硅光电器件抗反射系统设计研究

根据ＳｉＯ２－Ｓｉ系统在空气中的反射率公式，讨论了ＳｉＯ２层厚度和入射光波长对反射率的影响，提出了在两种情况下确定ＳｉＯ２层厚度的方法：１．实现在某一波长范围抗反射效果最佳；２．实现在某一光照条件下光电流最大。     

键合Si／SiO2／Si结构的C—V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验。     

EL结构的界面粗糙度对器件性能的影响

为了加深对薄膜电致发光器件的物理性质的理解，本文就相邻介质的粗糙度对器件电气性能的影响了研究。原子力显微镜分析表明：底层的Ｔａ２Ｏ５厚度越大，其表面就越粗糙，导致ＺｎＳ：Ｐｒ，Ｃｅ表面的粗糙度增加。更重要的是增加Ｔａ２Ｏ５薄膜表面的粗糙度，降低了由Ｐｏｏｌｅ－Ｆｒｅｎｋｅｌ电流而产生的初始场强。对ＩＴＯ－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＳ：Ｐｒ，Ｃｅ－Ａ１和ＩＴＯ－Ｔａ２Ｏ５－ＺｎＳ：Ｐｒ，Ｃｅ－Ｔａ２Ｏ５－Ａ１     

键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征

本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．     

RESURF原理应用于SOI LDMOS晶体管

本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了ＲＥＳＵＲＦ原理应用于ＳＯＩＬＤＭＯＳ晶体管．研究表明：击穿电压随埋层ＳｉＯ２厚度增加而增加；击穿电压随Ｓｉ层厚度变化呈现Ｕ型曲线；当埋层ＳｉＯ２和Ｓｉ层厚度一定时，Ｓｉ层的杂质浓度存在一个临界值，在此浓度之下，可获得高的击穿电压．这个结论也适用于介质隔离的各种横向器件的击穿特性分析．     

气相扩镓的杂质Rs效应分析

在确定的开管扩镓装置中，以氢气做为镓源Ｇａ２Ｏ３的反应和输运气体，凭借准确的控制扩散条件，镓在ＳｉＯ２／Ｓｉ系统中扩散，可获得良好的扩散均匀性和重复性。根据镓在Ｓｉ和ＳｉＯ２中扩散行为，分析讨论了镓在裸Ｓｉ系和ＳｉＯ２／Ｓｉ系扩散所产生的杂质Ｒｓ效应，及其氧化膜质量和厚度对Ｒｓ的影响。     

钝化膜抗γ辐照的研究

研究了几种不同的钝化膜的γ辐照特性，初步揭示单纯的ＳｉＯ２膜不具备抗γ辐照的能力，厚度为１００ｎｍ涂有聚酰亚胺的ＳｉＯ２膜当辐照剂量小于１０＾６拉德（Ｓｉ）时具有良好的抗γ辐照作用。同时指出了四甲基氢氧化胺对Ｓｉ－ＳｉＯ２界面也有影响。     

SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响

本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小于０．５μｍ．     

MOD─SnO＿2气敏材料的TEM、SEM分析

分别用ＴＥＭ、ＳＥＭ分析了ＭＯＤ－ＳｎＯ＿２粉末和薄膜，结果表明，根据热处理条件的不同，晶粒尺寸在几十纳米到微米之间；如果控制旋涂薄膜的厚度小于１００ｎｍ，并进行陡然升温热处理，则簿膜光滑无裂纹；即使得到的ＳｎＯ＿２膜存在微裂纹，但是由于微裂纹形成的颈部尺寸比薄膜厚度大得多，故其气敏特性仍然应当由膜厚决定。     

全耗尽CMOS／SIMOX器件研制

在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。     

薄膜电致发光平板显示器件

本文描述交流薄膜电致发光(ACTFEL)平板显示器件的基本工作原理,结构,设计规则和驱动方法,叙述ACTFEL显示的荧光体和绝缘体的一些基本总是以及采用的各种工艺;介绍了多色TFEL显示的结构和制作技术,还介绍了它们进展水平以及未来发展趋势.     

交流薄膜电致发光显示器件特性评价

主要介绍国内外交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）显示器件发光特性的测试方法和评价基准。     

Choice of dielectrics for TFEL displays

The commonly used dielectrics, Y2O3, Al2O3, Si3N4, and Ta2O5, were evaluated for use in ac thin-film electroluminescent displays, along with a composite dielectric SiAlON. Adhesion, stress cracking, charge storage capacity, and display brightness and efficiency were studied for devices with ZnS: Mn layers fabricated under identical conditions. A combination of SiAlON and Ta2O5appears to be optimum as a double-layer dielectric system for ACTFEL displays.     

电致发光显示器电路系统的研制

本文着重介绍交流薄膜电致发光显示器电路系统的原理，以及一些技术难点的解决方法。     

The constructions and optical characteristics of multi-color or full-color ACTFEL display devices

II-VI compounds (such as ZnS, CaS and SrS) are useful semiconductors for electrolu-minescent display devices. Recently, much effort has been paid to the color AC thin film electroluminescent (ACTFEL) display devices. In this paper, we review the several dif-ferent kinds of constructions and materials of active layer of the color TFEL devices. The optical characteristics and chromaticity coordinates of three primary color of these color TFEL display devices will also be discussed.     

A planar single-substrate AC plasma display

A novel method is described for constructing an acsustained gas-discharge display (plasma panel). Electrodes and insulating layers are applied alternatively on a single base substrate to produce a matrix of insulated crossovers. A second clear substrate is used to contain gas on the electrode side of the base substrate where glow discharge occurs. As in conventional two-substrate panels, internal memory is obtained by charge storage on the dielectric. The pulsed write and the sustain mechanisms of single- and twin-substrate display elements are discussed with regard to the effects of cell and field geometries. In the sustain mode, glow-propagation effects are observed, especially in the nonhomogeneous fields of the single-substrate design. Here cathode-type glows which form a narrow band are observed with a high-speed photomultiplier and shown to sweep across the dielectric surfaces. Luminance, intensity distributions, and luminous efficiency data are compared on small 10 × 10-line panels using single-substrate and conventional designs. A three- to four-fold improvement in luminance is achieved with the single-substrate geometry.     

LED显示屏驱动技术讨论：动态响应

LED驱动芯片的动态响应特性经常被忽略,但却是相当重要的一个特性。动态响应影响LED显示屏的影像质量,如灰阶、线性度、EMI、信赖性。虽然这些特性彼此间有取舍关系．但是好的驱动芯片应该能够在这些特性中取得较佳的平衡。本文将探讨动态响应的重要性及LED驱动芯片与电路板设计技术,以协助工程师设计出影像质量良好的显示屏。     

带电量显示的太阳能充电器设计

本文介绍了带电量显示的太阳能充电器,可实现太阳能充电和直流充电两种充电方式。该设计主要由太阳能电池板、锂电池、充电模块、升压模块、锂电池保护模块和电量显示模块等几个部分组成。把充电器放在一个有阳光的地方,即可以为手持设备提供一个方便的太阳能充电点,使户外充电变得便捷。     

Flexible AM OLED panel driven by bottom-contact OTFTs

Active matrix organic-light-emitting-diode (AM OLED) panels, driven by organic thin-film transistors (OTFT), have been successfully fabricated on a flexible plastic substrate. The pixel circuit consists of two bottom-contact pentacene OTFTs working as switching and driving transistors. The panel has 16 /spl times/ 16 pixels, each of which have an OLED using a phosphorescent material with an emission efficiency of 30 cd/A. A tantalum oxide (Ta/sub 2/O/sub 5/) film with a dielectric constant of 24, prepared by the anodization of Tantalum (Ta), was used as the gate insulator of the OTFTs. The passivation layer on the OTFTs was formed by a layer of silicon dioxide (SiO/sub 2/) and two layers of polyvinyl alcohol. Using OTFTs with a Ta/sub 2/O/sub 5/ gate insulator, the authors have realized a flexible active matrix OLED panel driven with a low voltage of -12 V.     

a—Si：H TFT有源矩阵制造技术的研究

对ａ：Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ｔａ２Ｏ５／ａ－ＳｉＮｘ双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ来降低背光源对器件特性的影响，研制的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。