EPROM验证器

<正> 现在从市场上购买的EPROM芯片,有时个别地址可能是坏的,往往要到编程时,甚至使用时才会发现。另外,从旧仪器中拆下的EPROM芯片,其中好的芯片经紫外线擦除后仍可使用,但有些坏的芯片一时无法判断。本文介绍的EPROM验证器可解决以上问题,而且成本低廉,使用方便,测试迅捷。 电路原理 新的或经紫外线擦除过的EPROM芯片,其所有地址的数据输出全为高电平,EPROM验证器就是利用这一原理来验证EPROM芯片的。EPROM验证器由振荡电路、地址计数器、检测电路、显示电路、EPROM插座等部分组成,具体电路如图1所示。 时基电路IC1及外围元件组成振荡电路。此电路通电后,V_(CC)经R1、VD1对C1充电,当C1上的电压达到2/3V_(CC)时,     

实用EPROM复制器

<正> 本文介绍的EPROM复制器可对2716、2732、2764、27128和27256芯片所存的内容进行复制,对采用EPROM存储控制程序的电路进行维修、仿制,也可以用于组装、维修电脑,游戏卡及对语音电路内驻程序的复制等。该复制器价格低廉,使用方便。 电路原理 EPROM复制器电路如图1所示。它由复制启动电路,振荡电路、地址计数器、PGM和OE脉冲发生电路、高压脉冲电路、检测电路、结果输出电路、EPROM插座等组成。 IC3a、IC3b、BG1等元件组成复制启动电路。其中IC3a、IC3b、R9、R10组成双稳态触发电路,用来消除复制开关抖动产生的影响。复制前,复制开关K3置于M端,IC3a输出高电平,使IC4、IC5清零,并经VD2使IC1的②、⑥脚为高电平。这样,IC1的③脚将保持低电平,没有脉冲输出。复制时,将K3拨到N端,双稳态电路翻转,发光二极管LED1亮,C3a输出低电平,使IC4、IC5退出清零状态,同时VD2反相截     

用一片EPROM得到多于8路输出的电路

在使用2716、2732等EPROM作可编程序控制器时,一般最多只能得到8路输出。如果需要得到多于8路的输出,就只有增加EPROM的用量。由于EPROM价格较高,采用这种方法,将大幅度增加成本。笔者设计的这个电路,用8D锁存器74LS273,代替EPROM,既增加了输出的数据线,增强了电路的驱动能力,又能够保持数据线输出的稳定。现以16路输出为例分析,该电路的电原理如图所示。IG_1为双D触发器,分别作振荡器和分频器,产生     

利用EPROM循环寻址方法产生CCD转移时序

本文较详细地讨论了利用 EPROM 循环寻址法产生 CCD 时序的基本原理,并通过对实际电路的分析,说明了这种方法的优越性。     

迷惑的数据线

手机发烧友们总喜欢DIY，比如制作手机LOgo、升级手机操作系统、汉化手机电话本等，而要做到这些，没有一根称心如意的数据线怎么行呢     

用EPROM分时控制多路霓虹灯

介绍了用一片ＥＰＲＯＭ分时控制多路霓虹灯的硬件结构、工作原理，讨论了控制数据的编程方法。它具有控制简单、编程灵活、扩展容易的特点     

一种高速低功耗EPROM读写电路

本文主要介绍一种高速低功耗ＥＰＲＯＭ读写电路，包括ＥＰＲＯＭ单元管、读写电路，以及产生写ＥＰＲＯＭ所需高电压的高电压发生器，并着重分析了ＥＰＲＯＭ读写电路低功耗的特点。     

EPROM在实时测控系统中的应用

在微机实时测控系统中,需要对采集的数据进行实时处理.一些函数的运算往往占用过多的机时,影响测控系统的性能,本文给出了用EPROM实现查表运算的设计思想,并以平方根函数为例说明了对EPROM进行编程的方法.按本文的设计,实现二字节输入,二字节输出的查表运算仅需20μs(在晶振频为12MHz的8031上运行).     

嵌入式EPROM数据保持能力评估方法优化

高温加速老化测试是半导体存储器产品可靠性评估必经的步骤.其中产品失效激活能的确定对数据保持能力研究有重要意义,它决定了老化可靠性评估的原则.文章首先介绍了可靠性评估原则的确定方法,然后在不同的温度下进行老化测试,利用数据规一划方法确定了相关重要数据,最后给出了在工艺稳定后的活化能和量产时的数据保持能力测试前烘烤的温度和...     

存储器的兼容性设计

介绍了借助存储器芯片引脚之间的相似性和采用跳线方式实现存储器系统兼容性的设计方法。采用该方法可以解决单片机在片资源有限而难以满足实际应用需要的问题,文中给出了多种型号存储器的引脚功能对照和引脚差异,了解这些特点差异可使之适应于多种不同的存储器芯片的应用设计。     

大容量图片的存储和访问

针对目前大部分企业运用AT89LV52来实现大容量图片存储和访问遇到的问题,提出一种可行的图片分割存储和访问方法。该方法通过扩展外部EPROM,正常显示数据容量超过8KB的图片。利用单片机的P3．4～P3．6口作为控制口实现512KB EPROM的片外寻址,并采用图片分割的方法,实现大容量图片的存储与访问。最后给出了C语言实现图片存储与访问的程序。     

运用EPROM实现时序信号控制

介绍了EPROM的潜能和设计应用。概述了片内EPROM与EPROM （MD27C256）的区别及实用电路。     

A 288K CMOS EPROM with redundancy

A 150 ns 288K CMOS EPROM with a nine-block cell array and a standby current of less than 1 /spl mu/A has been developed. This device can be used as an 8 or 9-bit EPROM. The ninth block can be used as a redundant block by electrically programmable polysilicon fuses. A redundant row decoder is also included. Improvements in the lithography and process technologies have reduced the cell size to 9 /spl times/ 6 /spl mu/m and the chip size to 7.44 /spl times/ 4.65 mm.     

A self-aligned EPROM structure with superior data retention

A structure that exhibits superior data retention, compared to the conventional erasable programmable read-only memory (EPROM) cell, while still using phosphosilicate glass (PSG) passivation, is described. The nitrided self-aligned MOS (NIT-SAMOS) employs a thin layer of low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) nitride between the double-poly-gate structure and the poly-metal isolation dielectric, to reduce the possibility of contamination of the floating-gate area. Comparisons are made of EPROM data retention lifetimes, programmability, and UV erasability, and n- and p-channel device parameters