碲酸取代的硫酸三甘肽单晶体

本文报道了用碲酸部分取代硫酸生长出来的新晶体TGSTE.讨论了生长环境及其生长习性.作了碲的元素分析.测定了晶体的介电和热释电性能.实验结果表明,TGSTE晶体的优值比高于TGS晶体.     

硅胶体中TGS单晶的生长

在室温下,已经从硅胶体中长出了11mm×7mm×3mm的TGS单晶。本文报道了实验技术、晶体成核过程和生长特性以及生长的晶体形态研究。发现当胶体的PH值为2.5或高于2.5时,胶体中只形成TGS晶体。PH在2到2.4之间时,则形成TGS和DGS(硫酸二甘钛)晶体。当胶体的PH值小于2时,在胶体中只形成DGS晶体。     

铁电晶体热释电性研究

以发表在国内外学术刊物上的论文为线索,回顾本所十年来研究铁电晶体热释电性及其红外应用过程中取得的结果和进展。主要内容包括:用掺杂消旋丙氨酸的TGS晶体制成的热释电红外探测器,其性能已达到掺杂左旋丙氨酸TGS晶体的水平;铁电晶体过剩荷电粒子横向表面电导对热释电性能的影响;用粉纹图法观察TGS晶体的静态电畴结构,以及用热释电摄象管中的TGS靶观察动态电畴结构。     

有关红外材料,晶体生长、工艺研究的论文文摘

新的改性TGS热释电单晶体——MTGS 南开大学化学系李兆阳车云霞郑吉民申泮文本文报道了用结构相似的丙二酸取代TGS晶体中的部分甘氨酸的晶体生长特性,组成分析,同时测定了这些新晶体的热释电系数、介电常数、居里温度。实验表明,用丙二酸部分取代甘氨酸生成的     

热释电晶体对红外辐射的吸收

本文从晶体与辐射场相互作用的机理出发,近似计算了TGS晶体的复折射率和吸收功率的分布函数。所得结果用于电定标热释电探测器的电压响应率和噪声等效功率的计算,得到满意结果。     

用扫描近场光学显微镜观察微畴

本文利用反射式扫描近场光学显微镜观察了硫酸三甘氨酸 [(NH3CH2 COOH) 3·H2 SO4 ) ](简称TGS)晶体的电畴结构和铝酸镧晶体的孪晶畴。横向分辨率约为 5 0nm。对原有的TopometrixAuroraNSOM系统作了较大的改进。采用音叉 (tuningfork)检测光纤探针与样品间的剪切力取代了原有的光学法振动检测。对TGS的观察说明 ,反射式扫描近场光学显微镜适合研究垂直B轴切割的TGS( 0 1 0 )面的自发极化。对这种 1 80°极化的多畴 ,可获得光学衬度较好的电畴分布图像。与形貌图像相比电畴与形貌无关。无论是新鲜解理的原子级光滑表面和表面水解的较为粗糙表面均可观察到分布较为均匀的电畴分布。采用探针发光的透射式和反射式观察铝酸镧晶体 ,发现只有反射式探测能够给出晶体表面的孪晶畴     

TGS、ATGS和DTGS热释电性能研究

用电荷积分法重新测量TGS、ATGS和DTGS铁电晶体在短路或开路条件下,从顺电相冷却到室温以后,极化强度随温度的变化。实验表明,开路冷却时产生的退极化场对电畴重新排列有重要影响。短路升温时也会引起电畴的反转。短路冷却可以使TGS晶体部分单畴化,而且可以防止DTGS晶体的退极化。DTGS有自发单畴化趋向。用单粒子的不对称双势阱模型解释了这一现象。     

基频带长波限区域中硫酸三甘肽(TGS)和塞格涅特盐(SS)类晶体的吸收光谱特性

给出了基频带长波限区域中 TGS 和 SS 的吸收及反射光谱、外光电效应以及吸收二色性的结果。已经确定,所研究晶体的自吸收长波限(ω_c5.3电子伏)与分子型激子的激励作用有联系,在ω>8电子伏区域中和在 TGS 类晶体中有中间区吸收,主要是与 AB_4~(2-)类有联系(A—硫、硒、铍,B—氧、氟)。     

热释电电荷对TGS晶体极化度的影响

对于二级相交铁电体,考虑了在高负载电阻条件下这类晶体的热释电电压与温度关系的热力学内容。这些想法已用来说明实验上得到的TGS晶体热释电电压的温度滞后。业已证明,升温时产生的热释电电压的电场可以引起晶体的极化,而降温时则引起晶体的退极化。     

TGS系列晶体的研究进展概况

随着热释电传感器应用的不断扩大,具有优异热释电性能的TOS系列晶体的研究日益引起重视.本文将从TGS系列晶体的生长、改性及应用等方面,对其国内外研究进展加以简要概述.     

离子注入铌酸锂平面波导双折射特性的研究

为了获得折射率信息,采用UT00-FPD型椭偏仪对5mm×10mm×1mm铌酸锂晶体及注入镓的铌酸锂晶体波导的双折射特性进行了测量.首先对铌酸锂晶体测量结果进行建模及数据处理,得到晶体在190nm～1700nm之间的双折射特性;在此模型的基础上,进一步对注入镓的铌酸锂晶体波导进行了建模和数据处理,得到了波导层的双折射率的分布.所得表征结果为铌酸锂晶体波导在光子器件中的应用提供了有用的信息.     

高性能热电探测器

本文对一些可用作热探测器的材料进行了概要介绍,说明钡铌酸锶(SBN)、硫酸锂和硫酸三甘肽(TGS)是最受人们注意的材料。TGS和它的衍生物在很大的频率和灵敏面积范围内都具有最高灵敏度。TGS的主要缺点,即有去极性的倾向,已用外加有机掺杂剂克服。这可以产生偏置的电滞回线和改进介电特性。通过引入重氢就可以扩大工作温度范围。文内还简要介绍了热电探测器的一些应用。     

用X射线照射的热释电红外探测器的永久极化

介绍了极化和以x 射线照射的TGS 晶体的介电常数、热释电系数和损耗角正切与x 射线照射曝光及温度的关系,与用钴~(60)γ射线照射的TGS 的结果作了对比。用1.5～2.0×10~6Rmin~(-1)的x 射线照射的剂量曝光1～2分钟的结果,相当于用2.3Mr的钴~(60)γ射线照射取得最佳非铁电热释电性能的结果。     

光学晶体的超精密加工

近年来,开展了把人造铌酸锂、钽酸锂晶体(电光、声光效应优良)用于光通讯或记忆装置的功能元件的研究工作。为了有效地利用这些晶体的特性,需要使晶体元件的通光面按一定的方向,而且镜面要象透镜或棱镜那样不能有毛疵,同时还要按精密的形状加工。     

TGS晶体中电畴结构对热释电性质的影响

给出了关于TGS晶体中初始畴结构对热释电性能影响的研究结果。采用动态热释电方法来研究这一问题,弄清楚了部分极化的晶体的畴结构在加热时会发生“分裂,”导致极化度降低。电畴结构的“分裂”由热释电信号与温度的关系曲线的突变点反映,“分裂”温度取决于畴结构的大小。     

1.06微米激光泵浦的富锂铌酸锂光参量振荡器

实验是用Nd:YAG一级振荡、一级放大、双45°铌酸锂电光调Q,输出非常偏振多纵模的1.06微米激光泵浦。重复频率1次/秒,泵浦脉宽30毫微秒,泵浦能量约为75毫焦耳。 参量振荡使用新的富锂铌酸锂晶体,晶体在yz平面内按θ_m≌49°切割,通光长度≌16毫米。参量振荡采用平面腔结构,所用宽带反射膜片,1.06微米激光透过率T(?)90％,在1.5～1.9微米范围内,输入膜片反射率R≈99％,输出膜片R≈95％。参量振荡器放在恒温精度为±0.2℃、温度在200℃的恒温槽中。用石英棱镜单色仪测定参量输出的信号光波长,用石英窗口TGS热释电红外摄象探测、工业电视监示。     

热电探测器用的热压硫酸三甘肽

虽然热电探测器早已提出,但是最近才作为红外探测器使用。已普遍证明TGS(硫酸三甘肽)在作为探测器使用时是具有最大探测度数值的热电材料。可得到的探测度D~*一般为3×10~8。已证明其他材料在必须分辨很短激光脉冲的应用中或先决条件为机械强度、耐热冲击、高居里温度或低制备成本的应用中是有用的。制备TGS探测器特别是那些大面积探测器的问题之一是需要生长大的单晶以及切割、研磨和腐蚀这些晶体的薄片而不损坏。本文介绍了热压TGS的制备情况,并鉴定了用这种材料制备的几个探测器。初步结果说     

钽酸锂晶体及其应用分析

钽酸锂作为一种优良的多功能晶体材料,具有良好的压电、电光和热释电等性能,已被广泛应用于通信、电子等行业。该文介绍了钽酸锂晶体的结构、缺陷及性能调控方式,总结了钽酸锂晶体的制备方法及优缺点,分析了钽酸锂晶体在各应用领域的国内外研究进展,并对钽酸锂晶体的发展进行了展望,以期对钽酸锂晶体的应用及研究提供帮助。     

TGS和DL-ATGSP铁电体的喇曼光谱

用氩离子激光测得TGS和DL-ATGSP晶体的喇曼光谱图,将观察到的谱线按频率和振动模式分类并与V.Winterfeldt和A.Galustian的结果对比。在DL-ATGSP喇曼光谱中发现PO_4~(3-)根和CH、CH_3基的谱线,说明晶体中已含有磷酸和丙氨酸。     

大面积均匀掺杂TGS晶体的生长

应用旋转盘方法生长了以大面积(010)晶面为籽晶的1-丙氨酸掺杂TGS晶体。改装普通的水溶液装置,使能在适当的流动条件下进行(010)晶面上的稳定生长,得到的晶体是高质量的,没有从籽晶繁衍下来的缺陷,通过缀饰和偏压场测量证明,由于均匀掺杂,改善了电性能。这些优点对热释电成象器件的应用特别重要。本文介绍选用的装置和晶体的生长,并讨论这种方法的优点。