使用热裂法切割液晶玻璃时,裂纹尖端的应力强度因子(SIF)的大小是决定裂纹是否扩展的关键。使用热权函数技术计算了激光切割过程中裂纹尖端SIF的大小,与断裂判据相比较判断裂纹的扩展情况。研究了激光功率、光斑半径、切割速度和裂纹长度对切割过程中裂纹尖端SIF的影响,结果表明激光功率越大、切割速度越小、光斑半径越小时,裂尖SIF的增大速度越快、峰值越大以及不同裂纹长度下裂尖SIF的增大速度和峰值也不同。并通过实验进行验证,说明了该技术的可行性。 相似文献
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设计了一种复合模式界面开裂测试装置,通过改变加载臂长来实现作用在试样裂纹尖端的不同应力模式。以试验测得的临界载荷及对应位移、裂纹扩展长度为条件,建立与测试装置对应的有限元模型,计算裂纹尖端模式角及在此模式角下的临界能量释放率。结果表明,装置所测试的模式角为7°~78°,以此为参数,可预测微电子封装界面强度。 相似文献
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利用ANSYS有限元分析软件,分析了在温度循环条件下没有焊层裂纹缺陷的IGBT模块和有焊层裂纹缺陷的IGBT模块的应力和应变分布.仿真结果表明:热应力主要集中在芯片和焊层接触的四个边角处以及芯片和塑封体接触的四个边角处.当纳米银焊层有裂纹缺陷时,在裂纹尖端处会出现应力集中现象,增大焊层所受的应力值;温度从低温增加到室温... 相似文献
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The article describes a model representation of radar probing data in form of a mixture of background and target samples, which is the sum of two random variables with very different parameters. For model development we research the behavior of the central moments of the distribution mix without assuming the distribution law form. An example it is described the detection of the signal at the output of compression system of chirp ionosonde. 相似文献
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解决IP网QoS问题是目前通信领域的研究热点之一.虽然研究已经取得了一定的进展,但人们对于IP 网QoS本身的含义及相关的问题还有着不同的理解.本文将从IP网QoS的定义入手讨论相关的一些问题以及解决IP网QoS问题所做的各种努力. 相似文献
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《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1968,56(6):1024-1032
Assuming that visual responses are due to the action of particles on the membrane of the visual cells, the stochastic variability of the response should be a function of the number of particles producing it. Quantitative predictions can be made with the aid of a model proposed in previous articles. It is found that responses produced in visual cells of Limulus by absorption of a single photon have the stochastic properties which would be expected if the response to one photon were brought about by 25 particles. It is concluded from this that the processes leading to visual responses produce multiplication of particles. The effects of temperature and of metabolic poisons suggest that these processes are of chemical nature. 相似文献
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By means of exact conformal mapping method we have defined character of dependence of squares amounts of angular part of film
element on angled part dimension. We propose relations, approximating obtained dependence. Calculation results and experimental
researches of large-scale models are represented. 相似文献
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Moshrefzadeh R.S. Radcliffe M.D. Lee T.C. Mohapatra S.K. 《Lightwave Technology, Journal of》1992,10(4):420-425
The temperature dependence of refractive index of polymer films was determined for a number of slab waveguides by a grating coupling method. This dependence was examined as a function of parameters such as molecular weight and glass transition temperature of the polymer. Temperature-induced changes in N TE-N TM , N being the effective index, were studied systematically for different slab waveguide compositions. It is shown that with proper device design and choice of polymeric materials, thermal effects can be reduced 相似文献
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罗晓羽 《信息技术与标准化》2008,(6):37-39
论述了推进电子行业标准制修订项目计划管理信息化的必要性.并提出了具体措施;详细介绍了电子行业标准制修订项目计划管理数据库的设计思路和实现方法.阐述了对后续工作的几点思考. 相似文献
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对影响镍镀层内应力的因素做了介绍和分析,提出了对收缩应力的一种解释,提供了排除这些因素影响的方法,指出重视镀液的管理是减少各种影响内应力因素的主要办法。 相似文献
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A. M. Emel’yanov 《Semiconductors》2010,44(9):1134-1139
A method for analyzing the luminescence spectra of semiconductors is suggested. The method is based on differentiation of
the spectra. The potentialities of the method are demonstrated for luminescence in the region of the fundamental absorption
edge of Si and SiGe alloy single crystals. The method is superior in accuracy to previously known luminescence methods of
determining the band gap of indirect-gap semiconductors and practically insensitive to different conditions of outputting
radiation from the sample. 相似文献