ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率

采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200～500 nm、腐蚀深度约200～400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。     

镍基高温合金定向粗化行为的有限元分析

镍基高温合金广泛应用于燃气轮机的叶片、涡轮盘和燃烧室等高温部件．针对镍基单晶高温合金的服役条件和结构特点,采用有限元方法建立数学模型,有限元分析时用热膨胀系数代替正负错配的选择,用柔度矩阵的计算表达单元各向异性,并计算静水压力（hydrostatic pressure）及等效应力（von Mises stress）分布,研究负错配的情况下镍基高温合金在[111]取向上受载时γ’颗粒的定向粗化行为,结果表明γ’颗粒的粗化方向及形态依赖于应力轴取向．     

脉冲电流对一种镍基高温合金γ’相粗化行为的影响

对一种镍基高温合金进行脉冲电流处理,研究了脉冲电流与时效处理过程中γ’相的粗化行为．结果表明,与相同温度时效状态相比,脉冲电流条件下合金中γ’相的长大速率显著增加．脉冲电流下γ’相的粗化遵循Lifshitz—Slyozov—Wagner理论,与时效过程中γ’相粗化激活能相比降低64．3％．脉冲电流处理过程中,脉冲电子流加剧合金原子自身的热振动,使原子处于相对高能状态,降低合金中原子跃迁激活能;脉冲电流初期由于瞬时升温而形成热应力,提高合金中的空位浓度,加速合金中的原子扩散,促进γ’相的粗化．     

对旋转镦粗钳口凸轮表面曲线和位置的探讨

本文从理论上对渐开线及渐开线以外的其他曲线进行了有针对性的定性分析。给出了锻造操作机旋转镦粗柑口上凸轮的表面曲线及二凸轮的理论相对位置。     

ITO表面改性对有机电致发光器件性能的影响

采用乙醇、氧等离子、NaOH、浓硫酸分别对氧化铟锡薄膜进行了处理;利用原子力显微镜、X-射线光电子能谱、接触角测试仪对处理后薄膜的表面形貌、化学组分及表面能进行了研究。实验结果表明经浓硫酸和NaOH处理后的氧化铟锡薄膜表面具有较低的粗糙度、较小的表面颗粒半径、较低的碳污染以及较高的表面能;另外,以不同材料处理的氧化铟锡基片为阳极采用真空热蒸发法制备了双层结构发光器件ITO/NPB/AlQ/Mg:Ag/Ag,并对器件的电流-电压(J-V)、亮度-电压(B-V)特性以及效率(η)进行了测试和分析,结果表明乙醇处理基片做制备器件性能最差,而经浓硫酸、NaOH处理后的氧化铟锡基片所制备的双层器件的光电性能优于氧等离子处理,其启亮电压更低,发光亮度及效率更高。     

新型表面再构的倒装AlGaInP LED

研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形成类金字塔的表面结构,使不同角度入射的光有更多的机会出射。比较了表面再构LED与常规LED的电、光学特性,在注入电流为20 mA时,经过表面再构LED的轴向光强和输出光功率是常规LED的1.5倍,表面再构后大大提高了LED的外量子效率,减少了LED内部热量的积累,提高了LED芯片的可靠性。     

表面活性剂对非织造布表面再润湿性的改善

本文通过测量吸附了表面活性剂的非织造布表面的再润湿时间,发现表面活性剂在非织造布表面的吸附提高了其表面再润湿性,但阴离子型和非离子型表面活性剂的表面改性效果优于阳离子型表面活性剂。涤纶非织造布在表面活性剂溶液中处理时间越长,表面再润湿性提高越多,但超过某值后表面再润湿时间不再变化。一般,当表面活性剂溶液浓度大于ＣＭＣ后,非织造布表面的再润湿性才有根本改善,但ＬＡＳ特殊。在中性ｐＨ值时（水中）,阳、阴、非离子表面活性剂的吸附都经历三个区域,只是ＣＭＣ值不同。纤维越细、结构越松的非织造布表面再润湿性越好。     

硅溶胶的表面性质和二氧化硅的晶化

本文讨论了硅溶胶的形成机理,结构特征、表面水和表面羟基的存在形态以及在高温蒸汽作用下二氧化硅的晶化问题。     

Ni纳米粒子掩膜用于提高GaN基LED出光率的研究

以无水乙醇为溶剂、柠檬酸为分散剂,用超声分散技术配制Ni纳米粒子分散液;将分散液用旋涂的方法在GaN基发光二极管(LED)的ITO电流扩展层上制备单层Ni纳米粒子掩膜,采用ICP(inductively coupledplasma)干法刻蚀技术在ITO层上制作出表面粗化的结构。在20 mA工作电流下,与普通GaN基LED相比,这种ITO表面粗化的GaN基LED芯片发光强度提高了30%,并且对器件的电性能影响很小。结果表明,该表面粗化技术是一种工艺简单、成本低和能有效提高LED发光效率的方法。     

图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。     

考虑路面不平的牵引力控制系统

分析了路面不平对牵引力控制系统的影响,提出了基于车轮加速度的路面识别方法,在此基础上提出了考虑路面不平度的牵引力控制算法。应用MATLAB建立了仿真模型,通过对不平路面的牵引力控制算法进行的仿真结果表明,考虑路面不平的牵引力控制系统能够识别路面不平,并能有效控制驱动轮的过度滑转。     

一种基于表面微结构提高LED光提取率的方法

针对提高发光二极管（LED）光提取率问题,利用LED的发光和表面等离子原理,采用严密耦合波计算方法,在LED表面添加金属周期性亚波长微结构,使表面等离子体耦合的逆过程向另一侧低折射率介质（空气）中辐射出可见光,可增加入射光提取。对不同周期的金属微结构进行模拟,结果表明,金属表面薄膜厚度对表面等离子体产生的影响在临界角25°～40°范围内,微结构不仅使表面等离子再次耦合为透射光,而且还增大了共振峰的深度与宽度。     

衬底材质及表面粗糙度对SnO2薄膜结构的影响

SnO2透明导电膜的光学、电学特性与它的结构密切相关，研究了衬底材质及表面粗糙度对薄膜结构的影响。结果表明：衬底材质影响薄膜晶粒大小、致密度及优势面；表面粗糙度影响薄膜结晶难易程度和致密度。     

衬底材质及表面粗糙度对SnO2薄膜结构的影响

SnO2透明导电膜的光学、电学特性与它的结构密切相关.研究了衬底材质及表面粗糙度对薄膜结构的影响.结果表明:衬底材质影响薄膜晶粒大小、致密度及优势面;表面粗糙度影响薄膜结晶难易程度和致密度.     

表面粗糙度的标注

本文对GB/T 1 31 -934.1 4.2的机械图样中表面粗糙度符号标注部分进行详细研究 ,发现在标注表面粗糙度符号时不能正确理解和使用标注方法 ,提出在GB/T 1 31 -934.1中增加表面粗糙度符号可以标注在尺寸线或其延长线上的内容及相应的图例 ,这样就能正确地使用GB/T 1 31 -934.1标准。     

表面粗糙度的光学在线检测

本文提出一种测量表面粗糙度的光学方法.根据Beckman电磁波散射理论和Fourier技术,使用CCD阵列采集光信号,通过软件方法,统计虚拟的楔环光能量,从而得到粗糙度的大小.测得的精度达到0.01μm,并能在线测量.这种测量方法的检测范围在0.01～0.90μm.测量的示值误差小于±10%,重复测量误差小于±5%,一个试件的平均测量时间小于5s.测量系统具有结构简单,体积小,成本较低,不损伤被测件表面的优点.由于测量对试件平台的震动不敏感,以及计算机处理的快速性,这种方法可用于在线检测.     

基于可见光通信的LED载流子清除电路设计

可见光通信由LED附加高低脉冲驱动电压来发射光信号,随着发射速率增高,LED正偏脉冲电压负跳变瞬间,结电容仍聚集大量的过剩载流子,存在微弱的复合发光,LED也就无法完全熄灭,影响LED的光通信性能.为解决这一问题,提出一种低成本、快速清除载流子的LED驱动改进电路,在LED熄灭瞬间,使之接入短路回路,从而快速释放载流子,进而快速降低LED端电压.实验表明,改进电路使得发射端电压波形下降沿时间从传统电路的约200 ns下降为15 ns,接收端电压下降时间从85 ns下降为约58 ns,系统性能得到提升.     

粗糙度对微细通道内流动特性影响的实验研究

对几何特性相似而粗糙度不同的3种不锈钢矩形微槽内水、乙醇和正己烷的流动特性进行了实验研究．研究发现,在层流区随着雷诺数（Re）的增大,摩擦阻力常数fRe也缓慢增大,与传统理论的fRe是常数不同,且相对粗糙度越大,fRe值也越大．对于相对粗糙度较小（k／Dh〈3％）的两种微槽转捩Re均在1685～1760之间,与传统理论相比,转捩并未提前．但相对粗糙度为3．15％的微槽的转捩Re数为1500,与传统理论相比,转捩已提前．层流区摩擦阻力系数均高于传统理论预测值,相对粗糙度较小（k／Dh〈3％）的两个微槽的摩擦阻力系数在Re〈1600的层流区域基本相同,但在Re=200～2800的测量范围内,相对粗糙度大于3％的微槽的摩擦阻力系数均比相对粗糙度小于3％的微槽的要大．过渡区域的摩擦阻力系数均比传统预测值高30％～40％．工质极性对摩擦阻力的影响很小．