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微波场效应晶体管功率放大器的计算机辅助设计与分析技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波GaAs FET CAD、CAA基本原理基础上,着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法,接着介绍了一个直接从GaAsFET小信号S参数建立其大信号模型的新方法,上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。 相似文献
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通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术 总被引:2,自引:0,他引:2
叙述了一种快速评价GaAs微波功率场效应晶体管可靠性的方法,利用该方法对GaAs微波功率场效应晶体管CX562进行可靠性评估。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1995,(1)
高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列南京电子器件研究所已研制出适用于卫星通信及微波系统的高可靠砷化镓功率场效应晶体管系列。它采用器件标准设计、全离子注入、干法刻蚀等高可靠50mmGaAs工艺技术,具有参数均匀、成品率高、一致性好等特点。器件在8GHZ下测... 相似文献
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本文对微波小功率GaAs场效应晶体管的静电失效机理进行了分析。文中对两种静电失效模式(电压型强电场失效和功率型大电流失效)分别进行了分析和阐述。针对GaAs场效应晶体管的失效机理提出了改进措施。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1996,(2)
控制场效应晶体管(CFET)──一种新型的MMIC控制器件据《IEEE1995M.&MM.W.Monol.Circ.Symp》报道,DavidJ.Seymour等研制成一种微波单片控制电路用的新型GaAs器件──控制场效应晶体管(CFET)。为了降低... 相似文献
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江兴 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
具有48%最大功率附加效率的12GHZ,12W HJFET放大器据《IEEEMicrowaveandGuidedWaveLetters》1995年5卷11期报道,作者已成功地制备了一种采用GaAs衬底异质结场效应晶体管的Ku波段功率放大器。该HJFE... 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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本文讲述了微波小信号低噪声场效应晶体管(GaAsFET)放大器的主要特性,提出了该器件在收信系统中的不同使用方案,还对每种方案进行了分析、探讨和系统噪声系数计算。 相似文献
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描述了一种新型共振隧穿结构器件,这种器件包含了通过可变间隙超晶格能量滤波器(VSSEF)中的耦合量子附态的隧穿过程.论证了通过AlAs/GaAsVSSEF器件高能态和AlGaAs/GaAs超晶格受激态的共振隧穿,描述了这种器件作为较高功率微波源和共振隧穿晶体管的应用,并讨论了共振隧穿结构作为雪崩探测器和红外发射器等光学器件的潜在应用. 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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GaAs功率MESFET热阻测试与分析 总被引:2,自引:1,他引:1
李祖华 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):50-58
通过对GaAs功率MESFET的热阻分析、测试及相关热试验,促进芯片结构的优化设计和工艺控制,能有效地提高GaAs器件的可靠性,以延长通讯卫星及微波电子整机的使用寿命。 相似文献
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随着微波半导体技术的发展,近年来出现不少新结构、新器件。本文介绍国外异质结双极晶体管的发展,包括AlGaAs/GaAs,InP/InGaAs,GeSi等开发现状和性能参数达到的水平。 相似文献
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新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏(南京电子器件研究所210016)一、引言众所周知,GaAsMESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定.由于InGaAs的电子饱和速度比Ga... 相似文献