Diodes双极型三极管采用微型PowerDI5封装大幅节省占板空间

Diodes推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。     

Diodes推出采用新型PowerD15封装的双极型三极管

Diodes公司推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。首批采用新型PowerD15封装的NPN及PNP晶体管产品适用于数据通信、电信、电机驱动及电池充电器应用。     

Diodes双极型三极管采用新型PowerDI5封装

Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺,率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。     

Zetex全新微型双极封装提升电源效率

<正>模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出新型ZXTC2045E6器件,它与互补NPN和PNP晶体管集成在一个SOT236封装内,可满足     

功率三极管封装图说

功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-Hole Mount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（Sudacd Mounting Device，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管丁HM封装以TO（Transistor Outline，晶体管封装）为主要形式，     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压NIIMOSFET,采用2．3mm&#215;2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm&#215;6．7mmSOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。     

ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF：功率MOSFET

Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计（5 matrix emitter Bipolar process）。     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压侧MOSFET,采用2．3mm&#215;2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm&#215;6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻为500mΩ,连续额定电流为1A,     

研诺转换器采用新的芯片级封装为便携系统设计师大幅节省空间

2008年3月20日，专为移动消费电子设备提供电源管理半导体器件的开发商研诺逻辑科技有限公司宣布为其AAT1149和AAT1171直流／直流转换器增加芯片级封装（CSP）。由于去除了键合线，新的CSP封装选择极大地减少了占板面积。与传统带键合线的封装相比，新的封装选项还可减少杂散电感、电容和电阻以及由其产生的噪音。     

可节省85％占板空间的新型自保护式MOSFET

Diodes公司日前又扩展了其IntelliFET产品系列．推出其体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管工作状态的一种判断方法

本文给出含有射极电阻的基本电路中双极型晶体三极管(BJT)工作状态的一种判断方法。对于有射极电阻的基本电路,如果只知道电路中电阻的阻值、BJT的电流放大倍数β和直流电源的电压值,可以先假设其中的BJT处于放大状态,求出BJT在放大状态下的集电极电流IC或基极电流IB,然后与临界饱和状态下的集电极电流ICS或基极电流IBS比较,如果IC相似文献   

Diodes推出行业最小双极型晶体管实现更小巧便携式产品设计

Diodes公司(Diodes Incorporated)推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2,离板厚度仅0.4mm,面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。这些晶体管尺寸小,加上卓越的400mW功耗,有利于智能手机和平板电脑等受空间限制的便携式产品的设计。Diodes破     

恩智浦推出业界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封装的双极性晶体管

正恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款采用5mm×6mm×1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。     

采用15mm×15mm×2.8mm表面贴装型封装的三路输出DC/DC μModule~稳压器可取代多达30个分立元件 设计要点469

引言在多电压系统中,当可用的空间狭小和设计时间紧张时,对应的解决方案是采用一个多输出DC/DC稳压器IC。对于存在更加严重的空间和时间限制的系统,一种更佳的解决方案是采用一个预制的紧凑型多输出DC/DC系统,这种系统不仅内置了稳压器IC,而且还包括诸如电感器、补偿电路、电容器和电阻器等支持元件。