(C8H17NH3)2PbI4薄膜的制备和发光特性研究

;采用旋涂法制备了具有层状钙钛矿结构的有机/无机杂合物(C8H17NH3)2PbI4薄膜,X射线衍射结果表明该材料具有规则的层状结构.采用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌.利用紫外--可见吸收光谱和荧光光谱进行研究,室温下薄膜显示了强烈、尖锐的激子吸收峰,且在可见光范围内显示了强烈的光致发光.     

含有衬底的双层复合薄膜的磁电效应

建立了含有衬底的层状复合磁电薄膜的弹性力学模型,并简要推导了非理想耦合状态下的磁电双层膜的横向和纵向的磁电（ME）电压系数公式。计算了PMN-PT/CFO层状复合薄膜的磁电电压系数随压电相体积分数v、衬底的体积分数vs以及界面耦合系数k之间的变化关系。结果表明,衬底对磁电薄膜有着强烈的夹持效应。衬底的厚度、薄膜界面之间...     

有机／无机杂合物（CnH2n＋1NH3）2PbX4的表征

合成了具有层状钙钛矿结构的有机/无机杂合物（CnH2n＋1NH3）2PbX4（其中X—Cl,Br,I;n=2,4,6,8,10）,采用X射线衍射对产物的结构进行了表征,结果表明,层间距d值随着有机组元中碳链长度的增加而增加,而卤素阴离子的半径大小对层间距的影响较小．采用红外光谱对产物（C6H13NH3）2PbI4的结构进行表征,结果表明在产物中已经引入了有机组分正己胺,但可能由于胺基质子化的影响,使其结构与自由的C6H13NH2相比具有不同的特征．     

大面积电致变色器件的制备及性能研究

采用溶胶-凝胶法合成了TiO2-CeO2薄膜,XRD、SEM、紫外可见透射光谱、循环伏安法等测试结果表明：经500℃热处理1h后的TiO2-CeO2薄膜呈面心立方方铈矿结构,其薄膜表面光滑,光学透过率高于80％,电荷存储量可达9．46mC·cm^-2,循环可逆性K为95％,是一种性能优良的电荷储存材料．同时采用聚（3,4-乙撑二氧噻吩）PEDOT／PSS为电致变色活性材料,制备了对称结构（ITO｜｜PEDOT／PSS｜｜PMMA／PC—LiClO4｜｜PEDOT／PSS｜｜ITO）和非对称结构（ITO｜｜PEDOT／PSS｜｜PMMA／PC—LiClO4｜｜TiO2-CeO2｜｜ITO）的大面积（10cm×10cm）电致变色器件,发现二者的对比度分别为17％、23．4％,褪色响应时间则分别为0．9s和2．8s,具有良好的应用性能．     

两种形貌TiO2薄膜电极的制备及其光电性能的比较研究

制备了微,纳米TiO2晶体及其薄膜电极和多孔TiO2薄膜电极;采用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X-射线衍射仪（XRD）表征微,纳米TiO2晶体的结构,采用扫描电子显微镜（SEM）表征两种薄膜电极的结构,通过测量两种薄膜电极的光电流及I-V特性研究其光电性质。结果表明,微,纳米TiO2晶体是金红石型、纳米棒自组装的球型结构,其薄膜电极为三维结构,而多孔TiO2薄膜电极为二维结构,由于微,纳米TiO2晶体薄膜电极具有大的比表面积,有利于光的吸收利用,表现出优异的光电特性,光电流、短路电流、开路电压分别为2．72μA／cm^2、37．52μA/cm^2、0．146V,比多孔TiO2薄膜电极的相应参数分别提高了28．3％、12．8％、23．7％。     

溶胶—凝胶工艺参数对PLT10薄膜显微结构的影响

研究了溶胶－凝胶工艺中溶胶陈化时间，热处理工艺条件和衬底材料对ＰＬＴ１０（Ｐｂ０．９Ｌａ０．１Ｔｉ０．９７５Ｏ３的简称）薄膜显微结构的影响。结果表明，在（１００）Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＬＴ１０薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜；在（１００）ＳｒＴｉＯ３衬底上制备的ＰＬＴ１０薄膜为（００１）择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜，（００１）择优取向度高达０．９５。溶胶陈化时间愈长，薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高，ＰＬＴ１０薄膜钙钛矿结构发展越充分，薄膜晶粒尺寸越大。     

溶胶-凝胶法氧化铈-氧化钛涂层的成膜行为研究

采用溶胶-凝胶法,以Ce（NO3）3·6H2O和Ti（OC3H7）4为前驱体制备了不同铈钛比的CeO2-TiO2复合薄膜．对溶胶的黏度和粒度等物理性质进行了测试,运用循环伏安和双电位阶跃等方法分析了CeO2-TiO2复合薄膜的电化学性能．结果表明：溶胶的黏度和粒度对镀膜效果和薄膜的电化学性能有着直接的影响;n（Ce）：n（Ti）=3：4,溶胶老化时间为62h时,其黏度为4．5×10^-3 Pa·S,粒度为250nm时,在Li^＋离子注入／脱出过程中,薄膜有较快的电化学响应和较高的电荷容量（4．5mC／cm^2）,薄膜具有良好的循环可逆性,可在智能窗、锂离子电池等器件中作为离子储存电极．     

沉积温度对ZnO薄膜结构和光学性能的影响

采用RF磁控溅射法，在单晶硅衬底上生长出高质量的（002）晶面取向的ZnO薄膜．利用X射线衍射分析（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光栅光谱仪等技术研究了沉积温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和发光性能的影响．研究结果表明，在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜当沉积温度为500℃时能获得最佳的c轴取向和最小半高宽，此时ZnO薄膜具有较小的压应力和较好的紫外发光性．     

二维层状铜（I）配位聚合物的合成与晶体结构

以自制的柔性1,6-双（苯并三氮唑）烷烃为桥连配体,以溴离子为第二桥连配体,以期与 d10过渡金属Cu（I）通过自组装反应获得具有新颖结构和优良荧光性能的配位聚合物．在乙醇溶剂热条件下,合成了一个结构新颖的配位聚合物：｛[CuBr]4（BBTH）｝n ．X-射线单晶分析表明配位聚合物属于单斜晶系,空间群为C2/c ,晶胞参数 a＝12．7298（13）?,b＝15．4556（16）?,c＝12．9395（13）?,β＝94．5380（10）°,V ＝2537．8（4）?3,Z＝4．配位聚合物的两个中心铜原子均采取变形的四面体配位模式分别与一个来自配体（BBTH）的氮原子和三个桥联溴原子进行配位,每个Cu＋或Br-连接相邻的三个Br-或Cu＋形成一个新颖的梯子链状结构,进而通过配体（BBTH）的连接形成二维层状结构．通过元素分析、X桘射线粉末衍射、红外光谱、热重分析、固体荧光光谱等手段对配位聚合物进行了全面的表征．热重分析结果表明,配位聚合物在300℃以下无分解反应,耐热性好．室温固态荧光测试显示,配位聚合物在392 nm （λmax ）处具有较强的荧光发射．     

水热软化学法合成单轴取向钙钛矿型钛酸盐薄膜

采用具有纤铁矿型层状结构的层状钛酸盐K0.8Ti1.73Li0.27O4·nH2O(KTLO)制备出层状H -型钛酸盐H1.07Til.73O4·nH2O(HTO),并将其以之作为前驱物,将HTO前驱物粉末通过与0.1 M的n-丙胺反应剥落成其结构单元层的纳米片,接着采用HTO纳米片胶体溶液通过旋转涂覆工艺在金属基体Ti、Pt或者Au上制备出择优取向的HTO薄膜,随后加热至200～400℃.在A(OH)2(A=Ba,Sr)溶液中于150～350℃温度范围内水热处理HTO前驱物薄膜成功制备出具有高度[110]择优取向的ATiO3(A=Ba,Sr)薄膜(取向因子≈1.0).钛酸盐薄膜择优取向的方向受控于HTO前驱物薄膜的结构且不依赖于基体的性质.