MAl2B2O7:Re(M=Ca,Sr,Ba;Re=Eu3+,Tb3+)在VUV激发下的发光性能

采用高温固相法合成了MAl2B2O7:Re(M=Sr,Ba,Ca;Re=Eu3+,Tb3+)系列样品.BaAl2B2O7:Eu3+在130～170 nm和200～250 nm区域有两个很强的吸收带;130～170 nm的宽带是硼氧和铝氧基团的吸收,位于200～250 nm附近的吸收带主要是Eu3+-O2-电荷转移态的吸收;MAl2B2O7:Eu3+(M=Sr,Ba)中Eu3+占据更多的是非对称格位,以5D0→7F2跃迁为主,对应613 nm处的发射强度最大.MAl2B2O7:Re(M=Sr,Ba;Re=Tb3+)在120～200 nm和200～300 nm光谱区有两个较强的吸收带.位于120～200 nm的宽谱带对应于基质吸收.这包括硼氧和铝氧基团在真空紫外的吸收,基质吸收主要是硼酸根的吸收;而位于160～270 nm左右的一组谱峰对应于Tb3+的4f8-4f5d跃迁;在172 nm的激发下,发射峰由492nm,546nm,592 nm和624 nm组成,分别对应Tb3+的5D4→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁发射,其中546 nm是主发峰.     

M3Gd(PO4)3:Tm3+(M=Mg,Ca,Sr,Ba)真空紫外发光特性

研究了M3Gd(PO4)3Tm3+(M=Sr,Ba,Ca,Mg)样品的结构特性、发光特性.M3Gd(PO4)3Tm3+属于立方晶系.基质掺入铥离子后其结构没有明显变化.M3Gd(PO4)3Tm3+在166 nm和210 nm附近有强烈的吸收峰.位于166 nm附近的强烈吸收峰归因于基质的强烈吸收,210 nm附近的吸收峰则归因于Gd3+的8S7/2-6GJ的能级跃迁.在166 nm真空紫外光激发下,样品在453 nm及363 nm处有较强的发射峰,发射主峰位于453 nm.随着样品中阳离子的变化,M3Gd(PO4)3Tm3+的激发峰发生强烈变化,从而导致其发射光谱有了较大变化.     

M3Gd（PO4）3：Tm^3＋（M=Mg，Ca，Sr，Ba）真空紫外发光特性

研究了M3Gd（PO4）3：Tm^3＋（M=Mg，Ca，Sr，Ba）样品的结构特性、发光特性。M3Gd（PO4）3：Tm^3＋属于立方晶系。基质掺入铥离子后其结构没有明显变化。M3Gd（PO4）3：Tm^3＋在166nm和210nm附近有强烈的吸收峰。位于166nm附近的强烈吸收峰归因于基质的强烈吸收，210nm附近的吸收峰则归因于Gd^3＋的^8S7/2-^6GJ的能级跃迁。在166nm真空紫外光激发下，样品在453nm及363nm处有较强的发射峰，发射主峰位于453nm。随着样品中阳离子的变化，M3Gd（PO4）3：Tm^3＋的激发峰发生强烈变化，从而导致其发射光谱有了较大变化。     

燃烧法制备Y2Zr2O7:Tb3+纳米晶及其发光性质研究

以甘氨酸作燃烧剂采用燃烧法制备Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶粉末.用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和荧光分光光度计对Y_2Zr_2O_7:Tb~(3+)纳米晶的相结构、形貌和发光性质进行研究.结果表明:所得到的纳米晶粒度均匀、结晶完好,属于立方萤石结构.发光光谱的测试表明:Tb~(3+)呈现其特征绿色发射,最强峰位于542 nm处.Tb~(3+)的掺杂摩尔浓度在0.5%～6%的范围内,3%为最佳掺杂浓度.     

Eu2+激活的M7Mg2(SiO4)4C12(M=Ca,Sr,Ba)荧光性质的研究

采用高温固相法合成Eu2+激活的碱土金属氯硅酸盐系荧光粉M7Mg2(SiO4)4C12:0.08Eu2+(M=Ca,Sr,Ba),研究了它们的荧光光谱。结果表明,3种荧光粉均为宽带激发,激发带位置分别在250～500nm、250～450nm、250～430nm。讨论了Eu2+离子的跃迁发射随基质组成的变化规律,随着Ca、Sr、Ba离子半径的依次增大,发射波长逐渐向短波方向移动,分别产生绿(507nm)、蓝(458、445nm)不同颜色的发射光。     

La_2O_3:Sm~(3+)纳米发光材料的燃烧法合成及其性能

通过燃烧法制备了La_2O_3:Sm~(3+)纳米材料,用XRD和TEM对其形貌结构进行了表征和分析,并研究了其发光性质。结果表明:La_2O_3:Sm~(3+)纳米材料为六角结构,颗粒尺寸约为34nm;Sm~(3+)的掺杂引起其衍射峰的位置发生略微的右移;Sm~(3+)的本征激发带位于411 nm左右;在近紫外光(411 nm)的激发下,观察到~4G_(5/2)→~6H_(5/2) (568 nm)、~4G_(5/2)→~6H_(7/2) (611 nm,强度最高)和~4G_(5/2)→~6H_(9/2) (654 nm) 3个主发射峰;发射光谱表明La_2O_3:Sm~(3+)中Sm~(3+)离子的格位对称性较低;材料样品的衰减寿命约为202μs,色度坐标约为(0.5849, 0.4143)。     

Ca_2AlSi_3O_2N5:Sm~(3+)荧光粉制备及发光特性

采用原位共沉淀与气氛还原氮化相结合的方法,在1100℃下制备出Ca2AlSi3O_2N5:Sm~(3+)。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)以及稳态瞬态荧光光谱仪(PL)对合成产物的结构、微观形貌和发光特性进行了研究。在287nm紫外光激发下,测得Ca2AlSi3O_2N5:Sm~(3+)的发射光谱为1个多峰宽谱,主峰分别为602nm(4G5/2→6H7/2)和650nm(4G5/2→6H9/2)。研究了Sm~(3+)掺杂浓度对Ca2AlSi3O_2N5:Sm~(3+)红光荧光粉发光性能的影响。结果表明,随着Sm~(3+)掺杂浓度增大,发光强度先增大后减小。     

Y3Al5O12基质中Sm3+离子浓度对其发光特性的影响

采用溶胶-凝胶/燃烧合成法制备不同Sm~(3+)掺量的Y_3Al_5O_(12)发光体.用XRD,PL等手段研究样品的物相结构和光致发光性能与掺杂浓度之间的关系,并探讨了Sm~(3+)的自身浓度猝灭机制.结果表明:Sm~(3+)掺量对样品晶体结构无明显影响;Y_3Al_5O_(12):Sm~(3+)样品的激发主峰位于405 nm(~6H_(5/2)→~4F_(7/2))附近,而最大发射峰在617nm(~4G_(5/2)→~6H_(7/2));Sm~(3+)在Y_3Al_5O_(12)基质中的最佳掺杂浓度为3.0 m01%,其自身浓度猝灭的原因主要是相邻中心的电四极一电四极相互作用引起的交叉弛豫(~4G_(5/2)+~6H_(5/2)→~6F_(9/2)+~6F_(9/2))所造成的.     

Sr_2MgAl_(22)O_(36):Mn~(4+)的高温固相合成及发光性能

采用高温固相法合成了Sr_2MgAl_(22)O_(36):Mn~(4+)荧光粉,在365nm紫外灯照射下发红色荧光。样品通过XRD、SEM以及荧光光谱分析,探讨了煅烧温度、Mn4+掺杂浓度以及助熔剂H3BO3对样品发光性能的影响。结果显示,在温度高于1400℃条件下合成的Sr2MgAl22O36:Mn4+荧光粉均为Sr2MgAl22O36单相,可被紫外、近紫外及蓝光激发,其发射光谱的峰位分别位于645,659,671nm,归结为Mn4+的2E-4A2跃迁发射;Mn4+的猝灭浓度为1.2%(摩尔浓度),助熔剂H3BO3最佳掺杂量为反应混合物的2%(质量分数)。     

白光LED用新型红色荧光粉SrMgSi2O6:Eu3+, M(M=Gd3+, Ti4+)的合成及性质

以Na2CO3为电荷补偿剂,采用凝胶-燃烧法合成新型红色硅酸盐发光材料SrMgSi2O6:Eu3+。用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计等对合成产物进行分析和表征。结果表明：SrMgSi2O6:Eu3+ 的晶体结构与Sr2MgSi2O7相同,同属四方晶系。样品SrMgSi2O6:Eu3+的激发光谱在220～300 nm出现一宽带吸收,归属于O2--Eu3+之间的电荷迁移,300 nm以后出现的锐线峰为Eu3+的f-f跃迁吸收峰,其最强锐线峰位于400 nm,因而,可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发。发射光谱由两个强发射峰组成,位于592和618 nm处,分别属于典型的Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2跃迁。此外,研究发现：共掺Gd3+或Ti4+均能敏化Eu3+的发光,可有效提高样品的红光发射。因此,SrMgSi2O6:Eu3+, M(M=Gd3+, Ti4+)有望成为一种与InGaN管芯匹配的白光LED用红色荧光粉     

Eu^2＋在Sr4Al14O25基磷光体中能量传递行为的研究

合成了3种不同Eu掺杂量的Sr4Al14O25，Dy^3 发光粉体，发现当Eu掺杂量低于0．012mol时，发射光谱中存在2个主发射峰，分别位于407nm和494nm。随着Eu掺杂浓度增加，407nm发射峰逐渐消失，而494nm主发射峰增强。结合Sr4Al14O25，晶体结构和激发．发射光谱，建立了2种Eu发光中心之间的能量传递模型，对实验现象进行了合理的解释。余辉衰减曲线测试结果表明，3种磷光体试样均具有长余辉性能，尤其Sr4Al14O25：Eu0.0l2，Dy0.024试样，其余辉时间在人眼可视亮度水平可持续20h以上。     

Ba2+替代对Sr4Al14O25:Eu2+, Dy3+结构和发光性能的影响

采用高温固相反应按化学式Sr4-xBaxAl14O25: Eu2+, Dy3+(x＝0, 0.8, 1.6, 2.4, 3.2, 4) 配比原料,合成长余辉发光材料。X射线衍射分析表明,当x＝0.8时,产物物相为单斜结构SrAl2O4和磁铅矿结构SrAl12O19共存;当x>1.6时,产物主相转变为BaAl2O4六角结构。对所得样品采用360 nm光照,发射光谱表明,样品发光是以Eu2+为发光中心,由Eu2+电子4f65d-4f7跃迁所致,并且随着Ba掺入量的增加,样品发射光谱峰位产生移动,这是由于Sr2+取代产物中Ba2+位置后,导致晶格收缩,影响Eu2+的5d能级劈裂,从而影响电子4f65d-4f7跃迁。余辉光谱显示x>1.6时,产物的余辉发光是以BaAl2O4基质中Eu2+为发光中心。余辉衰减检测和热释光谱分析发现不同掺Ba量的样品余辉衰减快慢不同,是由于其中存在的陷阱能级深度不同,且陷阱能级越深,其余辉时间越长     

掺杂离子对Gd2O2S:Eu3+磷光体结构和发光性能的影响

采用高温固相反应法制备出新型红色长余辉发光材料Gd2O2S:Eu3+,Xn+(X为Mg、Si、Ti中的一种或两种),研究掺杂离子对Gd2O2S:Eu3+磷光体的晶体结构、形貌粒度和发光性能的影响。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和分光光度计等对合成产物进行分析与表征。结果表明:掺杂离子没有改变Gd2O2S:Eu3+磷光体的晶体结构,颗粒的形貌为类球形,分散性良好。同时,掺杂离子显著地延长发光材料Gd2O2S:Eu3+的余辉时间,并显示纯正的红色发光。     

Study on syntheses and structures of nine-coordinated mononuclear K[TbⅢ(edta)(H2O)3]·5H2O and binuclear K4[TbⅢ2(Httha)2]·14H2O complexes

The crystal and molecular structures of the K[TbⅢ(edta)(H2O)3]-5H2O (edta = ethylenediaminetetraacetic acid) and K4[TbⅢ2(Httha)2]+14H2O (ttha = triethylenetetraminehexaacetic acid) complexes have been determined by sin-gle-crystal X-ray diffraction analyses. The crystal of the K[TbⅢ(edta)(H2O)3]·5H2O complex belongs to orthorhombic crys-tal system and Fdd2 space group. The crystal data are as follows: a = 1.9373(5) nm, b = 3.5429(10) nm, c = 1.2114(3) nm, V = 8.315(4) nm3, Z= 16, M = 630.35, Dc = 2.014 g cn-3, m = 3.683 mm-1 and F(000) = 5024. The final R and wR values are 0.0224 and 0.0557 for 3189 [I> 2.0o(I)] unique reflections, and 0.0245 and 0.0567 for all 8206 reflections, respectively. The [TbⅢ(edta)(H2O)3]- complex anion has a nine-coordinated pseudo-monocapped square antiprismatic structure in which the nine coordinate atoms, two N and seven O come from one edta ligand and three water molecules. The crystal of the K4[TbⅢ2(Httha)2]·14H2O complex belongs to monoclinic system and P2(1)/n sp     

Ce3+掺杂对GdAl3(BO3)4:Dy3+和GdAl3(BO3)4:Tb3+荧光粉发光性能的影响

用湿化学方法合成了Ce3 /Dy3 及Ce3 /Tb3 共掺GdAl3(BO3)4发光材料.利用X射线衍射仪对其进行了物相分析,结果表明:合成物为纯的六方相GdAl3(BO3)4微晶.利用荧光分光光谱仪进行光谱分析,测定了合成样品的激发和发射光谱.发现在紫外激发下,GdAl3(BO3)4:Dy荧光粉发射出很强的偏黄的白光,其发射峰分别位于480,575和665 nm,对应于Dy3 的4F9/2→6H15/2,13/2,11/2跃迁.掺Ce3 对Dy3 起到敏化作用,GdAl3(BO3)4:Dy,Ce发出很亮的暖白光,且强度是GdAl3(BO3)4:Dy的3倍左右.同时,在Ce3 /Tb3 共掺的样品中,由于Ce3 与Tb3 间的能量传递,Tb3 的541 nm特征峰显著增强.     

硼置换铝对CaAl2Si2O8:Eu2+结构和发光特性的影响

采用高温固相法在弱还原气氛下制备Ca0.955Al2-xBxSi2O8:Eu2+(x=0～0.7)系列荧光粉,研究BⅢ置换AlⅢ对晶体结构和光谱特性的影响。BⅢ以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的AlⅢ形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V呈线性递减,而晶面夹角α,β呈线性递增。荧光激发谱为225～420nm宽带激发谱,半高宽为112nm,表观峰位于352nm,随着BⅢ置换量的增加,半高宽从112nm减小到95nm。发射光谱位于370～600nm,可由423和460nm两峰拟合而成,表观峰值位于425nm,随着BⅢ置换量的增加,两拟合峰均线性蓝移,且拟合峰强度比呈线性递减。     

Blue excited photoluminescence of Pr doped CaBi2Ta2O9 based ferroelectrics

Pr³⁺ doped CaBi₂Ta₂O₉ based bismuth layered-structure oxides were synthesized by a simple solid state reaction method. The photoluminescence properties of the samples were investigated by excitation and emission spectra. Photoluminescence excitation spectra show that the samples have broad blue excitation band located at 430-510 nm, which covers the emission wavelength of commercial blue light-emitting diode (LED) chips. Upon the excitation of 450 nm light, a novel red emission centered at 621 nm of Pr doped CaBi₂Ta₂O₉ makes it useful in the white LEDs. In addition, it was also found that the photoluminescence can been improved by partial substituting Sr for Ca. These Pr³⁺ doped CaBi₂Ta₂O₉ based ferroelectrics could possibly be used as a multifunctional material for a wide range of applications, such as integrated electro-optical devices.     

La,Ce,Tb含量对(La,Ce,Tb) BO3发光性能的影响

采用高温固相法合成(La,Ce,Tb)BO3荧光粉,并对该荧光粉进行XRD和SEM分析。结果表明:(La,Ce,Tb)BO3的晶体结构和LaBO3相同,Ce3+,Tb3+的掺入没有改变晶体的结构,发光粉颗粒大小均匀,形貌规则,粒度在5μm左右。研究了(La,Ce,Tb)BO3的光谱性质,在(La,Ce,Tb)BO3的发射和激发光谱中除了有Tb3+的特征发射和激发峰外,还有Ce3+的特征发射和激发峰。