区熔堆积法制取大尺寸铌单晶

采用环形锥状电子東区熔加“堆积”的定向凝固技术制取了尺寸达30～35x200mm的高纯铌单晶。研究了原料品位及工艺参数对单品质量的影响,确定了大尺寸铌单晶的稳定生长工艺条件。并将本法与传统方法作了比较。     

等离子体熔炼法制取WC—Co粉末

据稀有金属网于1995年No1报导，北京有色金属研究总院最近研制成功用等离子体熔炼法制取WC－Co硬质合金粉末。传统的制取方法是要长时间的破碎研磨，工艺冗长复杂。此新工艺可直接得到不同粒度的粉末，可按需要制得不同山含量硬质含金粉末，粉末的氧含量低，一般为0．1～0．15％。由该粉末的制成的合金经磁饱和强度和X射线衍射分析表明。WC－Co的合金化程度比国内同类产品要高。金相分析表明WC的粒子表面Co层分布均匀。该粉末的粒形呈／球形或者椭圆形，流动性好；粉末粒径范围为10－80μm。WC－Co粉经等离子体喷涂试验，效果很好，Co…     

电子束熔炼制取高纯钛及其应用

近年来,高纯钛开始用于超大规模集成电路等各种电子材料领域。为了适应这一 需求,进行了高纯钛制取的开发研究。以往的小规模制取高纯钛的有效方法,如熔盐电解法、碘化法等,可进行工业规模的生产,然后再将这种高纯钛为原料,经高真空下的电子束(EB)熔炼,可制得超大规模集成电路用的超高纯度钛。     

镁合金高纯净化熔炼技术的研究

从理论上分析了熔炼高纯镁合金时的原材料选择,指出了熔炼高纯镁合金在理论上的合理途径.改进传统工艺成功地熔炼出了高纯镁合金AZ91D.试验证明,只要合理的制定工艺,用经济的传统工艺并结合必要的创新技术,完全可以生产出质量符合标准的高纯镁合金.     

改善高铌强化型单晶高温合金使用性

本发明公开一种改善高铌强化型单晶高温合金使用性能的热处理方法：针对单晶合金无晶界的特点以及时效热处理工艺，按如下步骤操作：1）高温均匀化处理：将试样置入1140～1170℃环境下．保温5-30h；消除有害相及铌偏析，冷却；2）常规时效处理析出强化相，即得产品。本发明可大幅度提高高铌强化型高温合金铸件的强度并一定程度地改善其塑性，同时保留铸造合金连接．最少．易于成型和加工周期短的特点．因此合金的使用性能获得明显改善．     

电子束熔炼法制取钽丝的工艺及脆性研究

本文研究了用添加金属钇的一次电子束熔炼锭制取钽丝的工艺,探讨合金元素钇的适宜加入量,提出合理的加工工艺制度。试验结果表明,由于钇的加入,钽丝晶粒明显细化,再结晶温度提高,其机械性能、电性能及弯折性能均达到了技术指标所规定的要求。同时,对导致电解电容器阳极引线钽丝变脆的某些因素进行了研究。     

功能材料高纯铌的制备和应用

稀有金属、精细陶瓷、复合材料是现代高科技产业必不可少的材料，近年来开发速度非常快。特别是稀有金属要想进入实用化必须提高纯度，而且在提高纯度的同时，也期待着发现新的应用功能。作者以稀有金属铌为对象，介绍粗铌精炼的高纯化工艺和高纯铌在功能材料中的应用。     

区域熔炼制备高纯金属研究进展EI北大核心CSCD

区域熔炼法是一种制备超高纯金属的深度提纯技术。随着精密电子仪器、航空航天、现代通信、光伏半导体等战略性新兴产业的进一步发展,对高纯金属的需求将进一步扩大。降低杂质含量、明晰杂质迁移机理、提高生产效率一直是高纯金属研究的重点。本文系统总结了区域熔炼制备高纯金属的研究进展,包括区域熔炼的原理、参数优化、分析方法、局限性及未来发展方向等,并对区域熔炼制备技术的发展方向做出了展望,以期为区域熔炼机理研究、工艺参数改进、设备优化和降低生产成本提供理论指导。     

单晶SiC上用CVD方法制取Si_3N_4薄膜

作为高温结构材料的硅一硅系统复合材料正受到愈来愈多的关注。Si3N4以其较好的强度、稳定性和耐腐蚀性而成为制取高温复合材料的重要原料。如今Si3N4和SiC制取复合材料一般用热压和热等静压方法。然而这些方法需使用添加物以促进烧结，从而对高温下制取的复合材料的机械性能产生不利影响。研究表明，用化学气相沉积方法（CVD）制取a－Si3N4；与热压法制取的Si3N4；比较具有较高的蠕变极限和较强的耐腐蚀性。用CVD方法制取的Si3N4；层可作为电子工业中的钝化层和结构材料中的绝缘涂层而广泛使用。CVD方法制取Si3N4薄膜的密度、硬…     

真空悬浮熔炼高铌TiAl合金铸锭的成分组织均匀性

从宏观缺陷、化学成分分布、O含量和微观组织等几个方面,分析了真空悬浮熔炼制备高铌Ti Al合金铸锭的冶金质量。结果表明,经过合理设计锭模可以获得集中缩孔面积小、无裂纹的铸锭。真空悬浮二次熔炼获得的铸锭不同部位有成分>1at%的Al宏观偏析;采用优质原料,通过抽真空→熔化→充氩气→精炼的工艺路线可以使合金的含氧量达300μg/g。虽然存在Al宏观偏析,但是不存在原料未熔和在铸锭局部富集的现象,铸锭组织为近片层组织。     

离子交换一步法制高纯仲钨酸铵的扩大试验

将含１３４ｇ／ＬＭｏ，８９ｇ／ＬＷＯ３，２６１９ｇ／ＬＣＯ２－３的Ｎａ２ＷＯ４原料溶液，用膜电解回收游离碱后，转变钼为硫代钼酸盐，调整溶液浓度，并让其通过三根ｄ２００ｍｍ及一根ｄ３００ｍｍ的串联的交换柱，Ｍｏ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｉ在一列交换柱的不同部位被除去，而得到纯（ＮＨ４）２ＷＯ４溶液，最终产品达到ＧＢ１０１１６８８的ＡＰＴ０级标准     

利用固相合成法制取高功能镁基复合材料

镁与周期表第ⅣＢ族元素之间在平衡状态下可生成Ｍｇ2 Ｘ(Ｘ =Ｓｉ,Ｇｅ,Ｓｎ ,Ｐｂ)金属间化合物 ,其中Ｍｇ2 Ｓｉ密度最小 (1 91 7ｇ/ｃｍ3)而且具有高熔点 (1 1 0 2℃ )、高刚性(1 2 0ＧＰａ)。因此 ,通过镁粉 /硅粉混合物的固相反应则可生成Ｍｇ2 Ｓｉ,但是镁粉表面存在着稳定的ＭｇＯ膜构成了阻碍Ｍｇ和Ｓｉ直接反应的障碍。然而这种ＭｇＯ表面膜是多孔质的 ,加以较小的外力即可将其破坏除掉 ,从而暴露出活性的镁粉新生表面 ,在其同硅粉表面接触的界面上发生固相扩散并进行Ｍｇ2 Ｓｉ的合成反应 ,因此增加它们的接触界面和减小硅粉粒…     

阳离子交换ICP-OES测定高纯氧化铌中十三种杂质元素

样品用氢氟酸溶解,阳离子交换分离铌基体富集杂质元素,4mol/L硝酸洗脱杂质,用电感耦合等离子体发射光谱法测定。研究了阳离子交换的条件,考察了分离效率及残余铌量对测定的影响,绘制了洗脱曲线,相对0.2μg/g～5μg/g的加标回收率为82%～115%,相对标准偏差为0.31%～22.43%。     

电子束环焊2 mm高纯铌熔池行为的数值模拟

基于VOF 算法建立了2 mm 厚的高纯铌电子束环焊过程的三维数学模型,在模型中考虑了金属蒸气反冲压力、表面张力、重力等关键熔池驱动力,计算出了环形熔池的温度场和流场对熔池中关键位置进行分析,并总结了纯铌环焊熔池的特点.模拟结果表明,在纯铌环形结构未熔透时,由于母材对熔池的支撑作用,匙孔波动情况与平焊类似;在环形结构焊...     

电子束环焊2 mm高纯铌熔池行为的数值模拟

基于VOF算法建立了2 mm厚的高纯铌电子束环焊过程的三维数学模型,在模型中考虑了金属蒸气反冲压力、表面张力、重力等关键熔池驱动力,计算出了环形熔池的温度场和流场对熔池中关键位置进行分析,并总结了纯铌环焊熔池的特点。模拟结果表明,在纯铌环形结构未熔透时,由于母材对熔池的支撑作用,匙孔波动情况与平焊类似;在环形结构焊透后,在Marangoni效应和重力的作用下,熔池表面液态金属加速扩展。此外,数值模拟与试验结果吻合良好,验证了数学模型的合理性。     

氢化发生ICP-OES测定高纯氧化铌中铋、硒、碲量

提出了氢化发生电感耦合等离子体发射光谱法(HG-ICP-OES)测定高纯氧化铌中铋、硒、碲的分析方法。优化了氢化条件,选择了最佳仪器参数,研究了氧化铌基体对氢化物测定的影响。铋、硒、碲的检出限分别为0.1、0.2、3μg/g,加标回收率为90%～120%,相对标准偏差小于10%。     

真空区域熔炼法制备高纯铝过程中杂质的分布（英文）

提出一种真空区域熔炼法制备高纯铝的新工艺。通过确定平衡分配系数,研究杂质的轴向偏析。理论分析和实验结果表明,平衡分配系数k₀<1的杂质(Cu、Si和Fe)在铝锭尾部累积,而Ti (k₀>1)在铝锭首端累积。当熔区以1.5 mm/min的速度移动并进行15次区域熔炼后,杂质的去除率和铝的纯度最高。在铝锭中部,即距铝样首端140 mm处,铜、铁和硅的去除率均高于90%,钛的去除率高于75%,铝纯度高于99.999%。铝样品的纯度符合99.999%(5N)工业用高纯铝标准的要求。