日本2006年上半年度化合物半导体材料发货情况

据日本新功能化合物半导体恳谈会统计，日本2006年上半年度（4曲月）化合物半导体材料发货金额为263亿日元，比上年同期（234亿日元）增加12％。GaAs系、GaP系和InP系均有所增加。下半年度，因季节因素，在电子器件、LD、LED方面的需求有所缓和。但预计2006年度整体将有两位数增长。     

日本2010年上半年度化合物半导体材料出货情况

据日本新功能化合物半导体恳谈会统计，由于高辉度LED、绿色LED、光通讯用器件等方面需求恢复，日本2010年上半年度（4-9月）化合物半导体材料的出货金额比2009年同期增长33％，为222亿日元。GaAs、GaP和InP三种主要结晶材料同比均有所增长。     

2007上半年度化合物半导体供需情况

GaAs系化合物半导体材料在光器件和高频器件方面需求变化不大;GaP系材料在可视LED方面需求有所减少;InP系材料在光通讯用发受光元件方面需求旺盛。据日本新功能化合物半导体恳谈会统计,日本2007年上半年度（4～9月）化合物半导体材料销售额为260亿日元,比2006年同期减少1％。下半年度由于手机方面需求调整,预计全年将有所减少。     

镓

作为镓主要用途的GaAs、GaP等化合物半导体市场，2001年受泡沫经济的影响大幅下跌。但进入2002年以后，GaAs、GaP系LED对镓的需求变得旺盛，镓市场规模恢复到1999年的水平。2002年世界镓的需求为176t，上年增长26％。其中，日本的需求为129．7t，比上年增长35％     

化合物半导体及单晶材料

2003年度市场动向：据日本新功能化合物半导体恳谈会(JAMS-CS)统计，日本2003年度(2003年4月～2004年3月)化合物半导体材料市场的年产值比上年增加4％，为518亿日元，内需增长6％，出口增长1％。出口比例仍然较高，为43％，上年为44％。     

化合物半导体及单晶材料

据日本新功能化合物半导体恳谈会(JAMS-CS)统计，日本2002年度(2002年4月～2003年3月)化合物半导体材料市场的年产值比上年增加19％，为498亿日元。出口的增长比例大于国内需求的增长比例(国内增长17％，出口增长21％)。出口占总产值的比例仍然较高，为44％，上年为43％。     

日本2007年化合物半导体材料出货情况

随着便携式电子器械（如功率放大器、开关等）需求的增加,2008年度GaAs、GaP、InP等化合物半导体材料市场将有望增长。但在可视LED、LD方面的需求预计与上年度持平。受光器件等库存调整的影响,其中一部分需求还将减少。而InP系材料在全球光通信市场的需求则有望增加。     

日本金属钨钼需求预测

据日本钨铝工业协会预测，2004年日本金属钨、铝制品除半导体和电子领域外，在液晶显示器和炉用零部件相关领域，需求也将持续旺盛。2004年钨铝需求合计可达317亿日元(包括粉末)，比上年增长15％。特别是铝制品，从2003年下半年开始增长显著，预计2004年可达历史最高的601t(不包括粉末)，比上年增加25％。钨制品比铝制品增长略低，预计为535t，比上年增长l2％。     

国外高纯磷

高纯磷大部分用作 GaP 的原料。最近,用于光通讯的 InP 受到人们注目。有人认为,GaAs 和 GaP 就象两个轮子推动着半导体化合物的发展,也有人说,GaP 是继 GaAs 之后的     

化合物半导体市场

1、2000年化合物半导体材料市场规模:600亿日元。其中,移动电话用的GaAs材料约320亿日元。 2、世界市场中日本的占有率是压倒多数。其中,GaP占世界市场的95％以上,GaAs占世界市场的70～80％。在单晶中,光和电子器件用的共占80％;外延片中,光器件用占85％,电子器件用占60％;芯片中,光器件用占70％,电子器件用占60％;在器件中,光器件和电子器件占60％。     

化合物半导体及晶体材料

一．2004年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2004年度（2004年4月-2005年3月）化合物半导体材料的出货额比2003年度减少1％，为510亿日元。其中，内需为283亿日元，同比减少4％，出口为227亿日元，同比增长2％。仍然保持44％的较高的出口比例。     

化合物半导体及结晶材料

一．2005年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2005年度（2005年4）-2006年3月）化合物半导体材料的出货额比2004年度减少7％，为473亿日元。其中，内需为239亿日元，同比减少15％，出口为233亿日元，同比增长3％。出121比例增加到49％。     

日本2005年上半年度化合物半导体材料发货情况

日本2005年上半年度（4-9月）GaAs、GaP系化合物半导体需求锐减。在DVD用半导体激光器方面，由于库存调整延迟导致需求减少，且GaP系可视LED等市场也持续低迷。     

Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体

由元素周期表中Ⅲ族元素和Ⅴ族元素所组成的半导体称为Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体。其中,研究较多的是GaAs、GaP、InP和InSb。GaAs是目前应用最广的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体。GaAs主要用于微波器件、激光器件和红外光源、太阳电池以及作为其他外延材料的衬底;GaAs主要用于发光二极管;InP主要用于霍耳器件。研究GaAs的历史是比较长的。但真正认为它有用的是1952年由Dr.Welker发现它的半导     

日本电子材料产业2003年情况及2004年预测

据日本电子材料工业协会预测，日本2004年半导体引线框架材料、软磁铁氧体、永磁体、半导体陶瓷、压电陶瓷等电子材料的产值将达3000亿日元，比上年增长4％。由于电脑、半导体器件、液晶电视、等离子电视、汽车导航、数码相机、带相机手机等需求旺盛，因     

日本主要轴承公司近况

在截止2005年3月31日的2004年度里，NSK集团合并销售收入达到5810亿日元，比上年增加588亿日元（增长11．3％）；营业利润达383亿日元，比上年增加123亿日元（增长47．4％）；税利总额331亿日元，比上年增加140亿日元（增长73．1％）；合并纯利润223亿日元，比上年增加81亿日元（增长56．4％）。     

日本半导体及液晶面板制造装置市场需求预测

日本半导体制造装置协会（SEAJ）发表了2005-2008年半导体及液晶面板制造装置的需求预测。2005年度日本产半导体及液晶面板制造装置的销售额为1兆9997亿日元，比上年度减少7．4％。预计2006年度为2兆1703亿日元，同比增长8．5％。2007和2008年度分别为2兆4676亿日元和2M7156亿日元。其中半导体制造装置2005年度为1兆4720亿日元；2006年度为l兆5898亿日元，同比增长8％；2007和2008年分为1兆7710亿日元和1兆9493亿日元。液晶面板制造装置2005年为5277亿日元；2006年为5805亿日元；2007年为6966亿日元；2008年为7663亿日元。     

化合物半导体及结晶材料

一．2007年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2007年度（2007年4月-2008年3月）化合物半导体材料的出货额与2006年度基本持平，为511亿日元。其中内需为246亿日元，同比增加7％，出口为265亿日元，同比减少5％，出口比例为52％。     

日本轴承行业近况

据本届日本轴协会长(光洋精工总裁)井上博司透露,日本轴承行业自1999年11月以后．总算出现了正增长．1999年度成品轴承产值达到5492亿日元．同比增长0．1％。2000年1-9月的产值比上年同期增长12．2％。予计2000年度产值可达6020亿日元,比上年度增长9．6％,与创纪录的1997年度6201亿日元相比．尚有2．9％的差距。     

GaAs、GaP、InP化合物半导体及结晶材料

一、2008年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2006年度（2006年4月～2007年3月）化合物半导体材料的出货额比2005年度增加8％（内需减少4％，出口增加20％），达509亿日元。出口比例增加至55％。