国外部分片式体声波和声表面波器件的近况

近年来,国外采用表面贴装技术把片式元件固定在印刷电路板上,取代了标准的DIP和带轴向/径向引线元件的组装技术。这一技术的更新,导致了片式电子元件的迅猛发展,并广泛用于各种消费类电子产品中。本文主要介绍日本新近生产的几种片式体声波(BAW)器件和声表面波(SAW)器件的结构、制法,及其主要性能和应用。     

新型片式元件与材料发展现状与展望

片式元件是90年代后适应表面贴装技术发展起来的新型元件，代表着世界电子元件的发展趋势。随着集成电路技术，数字化技术和便携式电子设备的发展，其品种，数量正在不断扩大，价格也不断下降，片式化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一。[编按]     

浅谈电子元件的片式化发展

目前,片式元件已成为电子元件的发展主流,在电子元件领域,其片式化率逐年提升,数据显示,当前的电子元件片式化比重已经超过了七成.其中,手机、平板电脑、笔记本电脑等中高端电子产品使用片式元件的比例更高,可达100:1.本文将就电子元件的发展趋势展开论述,浅析片式化技术对电子元件行业发展的影响.     

电子元件的发展与片式化趋势

片式元件是电子元件发展的主流，目前，电子元件的片式化率已高达70％。在各类整机电路中，片式元件和半导体有源器件的数量比通常在20：1至50：1左右，其中在一些高端电子产品（如手机、笔记本电脑等）当中，片式元件的比例更高，有时甚至可达100：1。进入21世纪以来，电子信息技术的高速发展不断对元件技术提出了新的要求，从而有力地推动了电子元件产品进入一个迅速升级换代的时期。     

世界电子元件技术水平

片式化已成为衡量电子元件技术发展水平的重要标志之一，全球各个国家和地区均已大力发展片式元件，无论是日、美和西欧，还是亚太地区，包括印度等发展中国家和地区。目前，各类电子元件，包括无源元件、机电元件、音响元件和复合元件，均已有相应的片式化产品，如电阻器、电容器、电位器、电感器、连接器、继电器、开关、蜂鸣器、扬声器、滤波器、振荡器、延迟线、变压器、传感器等。     

终端给贴装设备制造商带来挑战

随着无源电子元件体积的缩小，进一步小型化已经成了与各种技术工艺相关的互连技术。过去的丝网印刷、回流等焊接技术无法同一块电路板上成功焊连对焊球间距、引脚宽度和间距等要求极高、繁复多样的电子元件。这就孕育了电子制造行业的一个特殊分支——生产功能模块，其内部集成了元件（如01005无源元件）和引脚宽度和间距更小的电路基片。     

片式阻容元件生产设备的应用及发展

片式电子元件已成为当今元件的主流产品，尤其片式阻容元件的使用数量最多，而片式阻容元件生产设备的自动化程度及精度直接决定了片式阻容元件的产量和质量，近几年，国内一些厂家在 外同类设备的基础上，根据实际生产工艺的需求开发出自己的片式阻容元件国产化生产设备，并已使用在实际生产中，本主要介绍我公司部分专用设备的功能，特点，适用范围，技术指标以及发展前景。     

21世纪电子元件的发展趋势

２１世纪电子元件的发展趋势主要是元件片式化、包装编带化、生产专业化和规模化、工艺精细化、生产环境“绿色化”,电子元件企业要创新管理,并在生产过程中符合社会保障的要求。鉴于市场日益国际化,电子元件的发展更应顺从知识经济规律。     

片式元件小型化低成本方向不变国内企业面临新一轮整合

<正>我国片式元件发展起步晚,技术水平和生产规模处于行业劣势地位,面临激烈竞争。国内企业纷纷表示要通过增加产品的技术含量扩大发展空间。随着电子产品不断向小型化、轻型化方向发展,带动了全球片式元件的飞速增长。电子元件向片式化方向发展已经成为趋势,业内专家预测,21世纪初期片式元件将在全球元件使用上占有更大的市场份额,     

世界电子元件工业发展态势研究

90年代是世界电子元件工业迅速变化发展的十年,90年代初,随着电子设备小型化和表面组装技术(SMT)的发展,电子元件小型化、片式化成为元件发展的必然趋势。到90年代中期,各种表面组装元件(SMC)已逐渐成为电子元件的主流产品。某些电子元件产品如圆片陶瓷电容器及片状钽电解电容器在发达国家已基本上实现了产品的片式化。另外,受通信设备及计算机和网络日新月异的更新换代速度以及亚洲金融危机影响,使世界电子元件工业不断的调整,出现了一些新的特点。     

全自动丝印机中的凸轮设计及应用

全自动丝印机是片式元件生产中的关键设备。该设备具有两个工位,它适应于电阻、电容、厚膜电路的印刷。两个工位能够连续自动执行全部印刷过程,并且可以实现左、右两个工位同时印刷两种不同的片式元件和浆料。印刷速度可达1380片/h,生产率高,可靠性好。其中对于保证基片定位精度达到0.015mm和重复定位精度达到0.01mm,从而保证整机有较高的丝印精度,凸轮机构的作用至关重要。主要阐述全自动丝印机中送料和定位装置的凸轮设计及应用。     

表面贴装生产工艺过程及分析

介绍表面贴装产品生产的工艺流程。论述了元器件入检、印制板入检、元器件选用与印制板设计之间的关系;涂覆与丝网印刷;SMD贴装;回流焊接中各个阶段温度控制等方面内容。     

片式多层陶瓷电容器全自动薄膜丝印机的研制

针对目前片式多层陶瓷电容器生产工艺的主要特点,提出了一种适用于Roll to Roll制造工艺的全自动薄膜丝印机,并从工作原理及系统构成、丝印原理、薄膜载体的输送运动、干燥原理、电气控制系统等方面进行了研究与开发,达到了实际生产的要求。     

DOE在SMT丝网印刷中质量改进的应用

影响丝网印刷质量的主要因素有焊膏的特性、模版与PCB的制造质量、印刷机的工艺参数和性能以及操作工艺流程是否规范等。当前,由于无铅焊膏的使用,焊膏物理性能变化,需要重新摸索调整无铅焊膏的印刷参数,以获得最好的焊膏印刷质量。文章借助质基改进中DOE质量工具的理论,结合实际工艺参数特性建立了相应的正交表,并采用了极差分析法和MINITAB软件分析法。通过建立最优响应模型,选出了最优参数的近似值,并得到了实际生产中的验证,明显提高了SMT良率。     

纸基RFID标签天线印刷工艺参数的优化试验

材料与制作工艺造成的成本过高是RFID标签普及化应用的障碍。应用导电银浆与丝网印刷技术,可以解决RFID标签的低成本化问题。本文以丝网印刷技术在纸基材上印刷导电银浆而制作出RFID标签天线,研究了丝网印刷天线的工艺参数,讨论了工艺参数对制作RFID标签性能的影响,并通过优化试验对刮板施加给网版的压力,印刷速度,导电银浆固化温度与时间等制作工艺参数进行优化,得出最佳工艺参数,并制作出满足电阻特性的RFID标签天线。     

基于IRMCK201和ZigBee的圆网印花同步控制系统

针对圆网印花系统中导带驱动辊与圆网驱动对速度同步的要求,提出了基于IRMCK201和ZigBee技术的圆网印花同步控制系统,给出了同步控制系统结构。选用IRMCK201专用电机伺服控制芯片作为各驱动电机的伺服控制器,选用基于ZigBee技术的无线芯片CC2430作为系统主控制器和数据通信网络。设计了伺服控制电路、主控制器和无线通信节点电路以及相应的程序流程,实现了圆网印花系统各单元的速度同步控制。运行结果表明,该系统稳定可靠、抗干扰、能耗低、体积小、成本低,为纺织生产中圆网印花各驱动单元的同步控制提供了一种新技术。     

Low-cost direct chip attach: comparison of SMD compatible FCsoldering with anisotropically conductive adhesive FC bonding

Small modules on the basis of laminate substrates are often used as a functional subunit in electronic applications. Currently most of them are made by chip and wire technique as one kind of bare chip assembly to fulfill the requirements of size reduction. Low cost flip-chip technology is one of the most promising approaches for further cost and size reduction. In this paper a special car radio submodule is chosen for exemplification. We compare a SMD compatible FC soldering process using eutectic solder bumps and underfilling with an anisotropically conductive adhesive (ACA) FC bonding process using tape or paste materials. FC Soldering: For FC soldering an electroless, maskless Ni/Au plating for under bump metallization (UBM) was chosen. The solder deposition itself is done by stencil printing whereas other cost efficient deposition techniques in the market have been observed. The FC assembly is integrated into a standard SMD line. Different underfill methods for quick underfilling are shown and failure mechanisms and lifetime predictions of assembled flip chips are demonstrated. ACA-FC Bonding: For this process electroless Ni/Au bumping is used as well. An assembly process for ACAs using a semiautomatic FC bonder is developed. In order to reduce the time for mounting the ACA has been precured. The aspects of different process flows including ACA deposition techniques, tape and paste adhesives and filler materials are discussed. The influence of high current, climate, and thermal cycling on the contact resistance and the low frequency noise spectrum is shown. In summarizing this work we describe the benefits and disadvantages of both techniques and discuss the potential for further developments and applications     

金属3-D打印制造技术的发展

归纳了当前金属3-D打印技术的发展情况，指出了各类3-D打印技术优缺点，从发展历史、工作原理等方面讨论了典型3-D打印技术的技术特点; 在此基础上，对选区激光熔化技术的研究前景进行展望，即激光选区熔化技术作为金属3-D打印一个重要分支在各领域具有更广泛的应用; 提高材料性能、设备功能、结构设计及制造工艺的研发水平，可极大推动金属3-D打印技术的发展。随着金属打印技术的成熟，3-D打印的应用必将会覆盖更多金属制造产业，成为未来最重要、最具战略意义的制造技术。     

丝网印刷与厚膜IC技术

丝网印刷与厚膜IC技术是微电子技术的核心技术之一,IC技术是指以半导体晶体材料为基础,采用专门工艺技术组成的微小型电路或系统,分别叙述了厚膜IC与网版和厚膜IC与印墨及厚膜IC等印刷技术,简单介绍了厚膜电阻的制作工艺。     

Simplified Large‐Area Manufacturing of Organic Electrochemical Transistors Combining Printing and a Self‐Aligning Laser Ablation Step

A hybrid manufacturing approach for organic electrochemical transistors (OECTs) on flexible substrates is reported. The technology is based on conventional and digital printing (screen and inkjet printing), laser processing, and post‐press technologies. A careful selection of the conductive, dielectric, and semiconductor materials with respect to their optical properties enables a self‐aligning pattern formation which results in a significant reduction of the usual registration problems during manufacturing. For the prototype OECTs, based on this technology, on/off ratios up to 600 and switching times of 100 milliseconds at gate voltages in the range of 1 V were obtained.