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利用脉冲激光沉积( pulsed laser depositon, PLD)方法在YSZ( Y2 O3 stabilised zirconia)单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜(gadolinium doped CeO2,GDC)。利用透射电子显微镜(TEM)对GDC/YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。 相似文献
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利用简单加热的方法合成了具有通道结构的钠钨青铜材料.通过X射线衍射学和电子显微学分析确定了三种产物分别是Na2 W4 O13、Na5 W14 O44和伪六角的Nax WO3+y.基于Na5 W14 O44和Nax WO3+y之间的结构关系,NaxWO3+y首次被确定为具有三斜结构的相(晶胞参数:aI I=0.7274 nm,bI I=0.7291 nm,cI I=11.031 nm,αI I=90.71°,βI I=90.69°,γI I=119.65°).研究结果为钠离子电池中新型电极材料的制备提供参考. 相似文献
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本文介绍了第十一届国际电子显微学大会(XI—ICEM)的概况,回顾了电子显微学的历史,并从XI—ICEM评述了当前电子显微学发展的趋势。 相似文献
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利用透射电子显微镜(TEM)研究了一种在1250℃下热压烧结的Fe?28Al?5Cr (at.%)合金的显微结构。研究结果表明:基体由DO3型有序相Fe3 Al组成,Cr以固溶方式存在于基体中。α?Al2 O3主要沿Fe3 Al晶界析出,晶内也有少量分布。这些α?Al2 O3析出相颗粒表面通常会形成尖晶石结构的FeAl2 O4包裹层。同时发现基体三叉晶界处有孔洞的形成,且孔洞中松散填充着α?Al2 O3颗粒。在Fe3 Al晶内存在着a/2<110>刃型全位错。 相似文献
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聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)是少数与聚偏氟乙烯(PVF_2)热力学相容的聚合物之一。对于PVF2/PMMA共混体系相容性的研究较为广泛,但对其晶相结构的研究却少见报道。本工作采用特殊的熔体拉伸方法制备高取向PVF_2/PMMA共混物薄膜,并用透射电子显微镜(TEM)和富里叶变换红外光谱(FTIR)等方法研究了PMMA对高取向PVF_2薄膜形态结构的影响。 TEM结果表明,在熔体拉伸的PVF_2薄膜中,含有高度取向的片晶结构,其生长方向垂直与拉伸方向。而在PVF_2/PMMA共混物薄膜中除PVF_2片晶外,还出现了与拉伸方向平行的纤维晶,纤维晶的数量随PMMA分子量的提高而增多。 相似文献
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高分辨率定量电子显微学 总被引:1,自引:0,他引:1
本文将在综述高分辨率定量电子显微学及相关技术发展现状的基础上,讨论材料结构和缺陷的原子尺度直接观察与计算机模拟对比研究的意义及影响高分辨率定量电子显微学测量结果的几种因素的研究现状。 相似文献
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采用磁控溅射法,在自然氧化的Si(001)基片上沉积了Ag/FePt/C/FePt纳米薄膜,并分别在400,450,500,600℃下对薄膜样品进行了1h的退火热处理。利用X射线衍射仪和振动样品磁强计,对薄膜样品的结构和磁性进行了分析。结果表明,当热处理温度为450℃时,Ag/FePt/C/FePt薄膜中已形成了具有有序面心四方结构的L10-FePt。随着热处理温度的升高,薄膜样品的有序化程度提高,矫顽力Hc增强,晶粒尺寸变大。当热处理温度为600℃时,薄膜样品的平行膜面Hc为905.8kA·m-1,晶粒尺寸为23nm。 相似文献
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采用磁控溅射法室温沉积获得FePt/Ag薄膜,然后在500℃下,于真空磁退火炉中对薄膜进行退火处理。利用XRD和振动样品磁强计(VSM),研究了磁场退火对薄膜结构和磁性能的影响。结果表明,500℃零磁场退火获得了矫顽力为0.763 4 MA.m–1、平均晶粒尺寸21 nm的L10-FePt薄膜。磁场提供了FePt成核生长的驱动力,0.8 MA.m–1磁场退火后FePt的平均晶粒尺寸为26 nm,矫顽力增大至0.804 3 MA.m–1。非磁性Ag的掺杂可有效抑制磁性FePt晶粒的团聚生长。 相似文献
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用脉冲激光沉积在(001)SrRuO3,(001)SrTiO3上外延生长了c轴取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜.SrRuO3底电极层厚约117 nm,BNdT薄膜厚~35nm.X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)观察证实了SrRuO3层和BNdT薄膜的外延生长.通过TEM平面样品观察,在SrRuO3/BNdT界面附近看到了两种村度处于不同高度的失配位错网,位错线沿<110>走向,其柏格斯矢量沿[110]或[110]方向有分量,在[001]方向上可能没有分量.讨论了位错的形成机制. 相似文献