外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征

利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon, PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2,GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。     

钠钨青铜的制备与电子显微学表征

利用简单加热的方法合成了具有通道结构的钠钨青铜材料.通过X射线衍射学和电子显微学分析确定了三种产物分别是Na2 W4 O13、Na5 W14 O44和伪六角的Nax WO3+y.基于Na5 W14 O44和Nax WO3+y之间的结构关系,NaxWO3+y首次被确定为具有三斜结构的相(晶胞参数:aI I=0.7274 nm,bI I=0.7291 nm,cI I=11.031 nm,αI I=90.71°,βI I=90.69°,γI I=119.65°).研究结果为钠离子电池中新型电极材料的制备提供参考.     

纳米氧化钴电极材料的制备与电子显微学表征

通过模板水热法合成了氧化钴（ CoO）纳米材料。用透射电子显微镜观察发现样品中CoO为岩盐立方结构,以纳米线的形态存在,每根纳米线均由尺寸在30～100 nm的纳米颗粒附着而成。同时,实验产物中也存在一些Co单质。 Co单质以纳米手指的形态存在,且多数具有孪晶结构,孪晶面为｛111｝。 Co孪晶的生成归因于高温高压的反应条件,同时Co单质的存在增强了CoO作为电极材料的导电性能。     

碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究

本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.     

从第十一届国际电子显微学大会看电子显微学的发展趋势

本文介绍了第十一届国际电子显微学大会(XI—ICEM)的概况,回顾了电子显微学的历史,并从XI—ICEM评述了当前电子显微学发展的趋势。     

1250℃烧结Fe-28 Al-5 Cr（at．％）合金结构的透射电子显微学表征

利用透射电子显微镜（TEM）研究了一种在1250℃下热压烧结的Fe?28Al?5Cr （at．％）合金的显微结构。研究结果表明：基体由DO3型有序相Fe3 Al组成,Cr以固溶方式存在于基体中。α?Al2 O3主要沿Fe3 Al晶界析出,晶内也有少量分布。这些α?Al2 O3析出相颗粒表面通常会形成尖晶石结构的FeAl2 O4包裹层。同时发现基体三叉晶界处有孔洞的形成,且孔洞中松散填充着α?Al2 O3颗粒。在Fe3 Al晶内存在着a／2＜110＞刃型全位错。     

PVF2／PMMA共混物薄膜的电子显微学研究

聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)是少数与聚偏氟乙烯(PVF_2)热力学相容的聚合物之一。对于PVF2/PMMA共混体系相容性的研究较为广泛,但对其晶相结构的研究却少见报道。本工作采用特殊的熔体拉伸方法制备高取向PVF_2/PMMA共混物薄膜,并用透射电子显微镜(TEM)和富里叶变换红外光谱(FTIR)等方法研究了PMMA对高取向PVF_2薄膜形态结构的影响。 TEM结果表明,在熔体拉伸的PVF_2薄膜中,含有高度取向的片晶结构,其生长方向垂直与拉伸方向。而在PVF_2/PMMA共混物薄膜中除PVF_2片晶外,还出现了与拉伸方向平行的纤维晶,纤维晶的数量随PMMA分子量的提高而增多。     

高分辨率定量电子显微学

本文将在综述高分辨率定量电子显微学及相关技术发展现状的基础上，讨论材料结构和缺陷的原子尺度直接观察与计算机模拟对比研究的意义及影响高分辨率定量电子显微学测量结果的几种因素的研究现状。     

高分辨扫描电子显微学

目前的扫描电镜可以分为三类，即热发射电子枪扫描电镜，场发射电子枪扫描电镜［１］，场发射电子枪低像差物镜扫描电镜。扫描电镜分辨率的限制，从仪器方面来说主要来自两个方面：１．电子源的亮度和能量分散；２．物镜的球差系数和色差系数。场发射电子枪的应用对消除第...     

FePt纳米粒子有序膜结构的SPM研究

采用化学合成方法制备了单分散的FePt磁性纳米粒子，通过对纳米粒子的操纵与排布制得了磁性纳米粒子单层膜和多层膜，并利用扫描探针显微技术(SPM)和X射线粉末衍射(XRD)考察了磁性纳米粒子膜中FePt纳米粒子的形貌、粒度分布和表面聚集状态。研究结果表明在磁性纳米粒子单层膜中，磁性纳米粒子分布均匀、排列紧密，且多层膜在膜累加方向是具有周期结构的有序组合体。     

纳米材料侵入细胞的电镜研究

纳米材料侵入细胞的方式是纳米材料生物学效应研究的重点.本文利用透射电镜对目前应用较广的SiO2、TiO2及Fe3O4三种纳米颗粒材料侵入细胞的方式进行了研究.结果显示TiO2纳米颗粒侵入细胞的方式是最常见的内吞方式,而SiO2及Fe3O4纳米颗粒可以直接穿过细胞膜的方式侵入细胞.     

磁控溅射法制备Ag/FePt/C/FePt薄膜的结构和磁性能

采用磁控溅射法,在自然氧化的Si(001)基片上沉积了Ag/FePt/C/FePt纳米薄膜,并分别在400,450,500,600℃下对薄膜样品进行了1h的退火热处理。利用X射线衍射仪和振动样品磁强计,对薄膜样品的结构和磁性进行了分析。结果表明,当热处理温度为450℃时,Ag/FePt/C/FePt薄膜中已形成了具有有序面心四方结构的L10-FePt。随着热处理温度的升高,薄膜样品的有序化程度提高,矫顽力Hc增强,晶粒尺寸变大。当热处理温度为600℃时,薄膜样品的平行膜面Hc为905.8kA·m-1,晶粒尺寸为23nm。     

Fe_3O_4纳米棒的水热法制备及其磁性能研究

以柠檬酸钠作为添加剂,采用水热法制备了Fe3O4纳米棒,用XRD、SEM、TEM、HRTEM和ED等手段,对样品进行了表征,并对Fe3O4纳米棒的形成机理进行了探讨。结果表明:所制备之Fe3O4纳米棒的直径在50～80nm,长度大于2μm。Fe3O4纳米棒具有较高的饱和磁化强度和矫顽力,分别为77.8A·m2·kg–1和39.6kA·m–1。     

磁场退火对FePt/Ag薄膜磁性能的影响

采用磁控溅射法室温沉积获得FePt/Ag薄膜,然后在500℃下,于真空磁退火炉中对薄膜进行退火处理。利用XRD和振动样品磁强计(VSM),研究了磁场退火对薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,500℃零磁场退火获得了矫顽力为0.763 4 MA.m–1、平均晶粒尺寸21 nm的L10-FePt薄膜。磁场提供了FePt成核生长的驱动力,0.8 MA.m–1磁场退火后FePt的平均晶粒尺寸为26 nm,矫顽力增大至0.804 3 MA.m–1。非磁性Ag的掺杂可有效抑制磁性FePt晶粒的团聚生长。     

肿瘤热疗用Fe3O4磁性纳米粒的制备及表征

用化学共沉淀法制备用于肿瘤磁流体热疗的Fe3O4磁性纳米粒子并对其进行表征。运用透射电子显微镜、X射线衍射分析、扫描电子显微镜、能谱分析及图像分析等技术进行特性研究;在高频交变磁场下观察Fe3O4纳米磁流体的体外升温情况。制备的Fe3O4磁性纳米粒子属尖晶石型铁氧体、圆形,粒径20nm左右。其不同浓度的磁流体在高频交变磁场下可升温至37℃～56℃。     

Cr2O3二维薄膜的气敏光学特性研究

本文介绍了用溶胶凝胶法制轩Ｃｒ２Ｏ３二维薄膜的方法,并研究了其在乙醇蒸气中和氨蒸气的气敏透射光谱,发现其光学透过率随乙醇蒸气和氨蒸气浓度增加而显著地单调上升,敏感波段扩展到整个可见光区域。其气敏光学特性的灵敏度、单调性及可重复性均可满足光纤传感技术的要求,有望成为制造气敏光结传感器的新材料。本文变讨论了Ｃｒ２Ｏ３的气敏光学机理。     

软磁Ni80Fe20薄膜单元中磁涡旋结构的高分辨磁力显微观察

本文利用高分辨磁力显微技术对Ni80Fe20薄膜单元进行了直接观察,发现在双圆盘“花生形”单元中存在磁涡旋结构,并能够清晰地看到单元中心附近或亮或暗的涡旋核。实验结果表明,在包括针尖卷积效应的情况下,磁涡旋核中心轮廓线的直接测量宽度约为40nm,这个分辨率远高于迄今为止报道的关于磁涡旋结构的MFM测量结果。     

PLD生长Fe_3O_4薄膜的微结构及磁性能研究

以烧结α-Fe2O3为靶材,采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在Si(100)基片上制备了Fe3O4薄膜。XRD分析表明,所得薄膜为立方尖晶石结构的Fe3O4,而且具有(311)和(440)择优取向;显微激光喇曼(Raman)光谱分析进一步证实薄膜中只出现单相Fe3O4;AFM分析表明,所得Fe3O4薄膜表面平整;采用VSM分析表明,Fe3O4薄膜的饱和磁化强度Ms约为170kA·m–1,而其矫顽力约为412kA·m–1。     

在(001)SrRuO_3/(001)SrTiO_3上外延生长c轴取向Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)铁电薄膜的显微结构研究

用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3,(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜.SrRuO3底电极层厚约117 nm,BNdT薄膜厚～35nm.X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长.通过TEM平面样品观察,在SrRuO3/BNdT界面附近看到了两种村度处于不同高度的失配位错网,位错线沿<110>走向,其柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量.讨论了位错的形成机制.