注氮硅的光学性质

用红外吸收光谱、拉曼光谱、反射光谱、椭偏光法等研究了注氮硅的光学性质.注入条件为(1×10~(14)-1×10~(17))N·cm~(-2),70keV.研究结果表明:氮的电激活率很低,这与氮-硅原子间的络合以及残留的注入损伤有关.当注氮剂量≥1×10~(16)N·cm~(-2)时,实验结果表明,形成了无定形 Si_3N_4或硅氮络合物颗粒团.与此相联系,氮经热处理后不易产生外扩散.800℃,1小时退火,损伤也不易消除.注氮剂量约为1×10~6 N·cm~(-12)时,注入层的损伤纵向分布具有如下特征:表面层有一层很薄的紊乱区,之后有一轻损伤区,最后为饱和损伤区.在饱和损伤区与衬底之间存在较陡的边界.     

InSb吸收型光学双稳态

前文~[1]报道CO激光通过 12Kinsb晶体的透过率相位型光学双稳态结果。那是在导热条件良好，而且入射泼光功率密度也不十分高的情况下得      

快启动节流致冷InSb探测器组件性质

介绍了快速启动节流致冷光伏ＩｎＳｂ红外探测器组件的特性、参数的测试方法，各类环境试验，指标与方法、以及对组件的性能质量的考核，并对该组件的质量状态作出评价。     

InSb色散及增强吸收光学双稳性

我们利用～320μm厚的lnSb标准具在近90K低温下获得了色散光学双稳性。入射光源为连续CO激光器,波长λ～5.59μm。双稳开启功率近400mW.样品的二表面是自然反射R～0.3。实验还分别得到增强吸收双稳性和色散与增强吸收双稳并存的现象。这是迄今为止在lnSb中实现这种并合双稳性的     

InN的光学性质

对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.     

InN的光学性质

对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.     

注模塑料光学零件的加工

塑料光学零件的应用日益广泛，这是因为光学设计工程师们发现了许多用塑料零件控制光的方法。塑料光学零件和系统在工业和医学等领域有着广泛的应用，其中包括外科手术仪器，诸如腹腔镜、关节检查镜、膀胱镜及一次性使用的医用器具，如血样分析仪等。在显示器、夜视目镜和各种头盔式显示器中的成像系统，电视会议用的摄像机和显微镜中；以及各种消费电子产品，如袖珍光盘和数字光盘回放机等装置中；在显示器投影仪、条形码激光扫描系统、生物测量防护系统、烟雾探测器、自动控制抽水马桶冲水阀系统、光谱仪、粒子测量仪和光学解码器等，塑料…     

1.5K近毫米波段InSb复光学常数的测量

工作于液氦温度的InSb过热电子探测器是在亚毫米波和短毫米波段最有用的直接探测器之一。为改善该探测器的性能,以适应等离子体电子回旋辐射测量的要求,我们需要知道液氦温度下4～40cm~(-1)波数范围InSb复光学常数,至今为止文献上还没报道过这些数据。InSb对上述频率范围电磁波的吸收是很强的。色散傅里叶光谱方法可能是测量这种材料光学系数最合适的方法。由于我们没有色散傅里叶光谱仪,因此采用了另一种方法。     

罗丹明染料的光学性质

1、前言岁丹明系列染料由于它的化学稳定性好,荧光量子产额高是大家都很熟悉的激光染料。近年来罗丹明染料除了作为激光染料以外,在其它方面也获得了广泛的应用。这里就作为罗丹明应用基础的光学性质作一简单介绍。     

InSb非线性F-P标准具的室温光学双稳性和不稳定性

用TEA CO_2激光器输出的脉宽为100ns(FWHM),波长为10.6μm的激光脉冲,在室温下入射InSb F-P标准具,得到了双光子机制的光学双稳性。从非线性F-P标准具理论出发,对上述过程进行了计算机模拟。在相似条件下,改用高斯光束入射,发现由此形成的自散焦效应,使输出产生明显不稳定。     

半导体氮化物AlInN的光学性质

测量了AlInN薄膜(包括InN和AIN)的透射和反射光谱,结合四层透射和反射模型得到AlInN的一系列变温光学性质,包括吸收系数、能带带隙、乌尔巴赫带尾参数、折射率等等.采用一套经验公式,描述InN薄膜在本征吸收区和乌尔巴赫吸收区的吸收系数.发现带隙以下,AIN薄膜的折射率遵守Sellmeier经验公式.用基于态密度...     

掺碳氮化镓的光学性质

利用喇曼光谱和光致发光谱,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究.结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高,喇曼谱出现蓝移,E1(LO)声子的Raman强度变弱.同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱,这与掺杂碳的自补偿效应有关.高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降.     

乳浊液非线性光学性质研究

本文利用单光束扫描法，对乳浊液中产生非线性光学现象的两种起源进行了研究，从而确定了它们各自对折射率变化的贡献，并对油／水和水／油两种乳浊液非线性光学性质进行了比较。     

掺碳氮化镓的光学性质

利用喇曼光谱和光致发光谱,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究.结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高,喇曼谱出现蓝移,E1(LO)声子的Raman强度变弱.同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱,这与掺杂碳的自补偿效应有关.高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降.     

溅射GaAs薄膜的光学性质

GaAs薄膜由射频溅射法制备。采用高纯Ar气作为工作气体,衬底有高纯Si单晶,GaAs单晶,兰宝石以及在硅单晶上预先生长一层几千埃厚的SiO_2膜等多种,GaAs靶有掺杂与不掺杂两种,掺杂靶的杂质浓度为10~(18)cm~(-3),衬底有加热装置,以控制薄膜沉积的温度。改变衬底及靶种类,改变衬底温度和阳极电压,便可获得一系列生长条件不同的样品。通常GaAs薄膜的厚度在5000(?)以上。     

管状激光介质的光学性质

针对管状激光介质的热透镜效应,提出“C1判据”和“热感应光线主轴”的观点;推导了二维光线矩阵和热透镜焦距;并指出提高光束质量的主要方法。     

了解空间尘埃的光学性质

在宇宙空间中 ,气体分子和尘埃颗粒处处在星球之间游移。为更好了解尘埃颗粒如何响应空间条件 ,美国航天局马歇尔空间飞行中心的研究人员已在尘埃等离子体实验室建造了一台仪器 ,能在近真空中悬浮个别的尘埃颗粒。一旦尘埃颗粒被俘获 ,科学家便能用宇宙空间的辐射轰击尘埃颗粒以研究其光学特性。实验将研究不同大小和材料尘埃颗粒如何散射、吸收和发射不同频率的光线。研究人员已测量了紫外辐射和电子束 (模仿有时沉浸在宇宙尘埃中的等离子体 )对模拟的宇宙尘埃颗粒的影响。为补充这些实验 ,研究人员正与奥本大学空间等离子体实验室合作。后…     

InSb光电导太赫兹源材料性质及辐射场研究

为了研究锑化铟(InSb)半导体材料光电导太赫兹辐射过程,用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流,以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响,用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流,比较了InSb和GaAs材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明,InSb材料载流子弛豫时间越长,载流子迁移率越大;表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比;宏观电磁场理论更适于分析表面电流;抽运激光饱和能量密度越大,太赫兹近场辐射强度越强;抽运激光脉冲宽度越短,太赫兹近场辐射强度越强;InSb光电导辐射太赫兹波功率比GaAs高。该结果为基于InSb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。