Dy2Fe17—xAlx3化合物中的R—T交换耦合常数的计算

提出利用分子场近似结合中子衍射或X射线衍射的实验结果,计算R2Fe17型稀土过渡族化合物中的稀土在磁矩与过渡族磁矩之间的交换耦合常数的方法。计算了Dy2Fe17-xAlx3（x＝2,3,3,5,6,7,8）化合物中的稀土磁矩与过渡族磁矩之间的交换耦合常数－JRT／K,结果分别为7．77K,7．27K,7．39K,8．62K,8．64K,9．52K,10．34K。其中对x＝5,6,7,8的化合物计算结果与高场测量的实验值8．77K,9．25K,10．1K,10．9K符合得较好。说明从分子场理论出发,利用X射线衍射或中子衍射的结果更细致地考虑一些替代的细节,计算稀土过渡族化全物中的稀土（R）磁矩与过渡族（T）磁矩之间的交换耦合常数是一种可取的方法。     

X射线衍射法测定分子筛硅铝比与结晶度

用X射线衍射外推函数法测定饱和吸水前后NaY分子筛的晶胞参数和结晶度，经晶胞参数与^29Si、^27Al固体魔角核磁共振谱仪测定NaY分子筛骨架中的硅铝比关联的经验公式，得到的X射线衍射法测定NaY分子筛骨架中硅铝比的分析方法，以便满足NaY分子筛骨架中硅铝比测定工作的需要。结果表明，测定NaY分子筛硅铝比、晶胞参数和结晶度的有效方法是在测定前对分子筛进行稳化处理，使其饱和吸水。     

关于含3.3％Si球墨铸铁出现脆性的认识

X射线衍射实验证实,球铁的含硅量在3．0％－5．0％范围内逐步增加时,其衍射峰的数量、位置及强度均呈现规律性变化。值得注意的是这种变化与球铁的脆性有良好的对应关系。并推论出：球墨铸铁的含硅量3．3％时出现的脆性与平均每一个α-Fe晶脆里溶入了1／8硅原子有关。     

X射线衍射法测定分子筛硅铝比与结晶度

用X射线衍射外推函数法测定饱和吸水前后NaY分子筛的晶胞参数和结晶度 ,经晶胞参数与2 9Si、　2 7Al固体魔角核磁共振谱仪测定NaY分子筛骨架中的硅铝比关联的经验公式 ,得到的X射线衍射法测定NaY分子筛骨架中硅铝比的分析方法 ,以便满足NaY分子筛骨架中硅铝比测定工作的需要。结果表明 ,测定NaY分子筛硅铝比、晶胞参数和结晶度的有效方法是在测定前对分子筛进行稳化处理 ,使其饱和吸水     

Fe2O3纳米粉的合成与表征

用溶胶法合成了无定形Fe2O3和对α－Fe2O3纳米粉，用透射电镜、X－射线衍射、紫外可见光谱对其进行了表征，TEM和XRD结果表明，所合成的两种Fe2O3纳米粉粒径分别为5nm和45nm，而且两种方法所得结果是一致的，UV－vis谱结果表明，所合成的两种Fe2O3禁带宽度分别为3．1eV和2．18eV。     

从混合稀土LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3中分离CeO2的研究

以湿空气为氧化剂，研究稀土氯化物LaCl3-CeCl3、CeCl3-PrCl3、CeCl3-NdCl3的氧化反应特性，根据铈和非铈稀土元素氧化物的氧化产物不同实现CeO2的分离．最佳氧化反应温度和时间分别为900K和60min，实验产物经X射线衍射分析，只有CeO2的衍射峰，实现了单一稀土CeO2的分离．     

固体催化剂结构分析

用X射线衍射外推函数法测定饱和吸附前后NaY分子筛的晶胞参数和结晶度。通过晶胞参数与用^29Si、^27Al固体魔角核磁共振谱仪测定的NaY分子筛骨架中硅铝比的关联经验公式，得到了X射线衍射法测定NaY分子筛骨架中硅铝比的方法，通过X射线衍射仪对NaY分子筛进行晶胞参数与结晶度分析，并与NaY分子筛的活性相比较，找出结晶度与活性的规律。结果表明，利用拟合回归曲线和最小二乘法得到的计算经验公式与实验过程中得到的活性近似相等，在应用中可直接计算催化剂活性。     

用X射线衍射快速测定PST—PEO星形嵌段共聚物的结晶度

本文报导用X射线衍射快速测定Pst—Peo星形嵌段共聚物结晶度的一个方法。即根据共聚物X射线衍射图谱只出现两个主要衍射峰(分别在2θ=19．20°和23．25°),无定形散射峰重叠在衍射峰中的特征,在测定中引入了一个衍射因子C和一个散射甲子A,求得了共聚物的结晶度。结果令人满意。     

纳米X型沸石制备及其在镍废水吸附处理中的应用

用水热合成法合成了纳米级X型沸石分子筛，并采用透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)进行了表征．研究了纳米X型沸石分子筛对Ni^2 的吸附．考察了纳米X沸石分子筛用量、pH值、接触时间和温度对Ni^2 的吸附去除的影响．结果表明，投加0．03g纳米X沸石分子筛用量在pH约为5．0，温度为25℃，吸附时间为5min，去除率达到98．25％．最大吸附量可达150mg／g．采用1mol／L的HCl能较完全洗脱纳米级X型沸石分子筛所吸附的Ni^2 ．表明纳米级X型沸石分子筛能循环使用，可应用于含镍废水的处理．     

锗／硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究

用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗／硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析．所有样品的锗层厚度固定为1．5单原子层,而硅层厚度为1．4～3．8nm．对于硅层厚度小于2．4nm的样品来说,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽,而且看不到干涉引起的精细结构,这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整．对硅层较厚(＞2．9nm)的样品,摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄,而且有明显的由干涉产生的精细结构,表明此时超晶格的质量较高,界面平整．对硅层厚度为2．1～2．9nm的样品,超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰,但没有精细结构出现．这个区间与文献[1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同．本实验的X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献[1]提出的此异常带与局部应力场引起的外延层呈波浪状扭曲有关的结论。