回转器基本特性分析及其实现方法

在有源RC网络综合中,常用电阻、电容和运算放大器的综合。电路微型化的趋势和固件的出现,导致使用回转器和理想变压器而不使用电感来进行综合。在分析了回转器原理及其基本特性的基础上,用回转器模拟浮地电感或接地电感,以及用模拟电感来实现二阶带通与低通电路。并研讨了用运算放大器与负电阻来实现回转器网络的方法。     

回转器理论导言——以电阻,电容和运算放大器模拟电感器

回转器实质上是一个没有线圈的电感器。只在近几年合成电感器才得到广泛使用,然而它的理论已落后于电路一段时间了。在详细解述回转器之前,让我们研究一下电感器的某些基本特性。纯电抗是反相于随频率直接变化的交流电源(感抗)的一种电路成分。直流或零赫,理想的电感器具有零欧电阻(一种理想的导体)和零欧电抗。因而,我们可以说,它也是零欧阻抗——电阻和电抗的矢量和。如为交流,则电感器的电抗按X_L=2πfL公式     

基于电流传输器的检测电路的研究

本文探讨了一种基于电流模技术的小电阻变量测量电路,该电路由电流传输器和运算放大器构成.其设计方案降低了电桥电路的复杂性,输出信号是传统桥式电路的四倍,能适用于多个传感器的检测而不需增加额外电路.实现了利用电流模技术设计的电流传输器对传统电阻桥电路的改进.设计的电路结构简单、精度高、功耗低,在电子测量、仪器仪表等实际应用中具有推广和使用价值.     

一种基于DSP的新型调电路式可控电抗器

调电路式可控电抗器本质是分段连续可调状态的多绕组变压器,利用DSPTMS320F2407设计出调电路式可控电抗器的控制装置并自动平滑连续调节,实现了动态无功自动补偿的目的。本控制系统具有运算速度快,执行效率高等特点。     

直流记忆磁通正交磁化可控电抗器调磁性能

针对传统正交磁化可控电抗器宽范围调磁时励磁功率较大,同时交流磁路与直流电路间存在耦合的情况,提出了一种基于直流记忆磁通的正交磁化可控电抗器。利用可反复冲去磁的铝镍钴永磁体代替直流激磁线圈产生直流磁通,并设计了交直流电路和磁路无耦合的新型正交磁路结构。仿真分析结果表明,该电抗器实现了直流磁路对交流磁路的单方向控制,使电抗器电感的控制调节更加简单。     

双反星形大功率可控整流电路仿真分析

为了对双反星形大功率可控整流电路进行直观准确地分析,在MATLAB环境下,采用Simulink工具箱建立了双反星形可控整流电路的仿真模型。详细说明了带平衡电抗器的双反星形可控整流电路的仿真模型的建立过程,测试了在存在平衡电抗器时,电路带电阻性、电感性负载时的输出特性。为了对比进行说明,同时建立了三相半波可控整流电路的仿真模型。仿真结果表明,用Simulink工具箱构建电路系统的仿真模型方法简单,双反星形整流电路更适合于在低电压大电流领域中应用。     

较大电感或较大电容电路的本安保护设计

本文通过对电感器与电容器贮能原理的分析,提出了本安电路内电感器与电容器的本安保护措施以及电感器与电容器保护电路方面的有关要求,供本安电路设计人员及其他有关人员参考。     

相控电容器式可控串补特性分析

揭示了相控电抗器式可控串补与相控电容器式可控串补的对偶特征。用对偶原理阐述了相控电容器式可控串补的性能及相控特点。分析说明了串补电容器、GTO网的电流电压峰值与串补线路电流峰值、串补电容器的工频容抗值之间的关系，这对于理论上确认相控电容器式可控串补的优越性非常重要。阐述了相控电容器式可控串补具有阻尼次同步谐振和抑制低频功率振荡的能力；相控电抗器式可控串补装置的动态性能是一个其时间常数不大于工频0．25周期的一阶惯性环节。     

非铁磁式电抗器IGBT实现电路仿真分析

引用电力电子线路设计的零值器和泛值器表示绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件,用IGBT器件代替电压反向型电抗器电路和电流反向型电抗器电路中的零值器和泛值器,得到了仅含有电容器和IGBT器件组成的电压反向型和电流反向型电抗器.用Multisim进行仿真分析,从仿真结果可以看出,这两种电抗器的输入电流相位角滞后输入电压90°...     

IGBT电路实现三相可控电抗器电压不对称运行分析

为了探索利用IGBT实现的非铁磁三相可控电抗器在实际工程中的运行状况,对利用IGBT实现的三相非铁磁性电抗器电路进行了基于Multisim软件的仿真分析。通过改变仿真电路的参数,探索IGBT实现的非铁磁三相可控电抗器的可控范围,并模拟实际工程中电力系统的不对称运行情况下IGBT实现的非铁磁三相可控电抗器通的输入电流和输入电压的波形,分析该电抗器在不对称工况下的运行状况。结合了工程实践中的实际应用,分析表明此电抗器能够满足现代电力工业对电抗器的要求。     

基于FGMOS的电压求和电流传送器及其应用设计

本文提出了一种基于FGMOS晶体管的电压求和电流传送器的设计。通过对FGMOS晶体管的等效电路分析,得到其框图和等效电路,并设计出了其电路结构;为了表明提出的电压求和电流传送器的可用性,将提出的电压求和电流传送器用于实现受控振荡器和电压求和放大器;通过SPICE的仿真结果表明,基于FGMOS的电压求和电流传送器不仅具有高的线性特性,而且其电压传递增益和电流传递增益分别可达0.99和0.98。此外,还有着很好的频率响应性能,?0.5V的低电源电压,79.8?W的低功耗和在14k?~2.1M?的线性电子可调谐电阻值。基于电压求和电流传送器设计的受控振荡器具有稳定的正弦输出,而且振荡频率值可以通过偏置电流来控制,设计的电压求和放大器具有高输入电阻和可控的增益。     

新型混合型磁控电抗器的特性研究

针对传统磁控电抗器功率损耗大,谐波电流含量高的特点,设计了一种新型混合型磁控电抗器,该混合型磁控电抗器采用磁阀式可控电抗器与不饱和铁芯电抗器线圈串联技术,中间柱不饱和铁芯上流过的交流磁通为两个边柱铁芯交流磁通之和,磁阀式可控电抗器的直流磁通不流过中间柱铁芯.该结构可以大大减小磁阀式电抗器的线圈匝数,从而减小磁控电抗器的...     

可重构连续型F类超宽带功率放大器

带宽与效率是功放设计中的两项重要指标,如何使功放同时满足宽频带、高效率的设计要求一直是功放研究的热点和难点之一。本文基于硬件智能化技术和连续理论提出了连续型F类超宽带功率放大器,以连续理论扩大阻抗匹配空间,将传统F类功放推广至连续型F类功放,有效拓宽其工作带宽,并以可重构技术将分散的频段整合为整体。通过测试,该功放在0.9～4 GHz范围内,功率附加效率(power added efficiency, PAE)大于72%,增益约为12.5 dB,饱和输出功率为41 dBm。本设计将可重构技术和连续理论二者优势结合,具有宽频带、高效率、智能性等优点,能够很好地适应5G无线通信系统的需求。     

On the derivation of current-mode floating inductors

It is shown that current-mode floating inductors can be derived from two basic circuit topologies based on operational transconductance amplifiers. Most of the well-known active inductors can be derived by replacing the transconductance amplifiers in the basic topologies by equivalent circuits incorporating current conveyors. By this consideration the relationship between apparently unrelated circuits is shown and new circuits are derived in a systematic way. © 1997 by John Wiley & Sons, Ltd.     

磁饱和式可控电抗器的工作特性及其仿真研究

介绍了一种具有完全对称磁路结构的磁饱和式可控电抗器,分析了该种可控电抗器的基本电路结构、工作原理和工作状态,并理论分析了该种可控电抗器的工作特性,主要是控制特性和谐波特性,得出了该种可控电抗器输出电流及其波形畸变率与控制量,即控制绕组所联结晶闸管触发角的非线性函数关系。通过对一小容量工业样机进行详细的仿真研究,得出了更为具体的反映该种磁饱和式可控电抗器输出电流随饱和度变化的响应特性和谐波特性。仿真结果与理论分析相一致,验证了仿真模型的正确性与精确性,并由此表明了该种磁饱和式可控电抗器具有控制性能良好、输出电流谐波分量很低的工作特性。研究结果对于该类磁饱和式可控电抗器的工程设计与运行分析具有一定的理论指导与实践参考意义。     

可直接分析与计算的变压器等效电路模型

针对电网中不同电压等级网络间分析和计算方法复杂,不能进行直接分析与计算的问题,依据电路的网络理论,提出了一种含理想运算放大器的变压器等效电路,采用理想运算放大器实现受控源的方式,建立了变压器工程化模型电路,并对电路的网络方程进行了理论推导和电路的模型进行了仿真.仿真结果表明,该工程化模型不但能模拟等效变压器电路,而且电路方程也满足变压器的网络方程,从而在含有变压器的电网中实现了不同电压等级网络间的直接仿真分析与模拟计算.     

An adaptive digital processor for power efficiency enhancement in hybrid supply modulators

A novel digital envelope modulator for envelope tracking radio frequency power amplifier is presented in this paper. The proposed modulator consists of a parallel combination of linear class AB and switching class D power amplifiers that are controlled digitally. In the previous analog architectures, the requirements needed for the AB operational amplifier such as high‐current driving capability, high bandwidth and large output swing is usually obtainable at high overall static power dissipation. The digitally controlled power opamp presented here not only provides the aforementioned requirements but also reduces power dissipation compared with previous work. Furthermore, the digital control of the modulator makes it adaptive to the input signal variations in comparison with conventional analog parallel hybrid envelope modulators. The digital processor of the modulator is evaluated with a 45‐nm complementary metal oxide semiconductor technology. The overall power consumption of the digital processor is around 142 mW at 1.5‐GHz clock frequency. As an application, the designed digital class AB is incorporated in a complete envelope modulator architecture. The overall efficiency of the modulator, including the digital processor power consumption, is around 82% at an average 32 dBm output power for a 5‐MHz input signal. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

大功率低频、超低频放大器实现途径及特点

提出了关于无线电低频、超低频频段大功率放大器的实现方法,并介绍了4种放大器的特点.低频、超低频放大器随着应用的发展,所需要的功率等级越来越大,从20世纪50～60年代的几十千瓦到现在的几百千瓦、几兆瓦,尤其是军事、导航和高频加热等领域,几兆瓦的需求比比皆是,放大器的功率从小到大,到超大功率在迅猛地发展.就此提出了基于4...     

Broadband and compact impedance transformers for microwave circuits

Most microwave circuits and antennas use impedance transformers. In a conventional power amplifier, large number of inductors and capacitor or transmission line sections are use to realize an impedance transformer. This article presents an asymmetric broadside-coupled microstrip TLT (transmission line transformer) on the GaAs substrate. This matching network can be easily implemented using any monolithic microwave integrated circuit (MMIC) process supporting multilevel metallization.