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ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ... 相似文献
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INFORMATION FOR AUTHORS 总被引：1，自引：0，他引：1
《半导体光子学与技术》1996,(1)
ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ... 相似文献
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报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。 相似文献
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ＴＲＷ公司已研制成全单片ＩｎＰＤＨＢＴ功率的放大器 ,在 2 1ＧＨｚ下 ,输出功率为 0 .5ＷＰＡＥ为 4 0 % ,这种功率放大器应用于通信卫星和ＬＭＤＳ系统。这种ＭＭＩＣ有 8个 1.5μｍ× 30 μｍ发射极条 ,总周长为 360 μｍ2 ,线性增益为 9.4ｄＢ ,输出功率为 2 7ｄＢｍ ,可在 5.5Ｖ下工作0.5W40%PAEK波段InP DHBT MMIC@一凡 相似文献
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Cree公司研制成工作频率GHz的GaNHEMT 脉冲RF功率为W。该器件可用于混合放大器 mm器件的特点：PAE为% 功率密度为.W/mm。不久前在康奈大学的会议上宣布最新的结果 Cree公司宣称 这种晶体管提供的功率比任一GaAs器件高.倍之多 该公司以前报道的结果 在GHz下 器件提供的脉冲功率为W。 Cree已报道GaN MMIC 生长在半绝缘SiC衬底上 初步结果是：在GHz下 脉冲RF功率为W 增益为dB PAE为%。 Cree公司坚信 GaN MMIC表志着高性能宽带隙MMIC基放大器新时代来到 并期待功率和带宽方面更好的其他半 《微电子技术》2001,29(3):17
Ｃｒｅｅ公司研制成工作频率 10ＧＨｚ的ＧａＮＨＥＭＴ ,脉冲ＲＦ功率为 4 0Ｗ。该器件可用于混合放大器 ,12ｍｍ器件的特点 :ＰＡＥ为 2 0 % ,功率密度为 3.39Ｗ /ｍｍ。不久前在康奈大学的会议上宣布最新的结果 ,Ｃｒｅｅ公司宣称 ,这种晶体管提供的功率比任一ＧａＡｓ器件高 2 .5倍之多 ,该公司以前报道的结果 ,在 10ＧＨｚ下 ,器件提供的脉冲功率为 15Ｗ。Ｃｒｅｅ已报道ＧａＮＭＭＩＣ ,生长在半绝缘ＳｉＣ衬底上 ,初步结果是 :在 94ＧＨｚ下 ,脉冲ＲＦ功率为 2 0Ｗ ,增益为 14ｄＢ ,ＰＡＥ为 2 0 %。Ｃｒｅｅ公司坚信 ,ＧａＮＭＭＩ… 相似文献
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介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计,制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立,电路ＣＡＤ优化,ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下,输出功率大于３２ｄＢｍ,增益大于１０ｄＢ。 相似文献
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最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μｍＳＯＩ工艺技术。通过这种技术 ,由ＣＭＯＳ器件实现 2 5Ｇｂ/ｓ的超高速通信用ＩＣ。而且 ,业已证实采用大容量ＳＲＡＭＴＥＧ (ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ :特性评价器件 )有可能实现大规模高速ＬＳＩ。1 局部沟槽隔离技术(ａ) 0 18μｍＳＯＩ技术的开发情况所谓的ＳＯＩ技术 ,就是在Ｓｉ基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (ＳＯＩ层 )结构。与普通的Ｓｉ基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,ＳＯＩ器件则是在薄的ＳＯＩ层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 … 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1994,(4)
ＧａＡｓＦＥＴ高输出放大ＭＭＩＣ据日本《电子技术））１９９４年第６期报道，日本三菱电机公司开发了高效率的ＭＭＩＣ，用于模拟便携电话的发射系统。由ＧａＡｓＦＥＴ两级放大器构成，在３．４Ｖ低压情况下，输出功率为３１ｄＢｍ（典型），效率达６０％（典型），其... 相似文献
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报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。 相似文献
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1 临床资料1 1 病例资料 男性 2例 ,女性 1例 ;年龄 4 6～ 4 9岁 ,平均 4 7岁 ;均为慢性粒细胞白血病 ,曾经多次化疗。1 2 非清髓性预处理方案 (ＴＢＩ+ＦＭＣ)①全身照射 (ＴＢＩ) ,2 0 0ｃＧｙ ,一次性照射 ;②氟达拉宾 (ＦＩＵＤ) ,50ｍｇ/ｍ2 ,静脉给药 ,连续 4天 ;③骁悉(ＭＭＦ) ,0 5/次 ,口服 ,1次 / 8小时 ;④环孢霉素Ａ(ＣＳＡ) ,1 0 0ｍｇ ,持续 2 4小时静脉滴注 ,移植前一天开始用药。1 3 供者及干细胞采集 所有供者均用惠尔血(Ｋｉｒｉｎ ,ｒｈＧ -ＣＳＦ) 5μｇ/ｋｇ.ｄ皮下注射共 5天 ,于第 5天开始用ＢＣＴｓｐｅ… 相似文献
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ＲＦ９９５７是ＲＦＭｉｃｒｏＤｅｖｉｃｅ公司生产的一种带接收ＡＧＣ的ＣＤＭＡ／ＦＭ解调器芯片。它在内部集成了完整的中频自动增益控制（ＡＧＣ）放大器和正交解调器 ,可用于双模式的ＣＤＭＡ／ＦＭ蜂窝移动通信系统和ＰＣＳ系统。该芯片在对接收ＩＦ信号进行放大时 ,可提供１００ｄＢ的增益控制范围 ,并可将中频信号解调为Ｉ和Ｑ通道信号。该芯片的关键指标（如噪声系数和ＩＰ３等）与ＣＤＭＡ蜂窝移动通信系统标准ＩＳ -９８和Ｊ -ＳＴＤ -０１８兼容。ＲＦ９９５７采用先进的硅双极工艺（ＦＴ＝１５ＧＨｚ）设计制造 ,并使用标准的… 相似文献
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采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计，制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试，在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试。放大器的增益大于６０ｄＢ，共模抑制比大于５５ｄＢ，在整个温度范围内偏移电压从１３９ｍＶ，变化到１５９ｍＶ，这些结果证明了采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。 相似文献