射频溅射法制作Y2O2S∶Eu发光薄膜

在钇铝石榴石单晶基片上用射频溅射法制取了Y2 O2 S∶Eu红色发光薄膜。利用正交试验法 ,对溅射气体 (Ar H2 S)中H2 S浓度、退火气氛中SO2 与H2 的比例、退火温度和退火时间等工艺条件进行了优化试验。给出了实验结果并对其进行了讨论。     

新型透明导电薄膜In2O3∶Mo

MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下 ,用常规的反应蒸发法 ,在约 35 0℃ ,1 2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射比 (含玻璃基底 )可超过 0 80 ,同时电阻率可以低至 1 7× 10 -4 Ωcm。     

Optical properties of O2 − centres in KCl∶NaCl mixed crystals

The optical properties of O₂ ^– centres in KClNaCl mixed crystals were investigated. The timeresolved spectra and the fluorescence decay time are shown. From the measurements of the radiative decay time, the oscillator strength of the absorption,f _ab=0.045, the oscillator strength of the fluorescence,f _fluo=0.019, and the activation energy E=0.22 eV for the O₂ ^– centre in KClNaCl were determined.     

Thermal studies of Cr2O3 doped CaCO3-SiO2 (2∶1) system

Mixtures of CaCO₃SiO₂ in 21 molar ratio were subjected separated to thermal analysis with varying concentration of Cr₂O₃ (0.1 to 5%) as dopant. The activation energy (E _a) and enthalpy (H) shows a decreasing trend with 0.1 to 1% Cr₂O₃ and attains a minimum value with 1% dopant. 0.1 to 0.5% Cr₂O₃ helps in the formation of and C₂S, (Cement Chemistry notations, C = CaO, S = SiO₂) phases at 1400° C and above but 1% Cr₂O₃ stabilizes -C₂S phase along with a little free lime and CaCrO₄. A small quantity of CaCrO₄, Cr₂SiO₂ and -C₂S are also formed along with the major phases with 5% Cr₂O₃ indicating that Cr³⁺ can substitute both Ca²⁺ and Si⁴⁺ ions in the C₂S lattice.     

超细Y2O3∶Eu荧光粉的制备及其阴极射线发光研究

介绍了尿素 溶胶法制备粒径为 10 0～ 2 0 0nm的超细Y2 O3 ∶Eu荧光粉的实验。对荧光粉的粒径和形貌进行了SEM分析 ,测量和分析了荧光粉的XRD谱图以及微观晶体结构 ,测量了 8kV电压下荧光粉的阴极射线发光的光谱和亮度 ,并与商品微米Y2 O3 ∶Eu荧光粉进行了比较。对实验结果进行了讨论     

The K2O·Al2O3-Al2O3 system

The phase relationships in the system K₂O · AL₂O₃-Al₂O₃ between 1200 and 1700° C have been experimentally established. The homogeneity range of potassium -alumina is limited by the 83 and 91 mol % Al₂O₃ compositions. The eutectic point between the K₂O-Al₂O₃ and -alumina was found to be at 1450° at about 62 mol % Al₂O₃ composition. An X-ray diffraction pattern analysis of potassium -alumina is shown.     

Gd2O2SO4∶Eu3+亚微米棒的水热合成及发光性能

以Gd2O3、Eu2O3、H2SO4和NaOH为实验原料,采用水热法合成了Gd2O2SO4∶Eu3+亚微米棒。XRD和FT-IR分析表明,前驱体Gd2(OH)4SO4·nH2O通过水热合成和随后的热处理(900℃,2h)能转化成纯相Gd2O2SO4。FE-SEM显示,Gd2O2SO4粉体具有边长500～800nm、长度大于10μm的亚微米棒状结构。PL光谱分析表明,在270nm紫外光激发下,Gd2O2SO4∶Eu3+的主发射峰位于618nm,呈现红光发射,归属于Eu3+的5D0→7F2跃迁,其跃迁具有单指数衰减行为,荧光寿命为1.13ms。     

纳米BaO·3B2O3·4H2O∶Eu3+红色荧光粉的制备及发光性能研究

利用水热法制备了球状和不规则片状的纳米新型水合硼酸盐基质荧光粉(BaO·3B_2O_3·4H_2O∶Eu~(3+)),对它们进行了化学分析、EDS、XRD、FT-IR、SEM、TG-DTG-DTA等表征。此外,对比了基质和掺杂后样品的物相和形貌,研究了两种形貌BaO·3B_2O_3·4H_2O∶Eu~(3+)的发光性能。结果表明,Eu~(3+)的掺入对其物相和形貌影响较小。研究发现形貌对产品的激发峰位置有一定的影响,对产品的发射峰位置基本没有影响,最高发射峰都位于λ=617nm;但对发射峰强度影响较大,且球状产品的发射峰强度强于片状的产品。研究结果还发现,形貌对产品的Eu~(3+)淬灭浓度影响小,但对产品的红橙比有一定的影响,片状BaO·3B_2O_3·4H_2O∶Eu~(3+)的平均红橙比更高。对比还发现,制备产品的色纯度高于部分无水硼酸盐基质荧光粉。     

Y2O3∶Eu3+纳米管阵列的荧光和拉曼光谱研究

用电场辅助电沉积的方法,在多空有序氧化铝模板(AMM)中成功合成了Eu3 掺杂的Y2O3纳米管阵列.扫描电镜和透射电镜观察表明这些稀土化合物纳米管是均匀、连续的、且相互平行.纳米管的外径大约60nm、壁厚3nm.实验中得到的全是纳米管,没有发现纳米丝.XRD、Raman光谱、XPS和荧光光谱表明Eu3 离子确实进入了晶格.大部分Eu3 离子占据缺少反对称中心的C2位置,只有少量的Eu3 离子占据具有对称中心的S6位置.在394nm波长的紫外光激发下,Y2O3纳米管阵列的发射光谱仅在612nm处有一个峰,这对应于Eu3 中电子的5D0→7F2跃迁.当Eu3 与Y3 的摩尔比为7.5%时,纳米管阵列的发光最强.     

硅衬底Al2O3∶Tb3+薄膜的制备及其发光性能

采用溶胶凝胶法在硅衬底上制备了Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜; 并采用DTA-TG、XRD、SEM、AFM及光致发光光谱对其进行了一系列表征; 分析了Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜的发光机理, 探讨了热处理温度和Tb³⁺掺杂浓度对发光性能的影响规律. 研究结果表明, 采用溶胶凝胶法制备工艺, 制备了高发光强度的Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜, 薄膜的最佳激发波长为240nm, Tb³⁺的最佳掺杂浓度为5mol%(Tb₂O₃/Al₂O₃=5mol%), 在240nm光激发下, 最强的发射峰出现在544nm附近; 并且制备的Al₂O₃∶Tb³⁺薄膜表面致密、平整且无裂纹产生, 表面粗糙度约为1.3nm, 有利于硅基光电子器件的制备和应用.     

白光LED用荧光粉α-Sr2P2O7∶Eu^3＋的制备及其发光性能

以尿素为原料,采用溶液燃烧法合成出α-Sr2P2O7∶Eu^3＋红色荧光粉。利用XRD、FSEM和荧光光谱,研究了激活剂Eu3＋浓度、煅烧温度对荧光粉的晶体结构和发光性能的影响。光谱测量表明α-Sr2P2O7∶Eu^3＋的5 D0→7F1、5 D0→7F2跃迁发射最强,为红光发射;该荧光粉可被394nm近紫外光和464nm蓝光有效激发,有望成为一种近紫外LED和蓝光LED用的红色荧光粉。     

溶胶-凝胶法制备红色荧光材料SrO-Gd2O3-TiO2-SiO2∶Eu3+,Bi3+

SrO-Gd2O3-TiO2-SiO2∶Eu3 ,Bi3 可以在394 nm的近紫外光激励下主要发射612nm的红光,因而可以用于制备白光发光二极管.以钛酸丁酯和硅酸乙酯为主要原料,采用溶胶-凝胶法合成该荧光材料;并通过正交实验方法考察了激活剂掺入量、溶胶pH值、凝胶煅烧温度、煅烧时间、助熔剂用量等因素对荧光性能的影响,获得了该荧光材料的最佳组成及最佳合成条件,用扫描电子显微镜和X射线衍射方法对该荧光材料性质进行了表征.     

Ion transport studies in PEO∶NH4I polymer electrolytes with dispersed Al2O3

Ion conducting polymer electrolyte films having high salt concentrations have been studied. The system studied is PEONH₄I, dispersed with -Al₂O₃. Mechanically stable films with NH ₄ ⁺ /EO ratio 0.13 have been obtained by dispersal of Al₂O₃. The films have been characterized using various techniques such as X-ray diffraction (XRD), differential thermal analysis (DTA), polarization and complex impedance spectroscopy. Intercorrelation between polymer matrix crystallite size, conductivity, and -Al₂O₃ particle size is established.     

Phase Relations in the Na2O–Al2O3–Nb2O5and CaO–Al2O3–Nb2O5Systems

Phase relations in the Na₂O–Al₂O₃–Nb₂O₅and CaO–Al₂O₃–Nb₂O₅systems were studied. The Na₂O system was found to contain neither ternary compounds nor niobate–aluminate solid solutions. In the CaO system, a ternary compound of composition 4CaO · Al₂O₃·Nb₂O₅was identified (cubic structure, a= 7.628 Å, Z= 2, _meas= _x= 4.43 g/cm³).     

SrI2∶Eu∶Cs晶体生长及闪烁性能

采用垂直布里奇曼法成功制备出尺寸为Φ25 mm×70 mm的SrI₂∶Eu∶Cs晶体,经加工后封装得到尺寸为10 mm×10 mm×10 mm的透明单晶,这是迄今为止Eu²⁺和Cs⁺双掺杂的最大尺寸SrI₂单晶,所用原料为国产原料。XRD测试结果表明,所得晶体为SrI₂正交相,空间群为Pbca。荧光光谱显示晶体的发射峰和激发峰分别位于440 nm和419 nm,属于典型Eu²⁺的5d→4f跃迁发射。X射线激发发射光谱显示该晶体只有一个位于440 nm的发射峰,与荧光光谱的结果一致。采用单指数拟合后得到晶体在370 nm激发波长下的荧光寿命约为1.3 μs。在¹³⁷Cs射线源激发下的γ能谱测试显示晶体的能量分辨率为5.5%,已基本满足实际使用的要求。     

La2Ce2O7∶Ho3+ / Yb3+陶瓷的荧光温度传感性能研究

为研究La2Ce2O7∶Ho3+ / Yb3+陶瓷的荧光温度传感性能,采用高温固相反应法制备该材料,在 La2Ce2O7晶格中,使Ho3+和Yb3+都取代La3+的位置,其中,Ho3+离子浓度为0. 05% at. %,Yb3+离子浓度在10% ~ 18% at. %范围内。在980 nm波长的激光激发下,检测到上转换（Up?conversion, UC）绿光的强度在550 nm处达 到峰值,红光强度在666 nm处达到峰值。当Ho3+和Yb3+的掺杂浓度分别为0. 05% at. %和14% at. %时,UC发射 强度最强。研究了La2Ce2O7∶Ho3+ / Yb3+陶瓷在303 ~ 483 K温度范围内的温度传感性能,在303 K温度条件下得 到最高绝对灵敏度（Sa）为0. 002 8 K-1,在303 K 温度条件下得到最高相对灵敏度（Sr）为0. 005 4 K-1,表明 La2Ce2O7∶Ho3+ / Yb3+陶瓷可以作为潜在的远程温度传感器候选材料。     

草酸盐共沉淀法制备SrAl_2O4∶Eu~(2+),Dy~(3+)发光粉体的研究

用草酸盐共沉淀法制备了SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+发光粉体,用差热分析仪、X-射线衍射仪、扫描电镜和荧光分光光度计对制备产物进行了测试分析,并对烧成温度,Dy3+、H3BO3掺杂对荧光体发光特性的影响进行了讨论,确定了草酸盐共沉淀法的最佳烧成温度为1200℃,Dy3+最佳掺杂摩尔分数为0.002,硼酸为0.3。