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《微电子技术》2001,(4)
ＣＳ8 82 8ＣＮ是用于语音录放的单片ＣＭＯＳ大规模集成电路 ,采用ＡＤＭ (自适应增量调制 )。它与动态ＲＡＭ以及包括话筒、扬声器、放大器等的音频电路共同构成一语音录放系统。主要用于语音学习机、益智玩具、录音电话等。该电路版图采用 1 5 μｍＳｉ 栅Ｐ 阱ＣＭＯＳ工艺设计规则进行设计 ,共有 10块掩模版 ,芯片面积为(2 82 4× 3 112 )ｍｍ2 ,集成度 10 0 0 0Ｔｒ 芯片 ,其中模拟元器件约 4 0 0元件 ,采用ＱＦＰ60封装。主要技术性能指标 :·工作电压 :5Ｖ·工作电流 :≤ 5ｍＡ·工作频率 :640～ 10 0 0ｋＨｚ·可外接 4片 1Ｍ× 4… 相似文献
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《微电子技术》2001,(4)
ＣＳＣ910 2ＣＰ电话机拨号电路是为通信系统设计的ＣＭＯＳ大规模集成电路 ,它在音频 脉冲工作方式下均有较宽的工作电压范围。带有一组 32位重拨存储 ,在挂机时具有极小的存储保持电流。该电路采用 0 8μｍＮ阱ＣＭＯＳ工艺 ,芯片面积 (1 4 6× 1 2 3)ｍｍ2 ,集成度 5 0 0 0元器件左右 ,采用ＤＩＰ18封装形式。主要技术性能指标 : 工作电压 :2 0Ｖ～ 5 5Ｖ ; 音频 脉冲可选 ; 工作电流 :<2ｍＡ ; 一组 32位重拨存储 ; 记忆保持电流 :<0 2 μＡ (典型 0 1μＡ) ; 外接 3 5 8ＭＨｚ晶振。 待机电流 :<5 μＡ… 相似文献
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高帧速自扫描光电二极管面阵 总被引：2，自引：0，他引：2
通过对多路并行输出的高帧速自扫描光电二极管面阵（ＳＳＰＡ）的研究，分析了影响面阵帧速和响应度的主要因素。设计并制作出３２×３２位多路并行输出的ＳＳＰＡ实验样品。其性能参数为：ＦＰＳ（帧速）≤２０００帧／秒时，Ｖｏｓ（最大输出电压）＝２４０ｍＶ，Ｒ（响应度）＝１．０９Ｖ·１ｘ－１·ｓ－１；ＦＰＳ＝１００００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１５０ｍＶ；ＦＰＳ＝１５０００帧／秒时，Ｖｏｓ＝１００ｍＶ。 相似文献
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ＭＲＦＩＣ１８１７是Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的一 款３级集成功率放大器,是为用于蜂窝电话而设计的,它特别适用于ＤＣＳ１８００（ＰＣＮ）３．６Ｖ工作。通过调整匹配电路,它也适用于ＤＣＳ１９００（ＰＣＳ）设备。由于输入、输出和某些级间匹配是在芯片外实现的,所以器件可以调谐工作在１５００～２０００ＭＨｚ频率范围内的任何频率。典型性能（在不同电池电压下）如下： ·３３．５ｄＢｍ＠．３．６Ｖ · ３２．0ｄＢｍ＠３Ｖ 此性能使得ＭＲＦＩＣ１８１７适合于便携蜂窝应用,如： ·３Ｖ和３．６Ｖ ＤＣＳ１８００ ＣｌａｓｓＩ… 相似文献
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《微电子技术》2001,29(3):63-63
ＣＤ1 8 0 0ＣＰ为单片收音机用集成电路 ,它具有ＦＭ /ＡＭ的全部功能 ,其中ＦＭ有本振、混频、低通滤波器、ＩＦ放大器、积分检波、静噪 ;ＡＭ有ＲＦ放大器、检波、ＡＧＣ。可用于普通收音机。该电路具有如下特点 : 外加元件少 ,调谐电路ＦＭ和ＡＭ各一个 ; 消耗电流少 ,5 6ｍＡ/ＦＭ ,3 2ｍＡ/ＡＭ ; 低电压工作 ,Ｖｃｃｍｉｎ =2 5Ｖ ; 工作电源电压范围宽 ,Ｖｃｃ =2 5 - 5 0Ｖ ; ＡＭ采用直接检波方式 ,不用 4Ｍ检波线圈 ; 具有音频功放以驱动耳机。ＣＤ1 80 0ＣＰ是硅单片双极型模拟集成电路 ,芯片面积为 (3 2 4× 2 5 7)ｍｍ… 相似文献
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《微电子技术》2001,(3)
ＣＤ8 1 89ＣＰ是录音、放音四前置放大电路 ,内含放音放大器和录音放大器 ,适用于双卡磁带录放机。该电路只需少量的外围元件即可取得稳定优良的性能。该电路具有如下特点 :1、外围元件少 ;2、电源电压范围宽 ;3、抑制开机ＰＯＰ声 ;4、功耗小 ;ＣＤ81 89ＣＰ是硅单片双极型线性集成电路 ,其有效芯片面积为 (2 3 0× 2 5 4 )ｍｍ2 ,共集成了 3 6 6个元器件 ,采用ＳＤＩＰ2 4塑料封装。ＣＤ81 89ＣＰ主要技术指标如下 : 电源电压范围 :4～ 1 3 5Ｖ 静态电流 :1 3ｍＡ 放音放大器最大输出电压 :1 0Ｖｒｍｓ ,电压增益 40ｄＢ 录音放大… 相似文献
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14位10MHz CCD/CIS信号处理器 总被引：1，自引：0，他引：1
Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司的ＶＳＰ３１００是一款 工作在＋５Ｖ单电源的完整ＣＣＤ／ＣＩＳ图像处理器。这种完整的图像处理器包含处理ＣＣＤ（电荷耦合器件）信号的３个相关双取样器（ＣＤＳ）和可编程增益放大器（ＰＧＡ）（见图１）。３个通道输入（ＲＩＮＰ——红色通道模拟输入,ＧＩＮＰ——绿色通道模拟输入;ＢＩＮＰ－－兰色通道模拟输入）也为接触图像传感器（ＣＩＳ）提供输入。 ＶＳＰ３１００主要特性有： ·集成了３个相关双取样器 ·可选择的工作模式（１通道、３通道,１０Ｍｓｐｓ,ＣＣＤ／ＣＩＳ模式） ·０ｄＢ～１３… 相似文献
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ＮＥＣ最近开发了完全适用于片上系统 (ＳＯＣ :ＳｙｓｔｅｍｏｎＣｈｉｐ)需求的、采用最先进的 0 2 5μｍ (有效栅长为 0 18μｍ)ＣＭＯＳ工艺技术制作的ＡＳＩＣ—ＣＢ Ｃ10系列基本单元ＩＣ和ＥＡ Ｃ10系列内部阵列 (ｅｍｂｅｄｄｅｄａｒｒａｙ)。ＣＢ Ｃ10系列特点如下 :(1)最多搭载门数为 2 0 0 0门。 (2 )低功耗 :功耗为 0 0 4 μＷ门 ;ＭＨｚ (电源电压 :2 5Ｖ) ,与ＮＥＣ原制品相比 ,降低约 80 %。 (3)高速工作 :倒相器 (Ｆ10 1)的时延为 2 3ｐｓ (电源电压 :2 5Ｖ、扇出 :1) ,触发频率为 1 6ＧＨｚ。工作速度 (时钟速度 )可… 相似文献
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ＶＨ５１６２电脑程控闪光集成电路具有四路驱动输出和八种工作模式。可广泛用于节日彩灯、家庭装饰、舞台灯台、电子玩具和音响闪光彩灯等场合。ＶＨ５１６２的电源电压为２～５Ｖ ,典型值为３Ｖ ,最大静态电流为１０μＡ ,最大工作电流为３００μＡ。１引脚功能ＶＨ５１６２采用ＤＩＰ-１４脚封装 ,图１所示是其引脚排列 ,各引脚功能如下 :１脚（ＮＣ） :空脚 ;２脚（ＲＥＳＺ） :复位输入端 ;３脚（ＯＳＣＩ） :ＲＣ振荡输入端 ;４脚（ＯＳＣＣ） :ＲＣ振荡反馈输出端 ;５脚（ＯＳＣＲ） :ＲＣ振荡反馈输出端 ;６脚（ＧＮＤ） :电源负极 … 相似文献
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本文主要研究了硅片直接键合技术制备ＳＯＩ材料，并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了１μｍ沟道ＣＭＯＳ环形振荡器。由于ＳＯＩ。ＳＤＢ中的硅膜保持着本体硅的性质，故所得陪管的特性比较好，（迁移率：ＮＭＯＳ为６８０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＰＭＯＳ为３７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，跨导：ＮＭＯＳ为３８ｍＳ，ＰＭＯＳ为２５ｍＳ）。但发现ＭＯＳ管具有“Ｋｉｎｋ”效应，随着硅膜厚度的减小，“Ｋｉｎｋ”效应有所抑制。实验所得ＣＭＯＳ１９级环形振荡器的单级延时为０．７９ｎｓ，由此可见，ＳＯＩ／ＳＤＢ材料在ＶＬＳＩ中将有很大的发展前景 相似文献
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《电子工业专用设备》2001,(2)
下一代光刻技术技术段 /ｎｍ掩模价格 /＄ 生产效率 /片·ｈ-1设备价格 /＄每片成本 /＄15 7ｎｍ +ＰＳＭ 70 330 0 0 5 0 160 0万 35ＥＰＬ (电子束 ) 70 30 0 0 0 2 0 15 0 0万 5 2ＥＵＶ (极紫外 ) 70 2 80 0 0 80 2 0 0 0万 30(注 : 为 2 0 0 0年 5月国际Ｓｅｍａｔｅｃｈ的评估结果 来源 :ＥＵＶＬＬＣ)70nm技术段各种光刻技术的成本比较 相似文献
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《微电子技术》2001,(4)
ＣＤ8 2 2 7ＧＰ是适用于便携式收音机和盒式录音机等的双通道音频功率放大器集成电路 ,该电路具有如下特点 :1 工作电压范围宽2 外围元件少3 输出功率大4 噪音低5 内含热保护回路6 回路静态电流少ＣＤ82 2 7ＧＰ芯片面积为 (2 2 1× 2 4 0 )ｍｍ2 ,共集成了 15 5个元器件 ,采用铅锡将芯片粘接在底座上 ,内引线是2 5 μｍ的金丝 ,采用ＨＤＩＰ12封装。ＣＤ82 2 7ＧＰ主要技术指标如下 :静态电流 :2 1ｍＡ (典型 ,Ｖｃｃ =9Ｖ ,Ｖｉｎ =0 )输出功率 :2 5Ｗ ＣＨ (典型 ,Ｖｃｃ =9Ｖ ,ｆ =1ｋＨｚ ,ＲＬ=4Ω ,ＴＨＤ =10 % )3 0Ｗ … 相似文献
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采用厚膜混合集成工艺，研制出ＳＨ３０９－１低噪声宽带ＡＧＣ放大器，其噪声系数≤１．５ｄＢ，最大输入电平≥４００ｍＶ／５００Ω，增益≥５０ｄＢ，增益控制范围≥５０ｄＢ，工作频率范围为６０ＭＨｚ±１０ＭＨｚ。主要介绍了其设计原理及应用。 相似文献
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