真空电子技术

0463.1 99040063具有设定图像旋转角的曲轴电磁聚焦成像/金伟其,曹峰梅,周立伟(北京理工大学)11电子学报.一19 98,26(12)一41一44,36在曲轴宽电子束聚焦理论的基础上,研究了具有设定图像旋转角的曲轴电磁聚焦成像理论,进一步发展了作者先前的电磁聚焦成像理论,导出了在设定图像转角下系统曲轴场系数应满足的条件.作为例子,讨论了几种能够实现设定图像旋转角的曲轴电磁聚焦成像系统中的曲轴场系数的分布.图2参10(金)0463.1 99040064偏转像差中的D ilemma效应/张晓兵,尹涵春,童林夙(东南大学电子学所)11电子学报.一1 998,26(12).一100一103应…     

使用电偏转的高增益偏转调制微波放大器

现有的偏转调制放大器(偏调管)一般都是低增益(小于25分贝)并利用磁场进行偏转。在本文中,我们考虑用电子偏转并采用由几个更普通的非耦合腔体构成偏转系统。这可使增益有明显的增加(可与速调管相比拟),并且不再需要像原先在磁偏调放大器中所用的、体积庞大的直流偏转磁铁。试验了两种不同类型的电偏转腔体。测出了许多腔体中的偏转阻抗和场分布。测量表明,电偏转腔体所具有的有效偏转阻抗要比磁偏转腔体大5～50倍。文中研究了依据相对论电子束公式的多腔偏转理论和麦克斯韦场方程的一阶展开式。由计算机计算得到的大量数据表明,采用多腔偏转系统的高增益偏转调制高频放大器是可行的。三腔器件的典型增益达50～55分贝。     

新型长脉冲超高效放大器Magnicon研究

文章简述了Ｍａｇｎｉｃｏｎ磁旋管的来源和发展过程，概述了它的原理。磁旋管放大器使用直圆柱谐振腔。本文从腔内旋转ＴＭ（ｎ１０）场的表达式出发，给出了谐振腔的欧姆损耗功率、冷Ｑ等的计算公式。它与现有的静态ＴＭ（ｎ１０）模场的相应公式不同，而后者目前仍被用于磁旋管的设计。文章从电子动力学方程出发，求得无源磁偏转腔的电子速度和位置解（位置与现有的不同），求得偏转腔中电子束与波的相互作用瞬时功率解。文中还给出输出腔柱坐标系的能量动力学方程，输出腔末端参数公式的相对论修正系数，以补充现有的非相对论公式。     

磁光调制法双折射光纤拍长测试技术研究

研究了光纤拍长磁光调制法测试系统中,对于给定的磁隙宽度和磁场强度,起偏方式与检偏方式对拍长测试灵敏度的影响.通过理论分析与实验研究,发现有三种测试方式均能得到最大灵敏度:1) 入射线偏振光的偏振方向与光纤双折射主轴夹角θ为0°或90°,同时Wollaston棱镜的两个检偏主轴与保偏光纤的双折射主轴夹角γ为45°;2) 入射线偏振光θ= 45°,同时γ=0°或90°;3) 入射光为圆偏振光,同时γ=0°或90°.三种情况下的测试灵敏度基本相等,但是第三种实验方式不需要在入射端精确定位光纤的双折射主轴方向,简化了实验过程,并可避免角度调节所引入的测量误差.理论分析与实验数据基本一致.     

高频铁磁材料与铁淦氧磁物材料——Ⅱ

3.23 J. 法朗克的理论 J. 法朗克的理论从拉摩进动的影响出发,在磁场中进动的一组电子的进动频率为: f_0=1/(2π)vH (11) 这里v是进动电子组磁矩对机械矩之比。如果磁矩的单位用波尔磁子μ_B=eh/4πm_0註(1)而机械矩的单位引用量h/2π,那么由(11)可得     

连续光泵亚毫米波激光器动力学运转状态分析

研究了连续光泵亚毫米波激光器(β_s=0,α_s)定态失稳后的三类动力学运转特性。第一类为泵浦光的双稳运转;第二类产生(β_s=常数,a_s)定态;第三类产生β_s的脉动输出。     

稀土贝氏体钢贝氏体铁素体-奥氏体原子像

钢中加入微量Ｒｅ ,首先可细化奥氏体晶粒 ,细化显微组织 ;其次 ,有净化、变质作用 ,减少有害气体杂质 ,改善钢的组织性能[1] 。文献[2 ,3 ] 对贝氏体铁素体精细结构进行了仔细的观察 ,但多数涉及它的形貌和表面浮凸。关于贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系 ,早期Ｓｍｉｔｈ和Ｍｅｈｌ[4] 提出 :钢中上贝氏体铁素体与奥氏体的取向关系符合Ｎ Ｗ关系 ,即 (111) γ ∥ (0 11) α,[110 ]γ∥[10 0 α]。在下贝氏体中则有Ｋ Ｓ关系 ,即 (111) γ ∥(110 ) α,[110 ]γ∥ [111]α。本文研究了有无稀土元素贝氏体钢的强度和韧性以及通过ＴＥＭ和ＨＲ…     

对《谈谈兆欧表》一文的补充

《家庭电子》今年第1期53页《谈谈兆欧表》一文比较全面地对兆欧表的工作原理等作了通俗介绍,但笔者认为,文中所述兆欧表“手摇的速度虽有快慢亦不会影响到读数”这种说法是不够妥当的,现作如下论述,不妥之处,恳请指正。《谈谈兆欧表》一文认为“由于R、Ro、K(K是两个线圈电流比值)均是常数,所以Rx仅是偏转角α的函数,而与直流电源的大小无关”。但在实际的兆欧表中,发电机两个线圈产生的I1及I2使线圈产生偏转力,这个力首先要克服它们的静态惯性与空气阻力,然后才     

彩色显象管磁偏转象差的理论分析与计算(常枕一桶形场部分)

本文就H_0、H_2、V_0、V_2均为常数的有界枕形场、桶形场及其混合场进行了计算和分析,发现H_2、V_2与各种会聚误差具有良好的线性关系,因而只要很少几次计算,就能对这种理想场分布的会聚误差有一个全面的了解,并可以方便地求出消除某种误差所应选取的H_2、V_2值以及使各种会聚误差趋于最小的最优化值。由于采用龙盖、库塔法从轨迹方程直接求解,故适用于大偏转角情况。所设计的电子计算机程序能给出空间电子轨迹、平面屏、柱面屏、球面屏上的落点坐标及会聚误差的大小,并用宽行表格打印出来。     

Si基外延Ca_2Si电子结构的计算

采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ca2Si(001)//Si(100),取向关系为Ca2Si[100]//Si[110]立方相的Ca2Si平衡体系下能带结构、态密度等进行了理论计算。计算结果表明:当原胞的晶格常数a取值为0.490nm时,立方相Ca2Si处于稳定状态并且是具有带隙值为0.6402eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Si的3s、3p态电子和Ca的3s、3p态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成。