不同掺杂位置对双层异质结OLEDs性能的影响

通过在双层异质结有机电致发光器件（OLEDs）ITO／N,N＇-Diphenyl—N,N’-bis（1-naphthyl）（1,1’-biphenyl）。4,4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxyquinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag发光层Alq3中的不同位置掺杂红色荧光材料4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1,1,7,7-tetramcthyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）,研究了该类器件中载流子的输运过程、复合位置及能量传递机理。实验结果表明,掺杂剂对于载流子有较强的俘获能力,并影响器件的载流子输运过程以及电流机制;掺杂位置的不同导致器件发光性能发生很大变化,而当掺杂层位于有机／阴极金属界面时还起到阴极电子注入缓冲层的作用。     

中红外波段高速硅基电光调制器设计与优化（特邀）

作为中红外波段中最接近O波段和C波段的波段,2 μm波段区域逐渐引起人们的广泛关注。主要对2 μm波段的马赫-增德尔型调制器进行优化设计和仿真,根据2 μm波长下光模场分布的特点,选用具有340 nm厚度顶层硅的SOI衬底,结合实际工艺中240 nm硅刻蚀深度,得到宽度为600 nm以及平板层厚度为100 nm的最优脊波导结构。通过优化掺杂浓度和掺杂区位置获得综合性能最优的调制器器件,在4 V反向偏压下器件光损耗为5.17 dB/cm,调制效率为2.86 V·cm,静态消光比为23.8 dB,3dB EO带宽为27.1 GHz。同时,与220 nm厚度顶层硅器件相比较,器件的综合性能更为优越。研究内容为后续器件实际制作提供了依据,也为后续2 μm波段光收发集成模块所需调制器设计提供了新的方向。     

LD条宽对激射波长影响的研究

报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化.对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960 nm LD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50 μm的器件的激射波长依次变短.进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的.根据GaAs材料在不同注入载流子密度下的增益谱及器件条宽变化对阈值载流子密度的影响,可以对实验现象进行合理的解释,从而在器件研制中可通过改变条宽对器件的激射波长在一定范围内进行调节.     

不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化

研究了热载流子应力下栅厚为2.1nm,栅长为0.135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HALO掺杂剂量的改变不敏感,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HALO掺杂剂量的增加而增加.实验同时发现,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关.     

基于Bragg光栅的超高消光比SOI波导偏振器设计

波导偏振器是片上集成相干光学系统中的关键器件之一,超高消光比、低损耗、紧凑型波导偏振器的设计一直是研究的热点。基于绝缘体上硅平台的倾斜Bragg光栅被用于实现超高消光比波导偏振器结构。利用一维光子晶体能带理论分别计算TE和TM模式光的能带结构分布,选择TE模式禁带与TM导带重叠带隙设计光栅,可实现TM模式低损传输,而TE模式被Bragg光栅高效反射,从而产生超高偏振消光比。3D FDTD仿真表明:16 μm倾斜Bragg光栅波导偏振器可在中心波长1550 nm附近70 nm的带宽内,实现大于37 dB的超高消光比,器件的损耗小于0.64 dB;进一步增加光栅周期数,当长度为25 μm时,消光比可提高至46 dB。Bragg光栅倾斜角与刻蚀宽度偏差仿真表明:设计的结构加工误差容限较大,同时该结构仅需一次曝光刻蚀,工艺流程简单。     

不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化

研究了热载流子应力下栅厚为2 .1nm ,栅长为0 .135μm的p MOSFET中HAL O掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HAL O掺杂剂量的改变不敏感,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HAL O掺杂剂量的增加而增加.实验同时发现,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关.     

Al2O3/GaSb p-MOSFET器件电学性质模拟

利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关电流比.与实验研究相对比,沟道长度为0.75 μm的GaSb p-MOS器件获得漏极电流最大为61.2mA/mm.改变沟道长度和GaSb衬底的掺杂浓度,由于高k介质栅电容效应和低阈值电压,漏极电流变化不大.在理想条件下,该器件获得超过三个数量级的漏极开关电流比以及较低的夹断漏电流(10-15A/μm).结果表明,基于高k介质的GaSb MOSFET是III-V族p沟道器件良好的候选材料.     

深亚微米抗辐照PDSOI nMOSFET的热载流子效应

基于中国科学院微电子研究所开发的0.35 μm SOI工艺,制备了深亚微米抗辐照PDSOI H型栅nMOSFET.选取不同沟道宽度进行加速应力实验.实验结果表明,热载流子效应使最大跨导变化最大,饱和电流变化最小,阈值电压变化居中.以饱和电流退化10%为失效判据,采用衬底/漏极电流比率模型,对器件热载流子寿命进行估计,发现同等沟道长度下,沟道越宽的器件,载流子寿命越短.     

掺杂C545T对2T-NATA作为空穴注入层OLED性能的影响

实验制备了6组结构为ITO/2T-NATA(15 nm)/NPB(25 nm)/Alq3(20 nm):C545T(x%)/Alq3(30 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm)的绿光多层结构OLED器件,其中x分别为0、1、2、3、4和5.比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性,结果表明:用2T-NATA作为空穴注入层可有效提高载流子的注入效果,同样能够达到高亮度.将C545T掺杂到Alq3中能够明显改善器件的发光亮度和色纯度,并调节载流子复合区域的位置,有效提高发光效率.掺杂C545T对器件性能的影响显著,随着C545T掺杂浓度的提高,电流和亮度先增大后减小.当掺杂浓度为3%时,14 V电压下的最大发光亮度达到12 418 cd/m2,浓度为2%时的器件,在12 V驱动电压下的最大电流效率为10.22 cd/A.     

单个MZI型DQPSK解调器的设计与仿真

文章采用91 μm厚的石英半波片来降低器件的PDFS(偏振相关频率漂移),在放置半波片位置采用优化的楔形波导结构,将插入半波片带来的附加损耗降至0.41 dB.并通过广角三维光束传输法,对DQPSK(差分正交相移键控)解调器在C波段进行了仿真.结果表明:采用这种结构设计出的器件具有低插损值和高消光比.     

我国电力线载波通信的现状与发展

电力线载波通信技术出现于20世纪20年代初期,是电力系统特有的一种通信方式,目前可用来传输电话、远动数据和远方保护等信号,是确保电网安全、优质、经济运行,实现调度自动化和管理现代化的重要通信方式之一。它以电力线路为传输通道,具有通道可靠性高、投资少见效快、与电网建设同步等优点。     

微波相敏技术在光学材料特性研究中的应用

利用微波相敏技术,获得了用硫作不同时间表而处理AgBrI品体自南光电子和束缚光电子时间衰减信号．分析了光电子衰减时间、电子陷阱效应、光电子寿命、有效陷阱深度及束缚电子转移时间与表而处理时间的关系,获得了最佳的表面处理时间为45分钟,有效陷阱深度为0．255～0．265eV。     

采用PL2101在低压电力线上实现数据通信

介绍了在低压电力线上实现数据通信的扩频载波芯片PL2101，以及采用PL2101构成的电力线扩频载波通信系统。     

电信级以太网的发展现状与走向

本文首先阐述了电信级以太网的发展现状、特征与属性、主要应用与不同运营商的策略,最后从4个方面论述了电信级以太网的发展走向。     

Delay analysis of DRX in LTE-advanced considering carrier aggregation

The long term evolution advanced (LTE-advanced) standards target at high system performance comparable or superior to the requirements of the International mobile telecommunications advanced (IMT-advanced). In order to support backward compatibility with LTE, most of the key technologies have been retained in LTE-advanced, one of which is the discontinuous reception mechanism (DRX). LTE-advanced adopts carrier aggregation technology to extend the system bandwidth, which requires the LTE DRX applied in single-transceiver scenario to be adapted to multi-transceiver scenario with multiple component carriers. Apparently, carrier aggregation will influence the performance of DRX severely, so it’s worth studying the impact brought by the coexistence of LTE DRX and carrier aggregation on the system performance, e.g., the system delay. In this paper, first an overview of DRX in carrier aggregation scenario is given. Then it is modeled as a Markov process based on the queuing theory. Simulation results show that the independent component carrier configuration with a uniform Inactivity Timer achieves a superior service delay performance compared with other reference schemes.     

相位处理载波恢复算法研究

针对数字信号传输同步接收机的数字化实现，提出一种载波同步新算法即相位处理载波恢复算法。它直接对接收信号的相角进行处理，完成载波频率的快速捕获和载波相位跟踪。理论分析和计算机仿真表明，该算法简单有效，运算量小，便于用DSP器件来实现，适用性强。     

一种利用导频实现OFDM符号同步的算法

对于多载波系统,载波频率的偏移会导致子信道之间产生干扰。而对于要求子载波保持严格正交的OFDM系统,载波频率的偏移所带来的影响会更加严重。因此,同步在OFDM系统中是一个十分重要的问题。主要从理论和仿真2个角度分析OFDM系统中的符号同步问题,并给出一种利用导频实现符号同步的算法。     

基于RISE3201的低压电力载波网络终端设计

RISE3201芯片是为智能仪表设计的专用SoC芯片,具有8051指令兼容的高速微处理器、直序扩频的载波通信等强大功能.现采用RISE3201为主控器设计了载波终端(载波电表)的软硬件.     

载波聚合技术在4G+网络中的应用研究

针对4G用户的快速增长以及4G网络规模的持续扩大,2016年国内三大运营商将大规模升级LTE网络至4G+,即在原有4G网络的基础上利用载波聚合技术.介绍了载波聚合技术的背景及功能,对载波聚合技术的频谱聚合方式、载波管理以及载波聚合部署方案进行了简要介绍.结合国内运营商现有频谱资源,探讨了国内三大运营商载波聚合频谱组合方式,最后针对中国联通的现有频谱资源,给出了中国联通载波聚合部署的方案建议,为即将升级的4G+网络建设提供一些参考.     

卫星通信SCPC载波频率与功率分配的优化

本文讨论了卫星通信ＳＣＰＣ系统中载波频率与功率的最佳或准最佳分配问题，给出了一种实用的优化方法，以便于系统优化设计。