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蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):81-84
用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了PtTi阻挡层与AnTi/AuGe:Ni/GaAs系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明,系统在250℃以下热处理是稳定的,它具有良好的欧姆接触特性;在更高的温度下,发现阻挡层下面的Ti扩散穿过接触层并消耗接触层的GaAs,在欧姆接触层下形成Ti-Ga-As/GaAs接触。接触电阻Rc迅速增加,由原始的几欧增大到几百欧。在320℃热处理时,系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。 相似文献
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低压反应离子镀新工艺及其设备 总被引:1,自引:0,他引:1
唐惠平 《电子工业专用设备》1997,26(2):36-44,54
采用低压反应离子镀沉积技术,制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的TiO2、SiO2和Al2O3膜,其折射率分别为255、149(550nm)和167(1100nm),比传统的电子束蒸发好得多。用此方法,在CR39基片每面沉积4层TiO2/SiO2抗反薄膜,剩余反射率≤05%。本文简要介绍其工艺过程和相应的LVRIPD装置 相似文献
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Pt/Ti爆炸复合及轧制双金属界面SEM分析李炎张振逵*祝要民肖宏滨吴逸贵(洛阳工学院材料系,*洛阳船舶材料研究所,洛阳471039)采用爆炸复合加轧制的方法制取Pt/Ti双金属复合板可有效地节省贵金属、降低成本。Pt/Ti双金属复合板质量的优劣取决... 相似文献
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Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触,在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感,本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处的化学吸附,引起表面Fermi能级改变,影响Pt/TiO2肖特基势垒的高度,从而导致了I-V曲线变化的物理过程,对器件制造过程中的工艺问题所论述。 相似文献
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介绍了Ti-Au,Ti-W-Pt-Au,Mo-Au,TiW-AU,TiW-Pt-Au等多种金属膜分别在400,425,450,475和500℃,30分钟等时退火后的显微镜观察和典型样品的俄歇能谱分析结果。结果表明,Ti由于在Au中扩散太快,阻挡性能较差而W,Mo,TiW都有较好的阻挡性能,结合实际应用,TiW-Pt-Au应是同波功率管的金属化的较佳选择。 相似文献
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采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)工艺获得了铁电PbZr053Ti047O3(PZT)薄膜的微细图形.研究了用CHF3气体在不同射频功率和气体流量下PZT薄膜、Pt和AZ1450J光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律.原子力显微镜(AFM)结果表明,获得的PZT薄膜图形具有较高的各向异性.化学分析电子能谱(ESCA)结果表明,在CHF3等离子体中Pt表面形成了一层碳氟聚合物薄膜,它对Pt的刻蚀起到钝化和保护的作用,并且最后可以在300℃热处理30min被消除. 相似文献