电子出射波重构的基本原理和应用

随着场发射枪透射电子显微镜的普及，电镜的信息分辨极限和点分辨率成为表征电镜分辨本领的两个重要指标。由于电镜衬度传递函数的振荡特性，用场发射透射电镜拍摄的高分辨像在其点分辨率和信息分辨极限之间的信息很难解释。电子出射波重构就是通过拍摄系列欠焦高分辨像，计算获得电子离开样品表面的出射波函数，将电镜的分辨本领由点分辨率延伸到其信息分辨极限，井消除球差、欠焦、像散等影响，有望在中等电压电镜上获得近埃、乃至亚埃级可直接解释的高分辨像，实现C、N、O等轻元素单原子列探测，为今后定量电子显微学研究奠定基础。     

陈尔纲等取得场发射显微镜分辨率的突破

云南大学物理系陈尔纲教授等在英国出版的《ＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙａｎｄＡｎａｌｙｓｉｓ》１９９９年７月１３页上发表了论文“高分辨场发射显微镜观察到Ｗ针尖上吸附的Ｚｒ原子”,报道了他们在场发射显微镜分辨率上取得的突破。１９３７年Ｅ．Ｗ．Ｍüｌｌｅｒ发明了场发射显微镜（ｆｉｅｌｄｅｍｉｓｓｉｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ,ＦＥＭ）,不久,Ｍüｌｌｅｒ转而发展场离子显微镜（ｆｉｅｌｄｉｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ,ＦＩＭ）,并且很快使它的分辨率达到原子级的０．２ｎｍ水平。但是,直到最近,ＦＥＭ的分辨率仍停留在２ｎｍ…     

电子显微镜的现状与展望

本文扼要介绍了电子显微镜的现状与展望，透射电子显微镜方面主要有：高分辨电子显微学及原子像的观察，像差校正电子显微镜，原子尺度电子全息学，表面的高分辨电子显微正面成像，超高压电子显微镜，中等电压电镜，１２０ｋＶ，１００ｋＶ分析电镜，场发射枪扫描透射电镜及能量选择电镜等，透射电镜将又一次面临新的重大突破，扫描电子显微镜方面主要有：分析扫描电镜和Ｘ射线能谱仪，Ｘ射线波谱仪和电子探针仪，场发射枪扫描电镜和     

双栅极场发射阵列的特性模拟与设计

具有聚集能力的双栅极场发射阵列（ＤＧＦＥＡ）是两类最有发展前途的真空微电子器件（高分辨率场发射显示器和真空微电子微波，毫米波器件）的关键技术，本文简要比较了两种结构的ＤＧＦＥＡ的主要性能和优缺点，叙述了双层栅极结构ＤＧＦＥＡ的设计与模拟方法。从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到，这种结构的ＤＧＦＥＡ能获得几乎平行的场发射电子束，其最大发射电流密度可达到约５００Ａ／ｃｍ＾２以上，是发展真空微电     

金刚石薄膜场发射显示器

简要介绍了一般ＦＥＤ（场发射显示器）的工作原理,研究了非晶金刚石薄膜低场发射特点,讨论了金刚石薄膜制做场发射器的可行性;指出利用金刚石薄膜和阳极选择的方法可对Ｓｐｉｎｄｔ ＦＥＤ进行改进,从而使平面ＦＥＤ更容易实现。     

缺陷晶体电子衍射波振幅的校正

在运动学近似下，通过解卷处理，可以从单张高分辨电子显微像（以下简称高分辨像）获得晶体的结构像。李方华和何万中等人曾用此技术处理了场发射电子显微镜拍摄的高分辨像，处理后的像分辨率达电子显微镜的信息分辨极限，得到了原子分辨率的晶体缺陷图像［１，２］。但由...     

QBe2合金硬态分级时效电镜观察

ＱＢｅ２合金硬态分级时效电镜观察蔡传荣，张　琼，平德海，李斗星（福州大学，福州３５０００２）（中国科学院金属研究所固体原子像开放实验室）本工作在ＪＥＯＬ－２０００ＥＸ和ＪＥＯＬ－２０００ＦＸ上利用ＴＥＭ和ＨＲＴＥ技术，对硬态分级时效ＱＢｅ２合金［Ｃｕ...     

场发射显示技术

场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。     

实用场发射电子枪虚源半径的测量

本文在分析产生和影响实用场发射电子枪（ＦＥＧ）虚源半径各种因素的基础上，提出一种直接测量ＦＥＧ虚源半径的新方法－－场电子显微镜（ＦＥＭ）法。用该法对一实际ＦＥＧ的虚源半径作了实验测定，并与著名的球－－锥面模型进行比较，结果是一致的。表明该方法不仅简单且行之有效，具有实用价值。     

用于聚焦型场发射阵列的Ni-SiO2透明电阻薄膜

为用自对准技术制作聚焦型发射阵列（ＦＦＥＡ）的聚焦极，要求ＦＦＦＡ的电阻层能通过光刻用近紫外光。为此提出用共溅射法制作Ｎｉ－ＳｉＯ２金属陶瓷电阻层。研究结果表明，当适当调整Ｎｉ和ＳｉＯ２成份比例，可得到既能满足方阻要求又不妨碍光刻的电阻层。同时对此电阻层的电镜微观形貌，能谱成分分析，方阻及透光率进行了讨论，最后，给出一个利用此电阻层制作场发射聚焦电极的实例。     

FESEM在Bi系高温超导材料研究中的应用

利用热场发射扫描电镜 (ＦＥＳＥＭ)的基本功能 ,通过对比样品的简单分析 ,展示Ｂｉ系高温超导材料的微观特性。ＬＥＯ15 30热场发射扫描电镜 (ＦＥＳＥＭ)有 3种成像方式 :二次电子 (ＳＥ2 )像、背散射 (ＱＢＳＤ)像和ＩＮＬＥＮＳ像 (内镜像 )。由于采用场发射的电子枪 ,ＦＥＳＥＭ的电子束斑在几个ｎｍ的量级[1] ,ＩＮＬＥＮＳ像分辨率可以达到 1ｎｍ(2 0ｋＶ)～ 3ｎｍ(10ｋＶ)。ＩＮＬＥＮＳ像只接收从样品表面几个ｎｍ深度垂直反射的电子信号 ,因而适于分析样品表面的细节 ,而ＳＥ2像适于观察景深较大的样品 ,如图Ａ(1,2 )。此外 ,由图…     

制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法

本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。     

JEM－1200EX电镜照像系统检修要点及故障一例

ＪＥＭ－１２００ＥＸ电镜照像系统检修要点及故障一例苏克（中国医科大学生物医学工程教研室，沈阳１１０００１）一、概述ＪＥＭ－１２００ＥＸ电镜照像系统由微机控制部分及外围部分构成。微机部分除涉及电镜ＭＰＵ系统外，还涉及照像接口板（ＣＡＭＥＲＡＩＴＦＰＢ）...     

微波毫米波真空微电子器件研究进展

本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。     

场发射平面显示器件面临的困难和前景

分析了以Ｓｐｉｎｄｔ场发射尖锥为基础的场发射平面显示器（ＦＥＤ）,在技术上所面临的困难及其前景,同时也展望了很有希望的、其他类型场发射平面显示器。     

等离子刻蚀制造硅场发射阵列

本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥，然后再利用反应离子刻蚀（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ－ＲＩＥ）的各向异性，在ＰＥ的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积，以得到理想形状的ＦＥＡ尖锥。这种方法比ＲＩＥ一步刻蚀法和湿法刻蚀加ＲＩＥ二步法简单可靠。     

单片Si-FED的结构和设计

根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数,利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术,设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。     

低合金高强度钢(HSLA)的精细组织研究

近年来发展的场发射扫描电镜因其束斑尺寸小、亮度高、分辨率高等优点，而日益受到研究人员的重视。本文探讨了场发射扫描电镜在钢铁材料精细组织研究中的应用。实验在ＪＥＭ－６３０１Ｆ场发射扫描电镜下进行（分辨率为１．５ｎｍ），材料为某种微合金化钢样品，经机械研...     

促进场发射显示器发展的纳米管

促进场发射显示器发展的纳米管最近用纳米管技术的实验表明，纳米管可能是电子的有效发射体。如果做成具有可寻址像素的平片，纳米管就可能成为场发射显示器（ＦＥＤ）的组成部分。场发射显示器也是一种平板显示器，此种显示器是用电子发射体列阵来轰击涂磷光体的屏，产生...     

JEM－2000FX电镜故障维修小结

ＪＥＭ－２０００ＦＸ电镜故障维修小结刘晓芳，袁新，汤亚力（郑州工学院材料研究中心，郑州４５０００２）我中心ＪＥＭ－２０００ＦＸ电镜自１９８６年安装调试验收，到目前为止，工作基本正常，但在使用过程中也出现了一些故障，本文将近年来出现的故障及处理方法作一...