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用激光刻蚀法在金刚石膜表面形成减反射微结构 总被引:1,自引:1,他引:0
引言 金刚石具有一系列独特的性质 :宽光谱区透明、硬度、耐磨性、化学惰性和高激光损伤阈值。由于气相沉积多晶金刚石膜工业工艺的发展 ,它有了广泛应用 ,其中包括作为制造光学元件的材料[1 ] 。金刚石有较高的折射率 ,由于反射损耗 ,金刚石板在 10 .6 μm波长的透射率不大于 71% ,因此研究金刚石膜增透课题具有特殊的迫切性。一般的薄膜式减反涂层在性能上逊于金刚石 ,不能充分利用金刚石板的独特性质。没有这种缺点的可供选择的方法是在金刚石膜表面形成起伏的周期性亚波长结构。人们知道 ,周期小于Λmax=λ/ n (式中λ为入射辐射的波… 相似文献
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金刚石高成核选择比图形化技术 总被引:4,自引:1,他引:3
报道了一种新的金刚石薄膜选择生长图形化技术。首先用直流偏压增强的微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)对图形区域(Si)高密度金刚石成核,接着对掩模区域(SiO2)进行一次化学浅腐蚀,然后正常生长金刚石薄膜,得到表面光滑、侧壁陡直的金刚石精细图形。用该技术制作了金刚石微马达结构,其厚度为2μm,转子直径150μm。图形间隙可控制至1-2μm。 相似文献
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低压气相法合成的金刚石薄膜和天然金刚石一样,具有优异的力学、光学、电学、化学及热学性质。可广泛应用于机械、电子和光学等工业领域,因而引起了人们极大的兴趣。金刚石还具有半导体性质。并能在多种衬底上利用低压气相合成金刚石膜,还可进行选择性的掺入需要的杂质。这就为制备金刚石半导体器件提供了可能性。实验表明,在金刚石膜生长过程中进行掺杂强烈地依赖于晶体生长方向 相似文献
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利用HJ - 4型连续CO2 激光对金刚石膜进行了激光损伤阈值的研究,损伤后的金刚石膜用SEM和Raman进行了表征。研究结果表明,高质量CVD自支撑金刚石膜具有较高的
激光损伤阈值,金刚石膜抗连续激光损伤阈值的范围是在1. 15 ×106 ~2. 26 ×106W / cm2。金刚石膜激光损伤主要是由于热震损伤,其机制属于热- 力耦合机制。 相似文献
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研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值;阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响.在较低压力下用甲烷氢气作碳源在1500~1700℃合成质量较高的金刚石薄膜,在灯丝温度为1300℃时,获得了微观形貌为球状物的薄膜.用扫描电镜、喇曼光谱和X-ray衍射(Cu靶)对结果进行分析. 相似文献
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采用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)设备制备了大面积金刚石薄膜,结合X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和激光喇曼(Raman)谱等实验手段,较系统地研究了衬底位置对金刚石薄膜质量的影响规律.结果表明,在等离子体球内部的空间范围内,距等离子体球中心垂直距离越远衬底上所沉积的金刚石薄膜质量越好;通过调整衬底位置,可明显改善其上不同区域所沉积的金刚石薄膜质量,最后在等离子体球边缘附近可沉积出晶粒均匀一致几乎不舍非晶碳的大面积高质量金刚石薄膜.此研究为进一步改善大面积金刚石薄膜均匀性和薄膜质量提供了一种实用的途径. 相似文献
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XIE Kuo-jun JIANG Chang-shun LI Cheng-yue 《中国电子科技》2005,3(3):268-271
As electronic packages become more compact, run at faster speeds and dissipate more heat, package designers need more effective thermal management materials. CVD diamond, because of its high thermal conductivity, low dielectric loss and its great mechanical strength, is an excellent material for three dimensional (319) multichip modules (MCMs) in the next generation compact high speed computers and high power microwave components. In this paper, we have synthesized a large area freestanding diamond films and substrates, and polished diamond substrates, which make MCMs diamond film sink becomes a reality. 相似文献
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C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
化学气相淀积金刚石薄膜过程中 ,CH3 和C2 H2 是金刚石生长的主要前驱基团。C2 H2 与CH3 浓度比 ( [C2 H2 ]/[CH3 ])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型计算了C H体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2 H2 浓度和CH3浓度随淀积条件的变化 ,并进一步获得了 [C2 H2 ]/[CH3 ]随衬底温度和CH4浓度的变化关系 ,从理论上探讨了金刚石薄膜 ( 1 1 1 )面和 ( 1 0 0 )面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中 ,[C2 H2 ]/[CH3 ]逐渐升高 ,导致金刚石薄膜的形貌从 ( 1 1 1 )晶面转为 ( 1 0 0 )晶面。 相似文献
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金刚石薄膜紫外光探测器对紫外光有较高的灵敏度和良好的开关特性。本文讨论了该器件的光电流随入射光波长的变化和开关时间响应。实验证明,金刚石薄膜是一种良好的紫外光探测材料。 相似文献
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应用 MSM结构光电探测器相对光谱响应的理论公式 ,得到金刚石膜 MSM紫外光电探测器相对光谱响应理论曲线 ,与实验曲线进行比较 ,发现两者吻合得很好。探测器光谱响应的截止波长都在 2 2 0~ 2 3 0 nm范围 ,紫外光与可见光的相对响应度相差一个数量级。根据 MSM结构光电探测器光谱响应曲线拟合出金刚石薄膜厚度、少子扩散长度等表征参数 ,探讨金刚石膜吸收层反射率、吸收系数、金刚石的晶粒大小及金属电极叉指指宽、指距等参数对金刚石膜 MSM光电探测器光谱响应和量子效率的影响。 相似文献