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《微电子技术》2001,(4)
CS8 82 8CN是用于语音录放的单片CMOS大规模集成电路 ,采用ADM (自适应增量调制 )。它与动态RAM以及包括话筒、扬声器、放大器等的音频电路共同构成一语音录放系统。主要用于语音学习机、益智玩具、录音电话等。该电路版图采用 1 5 μmSi 栅P 阱CMOS工艺设计规则进行设计 ,共有 10块掩模版 ,芯片面积为(2 82 4× 3 112 )mm2 ,集成度 10 0 0 0Tr 芯片 ,其中模拟元器件约 4 0 0元件 ,采用QFP60封装。主要技术性能指标 :·工作电压 :5V·工作电流 :≤ 5mA·工作频率 :640~ 10 0 0kHz·可外接 4片 1M× 4… 相似文献
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《微电子技术》2001,(4)
CSC910 2CP电话机拨号电路是为通信系统设计的CMOS大规模集成电路 ,它在音频 脉冲工作方式下均有较宽的工作电压范围。带有一组 32位重拨存储 ,在挂机时具有极小的存储保持电流。该电路采用 0 8μmN阱CMOS工艺 ,芯片面积 (1 4 6× 1 2 3)mm2 ,集成度 5 0 0 0元器件左右 ,采用DIP18封装形式。主要技术性能指标 : 工作电压 :2 0V~ 5 5V ; 音频 脉冲可选 ; 工作电流 :<2mA ; 一组 32位重拨存储 ; 记忆保持电流 :<0 2 μA (典型 0 1μA) ; 外接 3 5 8MHz晶振。 待机电流 :<5 μA… 相似文献
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高帧速自扫描光电二极管面阵 总被引:2,自引:0,他引:2
通过对多路并行输出的高帧速自扫描光电二极管面阵(SSPA)的研究,分析了影响面阵帧速和响应度的主要因素。设计并制作出32×32位多路并行输出的SSPA实验样品。其性能参数为:FPS(帧速)≤2000帧/秒时,Vos(最大输出电压)=240mV,R(响应度)=1.09V·1x-1·s-1;FPS=10000帧/秒时,Vos=150mV;FPS=15000帧/秒时,Vos=100mV。 相似文献
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MRFIC1817是Motorola公司的一 款3级集成功率放大器,是为用于蜂窝电话而设计的,它特别适用于DCS1800(PCN)3.6V工作。通过调整匹配电路,它也适用于DCS1900(PCS)设备。由于输入、输出和某些级间匹配是在芯片外实现的,所以器件可以调谐工作在1500~2000MHz频率范围内的任何频率。典型性能(在不同电池电压下)如下: ·33.5dBm@.3.6V · 32.0dBm@3V 此性能使得MRFIC1817适合于便携蜂窝应用,如: ·3V和3.6V DCS1800 ClassI… 相似文献
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《微电子技术》2001,29(3):63-63
CD1 8 0 0CP为单片收音机用集成电路 ,它具有FM /AM的全部功能 ,其中FM有本振、混频、低通滤波器、IF放大器、积分检波、静噪 ;AM有RF放大器、检波、AGC。可用于普通收音机。该电路具有如下特点 : 外加元件少 ,调谐电路FM和AM各一个 ; 消耗电流少 ,5 6mA/FM ,3 2mA/AM ; 低电压工作 ,Vccmin =2 5V ; 工作电源电压范围宽 ,Vcc =2 5 - 5 0V ; AM采用直接检波方式 ,不用 4M检波线圈 ; 具有音频功放以驱动耳机。CD1 80 0CP是硅单片双极型模拟集成电路 ,芯片面积为 (3 2 4× 2 5 7)mm… 相似文献
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《微电子技术》2001,(3)
CD8 1 89CP是录音、放音四前置放大电路 ,内含放音放大器和录音放大器 ,适用于双卡磁带录放机。该电路只需少量的外围元件即可取得稳定优良的性能。该电路具有如下特点 :1、外围元件少 ;2、电源电压范围宽 ;3、抑制开机POP声 ;4、功耗小 ;CD81 89CP是硅单片双极型线性集成电路 ,其有效芯片面积为 (2 3 0× 2 5 4 )mm2 ,共集成了 3 6 6个元器件 ,采用SDIP2 4塑料封装。CD81 89CP主要技术指标如下 : 电源电压范围 :4~ 1 3 5V 静态电流 :1 3mA 放音放大器最大输出电压 :1 0Vrms ,电压增益 40dB 录音放大… 相似文献
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14位10MHz CCD/CIS信号处理器 总被引:1,自引:0,他引:1
Burr-Brown公司的VSP3100是一款 工作在+5V单电源的完整CCD/CIS图像处理器。这种完整的图像处理器包含处理CCD(电荷耦合器件)信号的3个相关双取样器(CDS)和可编程增益放大器(PGA)(见图1)。3个通道输入(RINP——红色通道模拟输入,GINP——绿色通道模拟输入;BINP--兰色通道模拟输入)也为接触图像传感器(CIS)提供输入。 VSP3100主要特性有: ·集成了3个相关双取样器 ·可选择的工作模式(1通道、3通道,10Msps,CCD/CIS模式) ·0dB~13… 相似文献
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NEC最近开发了完全适用于片上系统 (SOC :SystemonChip)需求的、采用最先进的 0 2 5μm (有效栅长为 0 18μm)CMOS工艺技术制作的ASIC—CB C10系列基本单元IC和EA C10系列内部阵列 (embeddedarray)。CB C10系列特点如下 :(1)最多搭载门数为 2 0 0 0门。 (2 )低功耗 :功耗为 0 0 4 μW门 ;MHz (电源电压 :2 5V) ,与NEC原制品相比 ,降低约 80 %。 (3)高速工作 :倒相器 (F10 1)的时延为 2 3ps (电源电压 :2 5V、扇出 :1) ,触发频率为 1 6GHz。工作速度 (时钟速度 )可… 相似文献
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VH5162电脑程控闪光集成电路具有四路驱动输出和八种工作模式。可广泛用于节日彩灯、家庭装饰、舞台灯台、电子玩具和音响闪光彩灯等场合。VH5162的电源电压为2~5V ,典型值为3V ,最大静态电流为10μA ,最大工作电流为300μA。1引脚功能VH5162采用DIP-14脚封装 ,图1所示是其引脚排列 ,各引脚功能如下 :1脚(NC) :空脚 ;2脚(RESZ) :复位输入端 ;3脚(OSCI) :RC振荡输入端 ;4脚(OSCC) :RC振荡反馈输出端 ;5脚(OSCR) :RC振荡反馈输出端 ;6脚(GND) :电源负极 … 相似文献
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本文主要研究了硅片直接键合技术制备SOI材料,并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了1μm沟道CMOS环形振荡器。由于SOI。SDB中的硅膜保持着本体硅的性质,故所得陪管的特性比较好,(迁移率:NMOS为680cm2/V·s,PMOS为370cm2/V·s,跨导:NMOS为38mS,PMOS为25mS)。但发现MOS管具有“Kink”效应,随着硅膜厚度的减小,“Kink”效应有所抑制。实验所得CMOS19级环形振荡器的单级延时为0.79ns,由此可见,SOI/SDB材料在VLSI中将有很大的发展前景 相似文献
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《电子工业专用设备》2001,(2)
下一代光刻技术技术段 /nm掩模价格 /$ 生产效率 /片·h-1设备价格 /$每片成本 /$15 7nm +PSM 70 330 0 0 5 0 160 0万 35EPL (电子束 ) 70 30 0 0 0 2 0 15 0 0万 5 2EUV (极紫外 ) 70 2 80 0 0 80 2 0 0 0万 30(注 : 为 2 0 0 0年 5月国际Sematech的评估结果 来源 :EUVLLC)70nm技术段各种光刻技术的成本比较 相似文献
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《微电子技术》2001,(4)
CD8 2 2 7GP是适用于便携式收音机和盒式录音机等的双通道音频功率放大器集成电路 ,该电路具有如下特点 :1 工作电压范围宽2 外围元件少3 输出功率大4 噪音低5 内含热保护回路6 回路静态电流少CD82 2 7GP芯片面积为 (2 2 1× 2 4 0 )mm2 ,共集成了 15 5个元器件 ,采用铅锡将芯片粘接在底座上 ,内引线是2 5 μm的金丝 ,采用HDIP12封装。CD82 2 7GP主要技术指标如下 :静态电流 :2 1mA (典型 ,Vcc =9V ,Vin =0 )输出功率 :2 5W CH (典型 ,Vcc =9V ,f =1kHz ,RL=4Ω ,THD =10 % )3 0W … 相似文献
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采用厚膜混合集成工艺,研制出SH309-1低噪声宽带AGC放大器,其噪声系数≤1.5dB,最大输入电平≥400mV/500Ω,增益≥50dB,增益控制范围≥50dB,工作频率范围为60MHz±10MHz。主要介绍了其设计原理及应用。 相似文献
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