大功率准分子激光器放电激励电路

本文通过对一台１００Ｗ ＸｅＣｌ准分子激光器的实验研究，给出了一种实用的大功率准分子激光器的放电激励电路。     

一种用于智能化激光显示系统的CuBr激光器

专门设计了激光放电管的套筒结构及合页式圆筒状加热装置,并在激光器脉冲放电电源系统中,采用了单级磁脉冲压缩器,使CuBr激光器在输出功率、稳定度及器件寿命等性能得到显著提高.     

鳃、钙离子复合激光激励电路的分析

对Sr^ 、Ca^ 复合激光所用的Blumlein电路的放电过程和脉冲波形进行了计算机模型。在相同电路参数时,经模拟得到的放电管电流脉冲波形和实测的波形相一致。给出了该电路中各元件上放电脉冲波形间的时间关系,明确了放电过程的先后次序以及对应放电管的击穿电压和时刻。计算和比较了不同电路参数组合时流过放电管的电流脉冲波形,按照复合激光对放电电流脉冲后沿的要求,获得了一组较佳的电路参数。     

CuBr激光器放电回路参数优选的正交设计实验

为使CuBr蒸气激光器的工作状态最佳(稳定且高效),利用正交设计实验方法对其放电回路参数实行最佳搭配实验,得到了一组放电回路参数,可使CuBr蒸气激光器工作在最佳状态。     

注入种子CuBr激光器中的光谱控制

报道了采用注入种子方法．对ＣｕＢｒ激光器进行激光模式控制的实验结果。实现了单纵模ＣｕＢｒ激光脉冲的注入放大，获得了功率为１００ｍＷ水平的窄线宽铜激光辐射．在理论上分析了短脉冲高增益激光器中注入种子过程，讨论了在注入种子ＣｕＢｒ激光器中进行光谱控制的实验结果．     

CuBr蒸汽激光器小型化的研究

本文从优化放电管结构,防止布氏窗口污染,放电回路参数最佳化几方面入手获得了一种小型化的CuBr蒸汽激光器,具有一定的应用前景 .     

TEA CO2激光器电源及电路分析

本文叙述了横向激励大气压CO2激光器对电源物要求，分析了降低放电回路电感对输出激光脉冲性能的影响，给出了一个实用的TEA CO2激光器电源.     

射频放电激励激光器阻抗特性实验研究

利用自行研制的传感器＾「１」,通过对射频放电电压电源以及其相位角的精确测定,结合放电管的等效电路,对内置电极射频气体放电激励激光阻抗特性进行研究,得出内置电极射频气体放电激励激光器等离子体的伏安特性曲线,以及等离子体电阻和气体压强、气体放电电流之间的关系。     

金属蒸气激光相互作用电路参量的最佳化

建立了一个完整的计算机模型．详细描述了相互作用电路的放电动力学过程。数值求解了电路中各电容器和激光管的放电电压和电流脉冲波形,得到了与实测波形一致的模拟结果。根据金属蒸气激光对放电电流脉冲的要求．进一步优化了电路参量。得到一组最佳电容组合为C1=1nF、C2=C3=0.3nF和Cn=2.5～3.5nF。     

实用化10W溴化亚铜激光器

设计了一种新颖的金属筒式加热器，使气体激光放电管轴向温度分布均匀。实现了缓冲气体流动的溴化亚铜激光器功率增长２倍，效率达到１％，在激光输出平均功率９Ｗ水平上持续稳定运转，最大平均功率为１０．６Ｗ。     

溴化亚铜蒸气激光像亮度增强投影显微镜

作为像亮度增强器，金属蒸气激光器，尤其是铜蒸气激光器有独特的优点：气体激活介质的高度光学均匀性，足够高的章程增益，高达20KHZ的重复频率，以及正好发射出现觉最     

一种用于混合电压芯片的新型ESD防护触发电路

为了降低芯片成本,通过使用低压器件串联的方式构造静电防护触发电路,使芯片在没有使用高压I/O器件的情况下实现了高压电源域的ESD防护。由于该触发电路未使用电容器件,因此有效地降低了ESD触发电路所占用的芯片面积,并且该电路为静态电压触发,其开启时间可远长于一般电容电阻耦合的触发电路。通过在HSPICE中使用类ESD(ESD-like)的方波脉冲,可以看出该电路在发生ESD时能有效地触发ESD器件,而在芯片正常工作时不易因外界干扰而产生误触发。     

溴化亚铜脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣临床研究

用ＣｕＢｒ脉冲激光光动力学疗法治疗鲜红斑痣８例２１个区域，其中１１个区红色完全褪去，７个区残留少量浅色，３个区红色明显褪去，２０个区域无疤痕形成。     

一种适用于治疗鲜红斑痣的CuBr激光器

专门设计了CuBr激光放电管的结构、加热系统及激光谐振腔，使CuBr激光器在8W水平上持续稳定运行；并且黄绿激光可以分色双向输出，非常适合鲜红斑痣的治疗。     

脉冲激光探测电路设计

脉冲激光探测电路的设计是激光应用领域的重要内容,根据脉冲激光信号的特点,从探测能力、响应时间、稳定性三方面对脉冲激光探测电路的设计进行研究,重点论述了光电探测系统组成的三个重要组成部分：光电探测器、光电转换电路和探测器偏置电路。深入分析了光电探测器的选型、利用电阻进行光电转换电路的特性以及利用跨导放大器进行光电转换电路的特性,对于激光探测系统的设计有一定参考价值。     

一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路

根据伞芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新犁结构保护电路,采用0.6μm标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证.通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%.该保护电路通过了5kV的人体模型测试.