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电化学沉积法制备CuSCN固体电解质薄膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用电化学沉积法用水作溶剂在ITO透明导电玻璃上制备出了P-CuSCN薄膜。研究了络合剂对电沉积液为CuSO_4,KSCN水溶液的CuSCN薄膜沉积效果的影响,探讨了利用电化学方法实现CuSCN阴极式沉积的机理,并研究了p-CuSCN薄膜的结构特性和光电学特性。结果表明,制备的薄膜为β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.8eV,表面电导率为0.8×10~3S·cm~(-1),各项参数符合染料敏化PEC电池的基本要求。 相似文献
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GaAs薄膜电沉积的机理与工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:1
报道了电共沉积制备GaAs薄膜的原理与工艺。通过优化工艺参数,在不同的基片上成功地得到了成分接近化学计量比的GaAs薄膜。 相似文献
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描述了电化学沉积砷化镓薄膜太阳能电池时电解液pH值的自动控制。设计了一种以单片机为核心的自动控制系统,以实现电解液pH值的自动检测和自动控制。描述了该系统的原理与构成。指出:这种控制系统具有结构合理、使用方便等特点。 相似文献
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阴极恒电位法电沉积SnS薄膜的性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2 ]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60~1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验表明:沉积电位在-0.72~-0.75V(vs SCE)范围内时,制备出的SnS薄膜的Sn和S的化学配比非常接近1∶1的理想值。用X射线衍射分析其物相结构,结果表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜。用扫描电镜观察该薄膜的表面形貌,发现该薄膜颗粒较细,均匀性较好。通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱,计算得到其直接禁带宽度Eg=1.31eV,与SnS体材的带隙(1.3eV)非常接近。该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-3Ω.cm。 相似文献
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CdTe薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对CdTe薄膜组成和性能有较大影响,通过在电镀液中添加某些稀土离子,结合XRD、TEM、XPS和光电I-V特性曲线进行分析研究,表明电沉积CdTe薄膜存在择优取向,经250℃热处理后,晶粒长大,镀液中添加Y^3+、La^3+、Ce^3+和Nd^3+后增大尤为明显,晶粒线性尺寸最大达2.5-3.0×10^-7m左右,并伴有孪晶产生,可提高薄膜Cd 相似文献
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金属预置层后硒化法制备的CuInSe2薄膜结构特性研究 总被引:3,自引:1,他引:2
CulnSe2(简称CIS)薄膜是太阳电池吸收层的重要材料。利用连续溅射金属层后硒化法制备CulnSe2薄膜。薄膜的XRD图样显示:CulnSe2薄膜的形成与制备条件密切相关;在较大Cu、In原子比的范围内,在一定的硒化条件下,都可以形成以CulnSe2为基体的薄膜。SEM图样显示,不同Cu/In比值的表面形貌有较大的不同。Cu/In接近1时,薄膜的表面形貌均质且颗粒致密。Raman谱图显示,Cu、In配比不当会使薄膜中出现少量的杂相组织,在632.8nm激发波波长下。还有210cmll和229cmll两处的特征峰。通过光吸收测量得到CulnSe2的带隙是1.05eV,通过电导率测量得到其激活能为0.486eV。 相似文献
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热处理对化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用二步化学水浴沉积法制备了太阳电池材料CuInS2薄膜,通过XRD、EDX和SEM,对薄膜的结构、成分、形貌进行了研究,并研究了不同的热处理过程对CuInS2薄膜的形成的影响。研究指出:二步化学水浴沉积法制备的CuInS2薄膜经过非真空的一步高温长时间热处理,薄膜容易被氧化,而在低真空下,采取低温一高温两步退火处理后,薄膜的结晶度和形貌都有一定程度的提高,因此后一热处理过程适合化学水浴沉积法制备CuInS2薄膜的后续热处理。 相似文献
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以普通玻璃作为衬底用化学水浴法制备ZnS薄膜,溶液采用联氨体系。在沉积过程中,NH3浓度对ZnS薄膜本身的透明度、均匀性、平整性和透过性以及结晶性均有重要影响。采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、多功能高分辨率X射线衍射仪(XRD)和nkd-分光光度计等手段研究了不同氨水浓度对薄膜结构和性能的影响。结果表明:当氨浓度不大于1.5mol/L、沉积时间不超过1.5h时,可获得综合性能较好、接近化学计量比的ZnS薄膜,同时在红移方向上得到在较宽波长波段内透过率可达到95%以上的薄膜。 相似文献
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利用直流磁控溅射法,在O2+H2的气氛下制备了NiOxHy薄膜,研究了不同氢气含量对薄膜的初始沉积态、漂白态和着色态透光性能的影响,含氢量为80%时,薄膜的初始沉积态的平均可见光透射比最高。含氢量为60%时,薄膜的电致变色能力最佳。用获得的NiOxHy薄膜制备的反射型全固态电致变色器件的控光范围可达77%。对NiOxHy薄膜三种状态的红外吸收光谱分析表明,NiOxHy薄膜的变色机理可用:Ni(OH)2(漂白态)=NiOOH(着色态)+H++e-表示。 相似文献
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低温沉积氧化锌薄膜电学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属有机物化学气相沉积系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜,在约160℃的低温生长条件下,通过改变n型掺杂气体硼烷的流量来调制薄膜电阻率和光学透过率.基于Hall效应测试分析,研究了掺杂剂硼烷流速对氧化锌薄膜电阻率,载流子浓度,Hall迁移率以及光学透过率的影响,此外还研究了薄膜电学特征参量随薄膜厚度的变化规律.经过一系列优化实验,在玻璃衬底上能够获得低温生长的氧化锌薄膜电阻率约2×10~(-3)Ω·cm,光学透过率的截止波长发生蓝移,从380nm延伸到近340nm. 相似文献
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