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相似文献
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1.
以普通钠钙硅玻璃为基板,以Ti[O(CH2)3CH3]4和CeCl3.7H2O作为前驱物,在合适的Ce/Ti摩尔比例下,采用溶胶-凝胶法和提拉工艺制备CeO2-TiO2复合薄膜。热处理后的镀膜玻璃呈金黄色,但各个试样的颜色随着热处理温度的改变而有所区别。通过测试镀膜玻璃的色品坐标、透过率等,以探讨不同的热处理温度对CeO2-TiO2薄膜性能的影响。  相似文献   

2.
通过对纯铌挤压管坯和冷变形管材的显微组织及力学性能的分析,研究了形变程度和热处理温度对材料的组织和性能的影响.试验结果表明,经800~850℃挤压的纯铌管坯,完全再结晶退火温度约为1 150℃,挤压管坯经87%冷变形后,完全再结晶退火温度约为1 100℃;纯铌管材完全再结晶退火温度随着形变总加工率的增加,基本呈下降趋势,且影响比较明显.  相似文献   

3.
研究了70Si2Mn2CrMo钢经不同温度等温热处理后,产生超级贝氏体组织转变的同时,碳化物析出的情况以及对其力学性能的影响。通过对试样的显微组织和力学性能的检测分析,确定了碳化物析出的温度及类型;同时表明,由于碳化物析出减少了过冷奥氏体中C含量,致使其稳定性下降,超级贝氏体中残余奥氏体质量分数减少。与220℃等温热处理没有碳化物析出的样品相比较,245℃等温热处理样品的抗拉强度降低11%,强塑积降低16%,疲劳循环断裂次数降低55%。  相似文献   

4.
采用正交试验的三水平四因素L9(3^4)正交表进行成分优化制备低合金贝氏体铸钢。对低合金贝氏体铸钢热处理温度进行了研究,通过综合分析热处理温度对其性能的影响,确定出了最佳的热处理温度。  相似文献   

5.
采用直流磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜样品。其他参数不变,在不同的温度下对样品进行了退火处理,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随退火温度的变化关系。实验结果表明:在退火温度为200℃时,ZAO薄膜具有较优的光电性能,其电阻率为9.62×10-5.cm,可见光区平均透射率为89.2%。  相似文献   

6.
热处理温度对铟锡氧化物纳米粉显微结构的影响   总被引:2,自引:1,他引:2  
采用化学共沉淀法制备了铟锡氢氧化物纳米粉,对其热处理前后的粉体进行了XRD和TEM分析,结果表明:未热处理的为铟锡氢氧化物,200℃热处理后铟锡氢氧化物部分晶化,300℃热处理后全部转变成晶态,然后随着温度升高逐渐转变为具有立方结构的铟锡氧化物纳米粉;600℃热处理1h后粉末粒度为5-10nm,铟锡质量比接近9:1。铟锡氧化物颗粒接近球形,分散性好。  相似文献   

7.
热处理温度对纳米ZnO微波介电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用均匀沉淀法合成纳米ZnO粉体.经分析XRD和SEM表明产物为纤锌矿结构,呈球状或类球状.对所得粉体进行不同温度热处理,分析结果表明:当热处理温度达600℃时,ZnO粉体颗粒小且分布均匀,平均粒径为28 nm.对所得产物在8.2-12.4 GHz范围进行电磁参数的测量表明:纳米ZnO粉体属于介电损耗材料,600℃热处理后,粉体与石蜡组成的复合体不仅具有良好的频响特性,且介电常数实、虚部和损耗值都较大.  相似文献   

8.
采用溶胶-凝胶法在304L不锈钢表面制备了CuCoMnOx尖晶石型复合氧化物太阳能选择性吸收涂层。借助XRD、SEM、XRF、FT-IR、EDS等表征复合氧化物的结构,使用UV-Vis-NIR分光光度计和FT-IR红外光谱仪测试涂层反射率。研究了热处理温度和溶胶pH值对复合氧化物晶体结构、晶粒尺寸和涂层光学性能的影响。结果表明:随热处理温度的升高,复合氧化物晶体的尖晶石结构逐渐形成,晶粒逐渐长大;随溶胶pH值的增大,金属颗粒在溶胶中的分散程度增加,晶粒长大明显。当溶胶pH=3.5,热处理温度为550℃时,晶体的尖晶石结构完整,晶粒尺寸为400~600nm;此时制备的CuCoMnOx尖晶石型复合氧化物太阳能选择性吸收涂层光学性能优异,α=0.903,ε=0.148 3,品质因子为6.09。  相似文献   

9.
使用PECVD在p型单晶硅衬底上沉积非晶碳化硅薄膜,研究快速热处理对薄膜的钝化性能和光学性能的影响.结果显示:随着热处理温度从450℃升高到850℃,薄膜厚度迅速减小;在650℃及以下温度进行热处理后折射率基本不变,但温度继续上升折射率迅速上升;同时热处理对薄膜的厚度和折射率的影响能在很短时间内完成,使薄膜迅速致密化.在低于750℃热处理时,衬底少子寿命增加,在热处理温度高于750℃后少子寿命急剧下降.碳化硅薄膜的反射率在快速热处理之后基本不变.  相似文献   

10.
研究了不同保温温度对厚度40mm的07MnNiVDR球罐钢的力学性能的影响,结果表明:在620℃保温60分钟回火下,随着淬火温度的升高,强度和屈强比提高,延伸率下降,冲击韧性恶化,尤其是心部冲击值发生波动;试板经880℃保温40分钟后水淬到室温,640℃与620℃保温60分钟回火相比,钢板强度降低,屈服强度降幅更大;试板经880℃保温40分钟和620℃保温60分钟调质处理后,钢板性能优良.  相似文献   

11.
热处理温度对TiO2薄膜性能的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
采用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上制备了TiO薄膜,靶材为纯度99.9%的钛靶,溅时基片不加热。XRD结果显示,所得TiO薄膜的晶型为锐钛矿相;SEM结果显示,随着热处理温度的增加TiO薄膜晶粒尺寸增大,光催化性能显示,经过500℃热处理1h后的TiO薄膜具有较好的光催化效率。  相似文献   

12.
采用Sol-gel法,在普通载玻片和Si(100)上使用旋转涂覆技术制备了具有c轴择优取向生长的ZnO薄膜。利用XRD和SEM研究了衬底和热处理温度对ZnO薄膜的物相结构、表面形貌和(002)定向性的影响。结果表明,sol—gel旋涂法制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,玻璃衬底上生长的ZnO薄膜为多晶形态,Si(100)衬底表现出更优取向生长特性。随着热处理温度的升高,c轴择优取向程度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增大,ZnO的晶格参数先增加后减小。当温度在700℃时长出明显的柱状晶粒。  相似文献   

13.
用二阶段熔化方法制备了掺杂ZnS的SiO2-B2O3-Al2O3-K2O玻璃,测定了热处理样品的发光光谱和吸收光谱。利用Z-扫描法测定和计算了非线性折射率n2和三阶非线性极化率x。发现热处理后激子峰和吸收线的位置向低能量方向移动,而且非线性折射率和三阶极化率随样品热处理温度的增加而降低。此现象可用玻璃中ZnS半导体微晶的量子尺寸效应来解释。  相似文献   

14.
热处理温度对炭/炭复合材料性能的影响   总被引:4,自引:0,他引:4  
对同一种炭/炭复合材料,经过不同温度的最终热处理后的微观结构、石墨化度和抗弯强度进行了对比研究.研究结果表明:随着最终热处理温度的升高,在偏振光下,易石墨化的热解炭光学活性增强,而难石墨化的热解炭微观结构几乎没有变化;炭/炭复合材料的晶粒逐渐长大,层面间距逐渐缩小,石墨化度有较大幅度的提高;同时,由于基体炭与炭纤堆的热膨胀系数存在差别,随着热处理温度的升高,基体与增强纤维的的结合强度降低,使炭/炭复合材料的抗弯强度降低,但材料的应变性增强,材料的断裂形式由脆断转为假塑性断裂.  相似文献   

15.
为了比较不同热处理方式及工艺对TiN薄膜结构和性能的影响,在真空条件下、300~900℃范围内,对采用非平衡磁控溅射方法在单晶硅基底上沉积TiN薄膜后进行了热处理实验,考查了热处理模式(不同升温速率)和温度对薄膜结构和性能的影响.利用X射线衍射仪(XRD)对薄膜微结构进行表征,并利用扫描电镜观察了不同热处理模式下薄膜的表面形貌.同时,对不同工艺下薄膜的硬度、表面粗糙度和电阻率进行了表征.结果表明,薄膜经过热处理后,其晶体结构、择优取向、硬度、粗糙度和电阻率发生明显变化,并且随着热处理模式和温度的不同而产生较大差异.无论哪种模式,真空热处理后TiN薄膜的硬度均有所下降,其表面粗糙度亦有相似的变化趋势.两种模式下,经过450℃热处理后薄膜的硬度和粗糙度均达到最大值,与其高度择优取向的晶体结构有明显的相关性.  相似文献   

16.
研究了不同温度下的热处理对MLNi3.8Co0.75Mn0.4Al0.2储氢合金高倍率放电性能的影响.XRD测试结果表明热处理之后合金结晶度增加.电化学性能测试结果表明热处理明显改善了储氢合金电极的高倍率放电性能,在900 mA/g的放电电流下,经热处理的储氢合金电极的高倍率放电能力(HRD)均在80%以上,而原始合金电极在相同的放电条件下却不能放电.经过热处理提高了电极的交换电流密度,降低了电极的极化电阻,改善了电极在放电过程中的去极化作用.热处理温度在673 K时合金电极的交换电流密度最高,极化电阻值最低,高倍率放电性能最好.  相似文献   

17.
采用化学镀技术在CrMoNi高合金铸铁表面沉积Ni—P合金镀层,采用维氏硬度仪、M-2000摩擦磨损机、SEM和EDAX等手段研究了热处理温度对Ni-P合金镀层组织结构和性能的影响,并对磨损机理进行了分析.研究结果表明:CrMoNi合金基体表面沉积Ni—P合金镀层能有效改善CrMoNi合金基体硬度和耐磨性.经过350℃热处理时,获得的Ni-P合金镀层硬度达到极值1072HV,为基体硬度的4.5倍,耐磨性最佳,磨损率仅为基体的0.68%o,镀层的磨损机制为轻微的黏着磨损.  相似文献   

18.
太阳电池用α-SiCx:H薄膜热处理性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
对不同温度下PECVD沉积的α-SiCx:H薄膜进行750℃、30s的快速热处理性能研究,并利用紫外一可见一近红外分光光谱仪、光学膜厚测试仪和微波光电子衰减仪对样品反射率、折射率和少子寿命进行表征。结果表明,快速热处理会使α-SiCx:H薄膜折射率升高,但对薄膜反射率的影响不大。较低温度(〈300℃)沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果提升,较高温度(≥300℃)沉积的薄膜在快速热处理之后钝化效果有所下降。  相似文献   

19.
为了研究热处理工艺参数对V2O5薄膜微观结构与性能的影响,采用改进无机溶胶-凝胶法制备稳定的V2O5溶胶,以石英玻璃为基片,通过浸渍提拉法制得V2O5薄膜,再进行真空热处理。利用X射线衍射谱仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、UV-Vis分光光度计和UV-Vis-NIR光谱仪对热处理后的V2O5薄膜进行测试。结果表明,热处理工艺参数(时间、温度等)的变化对V2O5薄膜分解的动力学和热力学过程产生影响,从而引起薄膜表面形貌、物相以及光学性能的演变。  相似文献   

20.
利用化学镀在ZL113铝合金表面制备了非晶态Ni-P镀层,通过SEM和XRD表征了其在300℃-400℃系列温度下处理80min后表面形貌和物相组成,并用摩擦-磨损试验考察了Ni-P镀层磨损机制。结果表明,热处理使得化学镀Ni-P镀层晶粒尺寸增大,其显微硬度随热处理温度增加,呈准高斯分布,当热处理温度在350℃时,其硬度达到最大值611.2HV;热处理温度对镀层摩擦系数影响较小,Ni-P镀层磨损过程分三个阶段:磨粒磨损、粘着磨损+磨粒磨损、粘着磨损,在350℃热处理时耐磨性能最佳。  相似文献   

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