世界硅材料市场述评

硅材料是半导体材料工业的基础，近年来市场需求不断增加，至本世纪末仍将保持稳定增长。目前硅单晶材料仍以１５０ｍｍ硅片为主，２００ｍｍ硅片的用量已扩大至总用量的１６％，产品供不应求，导致了全球性的建厂热潮。今后的发展方向是生产３００、４００ｍｍ甚至更大直径的晶片。生产硅片的原料多晶硅严重短缺，１９９６年将有所缓解。最后对１９９６年和１９９７年硅材料市场进行了预测。     

上海硅材料厂依靠技术创新发展Φ150mm腐蚀硅片

瞄准国际水平 ,积极开展技术创新是上海硅材料厂发展半导体硅材料的思路和原则。去年 ,上海硅材料厂将近年自行开发成功的硅片背面软损伤技术、降低硅片体内金属杂质退火清洗技术和降低硅片翘曲度技术成功应用于Φ15 0ｍｍ腐蚀硅片生产。这一年 ,Φ15 0ｍｍ腐蚀硅片产量达 770 42片 ,全部出口 ,实现销售收入 (加工费 ) 5 40万元 ,销售利润 16 0万元 ,创汇 46 2万美元。产品达到如下主要技术指标 :型号〈111〉 ,电阻率径向变化 <10 % ,氧含量 30 5±2ｐｐｍａ ,碳含量 <1ｐｐｍａ ,氧化诱生堆垛层错(ＯＩＳＦ) <2 0 /ｃｍ2 ,直径 15 0± 0 …     

半导体硅材料展望与设想

本文论述了半导体硅材料的发展特点与趋向。超纯硅的重点在于工艺改革,国外许多公司致力改进西门子工艺设备,研究开发低成本多晶硅新工艺、方法,筹建、扩建大型硅厂等,以降低成本、扩大产量为主;硅单晶侧重工艺设备改革,各国竞相研制现代自动化大直径单晶炉,以增大直径,提高质量为主,研究集中在控制氧含量、降低碳含量、消除微缺陷和提高电阻率微观均匀性等方面;硅片精细加工是发展LSI关键步骤,已成为八十年代发展的新动向,提高表面平整度和制备无损伤表面尤为重要。文中侧重指出提高硅材料质量、削减成本和扩大产量的途径与技术措施。为迎接我国LSI大发展的到来,我们在调研基础上,提出加速发展我国硅工业的十项改革建议,试图形成一个各环节协调发展的、具有我国特色的“硅洲”的设想蓝图。     

世界半导体硅材料发展现状

从市场、技术和产业化的角度论述了世界半导体硅材料的发展现状和趋势。主要表现为：半导体行业新的一轮高速发展逐步形成，将极大带动半导体硅材料的发展；单晶硅大直径化稳步推进，300mm渐成主流；伴随着太阳能电池用硅量的增加，多晶硅的供应由过剩转为短缺，但长远看有望逐步达到平衡。     

世界硅材料发展动态

当前，世界硅材料市场的发展趋势主要表现为：半导体行业新的一轮高速发展正在形成，大直径化稳步推进，但Φ２００ｍｍ时代比预期的更长；外延片正成为市场的新宠；由于价格下降造成的业绩劣化已经得到缓解；多晶硅连年的库存积压使得多数工厂开工不足。     

中国硅材料工业如何提高竞争力

创造200mm硅片市场硅片工厂必须上规模扩大分立器件市场我国半导体硅材料事业经过40多年发展,取得了相当大的进展,1996-2001年国内半导体材料销售额平均年增长率为26%,家预计“十五”期间仍将有21%的高速发展。然而,我国的硅材料产品在国际市场上占有多大的份额?怎样才能提高国际竞争     

半导体硅材料的高速发展

半导体硅材料的高速发展北京有色金属研究总院万群自１９９３年以来，以硅片为代表的半导体硅材料以两位数的年增长率在高速地发展着，至今方兴未艾。这种发展的背景、特点、趋势都是大家所关心的问题。－、市场现状及前景硅片的用途就是制作半导体器件，其中８０％左右是...     

固结磨料切割Φ200 mm硅单晶表面损伤研究

研究电镀刚石线在多线切割过程中对半导体硅材料的去除机制与表面损伤情况，在不同的钢线速度下对Φ200 mm硅单晶进行切割实验，并对切割的试样与切屑进行扫描电镜（SEM）测试，观察试样的表面形貌和切屑的形貌，分析半导体硅材料的去除机制与硅片表面不同位置的粗糙度及损伤深度。结果表明：电镀金刚石线切割硅晶体时，线速度越高，进给速度越小，硅晶体材料越容易以塑性方式加工；固结磨料切割后的硅片表面，沿着工作台进给方向，表面粗糙度先增大再减小，硅片中间位置粗糙度最大。钢线入线位置的损伤层最深，且随着切割深度的增加，表面损伤层深度逐渐减小；沿着钢线往复运动的方向，两侧边缘位置粗糙度比中间小，钢线前进侧损伤层深度比回线侧深；进给速度一定时，硅片相同位置表面损伤层深度随着钢线速度的减小而增大。切割后的硅片表面由于局部切削热应力分布不均匀导致有微裂纹产生，相同进给速度时，线速度越高，切割后硅片相同位置表面微裂纹越窄，反之表面微裂纹越宽。     

1997年世界钛加工材市场现状及展望

1997年，可以说是世界钛工业自1990年以来从低迷走向繁荣的时期．与前几年相比，在需求量不断增加，钛生产厂家产量迅猛增长的繁荣形势下，世界钛工业在供求关系、价格和格局上更加趋于稳定；各大钛材加工厂在保持利润增长和去年交货期水平的同时，铁材价格稳中略有升幅．钛材需求仍主要以民用客机和高尔夫球杆等为主．世界铁工业格局仍保持美、日、独联体三足鼎立的垄断局面．近3年世界钛主要生产国的生产状况如表1所示．1世界钛加工材企业现状1997年世界钛加工材产量比1996年增长15o／o见表人在保持稳定增长的同时，各大钛材加工厂间的竞…     

西门子法生产纯硅工艺流程的发展

一、前言西门子法制取高纯硅的技术出现以来发展很快,60年代中期到现在该法在生产纯硅领域里一直占据着统治地位,所生产的纯硅从质量到数量都能适应半导体器件发展的需要。随着半导体器件的发展,硅材料的需要量迅速地增长,从60年代起高纯硅的增长率几乎一直高达15%以上,1973和1981年出现过二次高峰,1983年世界多晶硅产量已超过     

用SPV法对影响硅片少于寿命因素的研究

随着IC工业的发展,对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度是影响寿命及内部金属沾污的三个重要因素。     

硅中氧行为研究的新进展

本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的因素，即硅中氧行为，如硅中氧施主，氧沉淀及其衍生缺陷，硅片中的吸净层，硅片中的氧与翘曲的成因机制等，作了概要介绍。     

硅中的缺陷和硅片热处理

本文评术了近年来着重研究的ＣＯＰ、ＬＳＴＤ、ＦＰＤ和ＢＭＤ等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷，提高ＧＯＩ合格率的实验结果。研究表明，硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。     

晶体硅太阳能电池用硅片制备工艺及关键技术

多晶硅片或单晶硅片是光伏产业链中太阳能电池片生产的基板材料,近年光伏产业的迅猛发展极大促进了硅片制造技术和装备的飞速发展,文章介绍了当前晶体硅太阳能电池用硅片制备的主要工艺,并对其中的关键技术及发展状况进行了论述。     

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化，并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明。双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同，从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固，液混合接触区时，协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系，使之达到平衡，可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。     

从玻璃熔窑的材料选择看其行业的技术进步

玻璃熔窑是常用的热工设备。近几年来,随着玻璃熔窑内衬耐火材料选择的发展,玻璃工业也取得了长足的进步,而对耐火材料的要求也越来越苛刻。在这种情况下,只有少数企业能生产出符合要求的耐火材料,他们生产的耐火材料技术指标比现有的国家标准更高,正是这些大型企业生产出满足了玻璃熔窑使用条件的耐火材料,材料成本和稳定的质量这两方面实在是难以取舍,本文就近期涉足省内某企业建造中型玻璃熔窑的材料选择,看其该行业的技术进步和我省耐火材料工业发展滞后的实际状态。     

世界耐火材料的新进展

根据１９９５年在日本召开的联合国际耐火学术会议发表的论文，综述了近年来耐火材料的进展一些新型耐火材料，如“陶瓷杯”材料、高性能ＭｇＯ－Ｃ材料，Ａｌ２Ｏ３－Ｃ，Ａｌ２Ｏ３－Ｃｒ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３－Ｃｒ２Ｏ３－ＺｒＯ２，ＭｇＯ－ＺｒＯ２耐火材料等在钢铁工业，建材工业，石化工业的应用。     

化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响.实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着Fe离子,而当酸腐蚀硅片表面经过SC-1溶液处理后,表面亲水性增...