(Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01)x(Al2O3)1-x颗粒膜的霍耳效应

用磁控溅射方法制备了系列(Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01)x(Al2O3)1-x颗粒膜样品, 体积百分比x从0.33～0.63, 样品厚度约为100 nm. 室温下在Fe0.86Zr0.033Nb0.033B0.068Cu0.01体积百分比x＝0.43时得到17.5 μΩ*cm的最大饱和霍耳电阻率, 比纯铁磁金属提高了3～4个量级. 对其磁性和微结构进行了研究, 样品霍耳电阻率随外场的变化曲线ρxy～H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M～H有相似性, 说明霍尔电阻率ρxy与磁化强度M相关. 样品电阻率ρxx随金属体积百分比x的减小而增加, 在x＝0.43附近发生突变, 从金属导电变为绝缘体. 根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨.     

在La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3中保持Mn~(3+)∶Mn~(4+)=2∶1的镁掺杂效应

通过测量样品的M T曲线、M H曲线、ESR曲线、红外光谱、拉曼光谱、ρ -T曲线和MR T曲线 ,研究了双掺杂La0 .6 7+ 1 .33xSr0 .33- 1 .33xMn1 -xMgxO3(0.0 0≤x≤ 0 .2 5 )体系的磁电性质和输运行为。对x =0 .10和 0 .15 ,在温度高于TConset时出现相分离 ;对x =0 .2 0和 0 .2 5 ,在低温区出现了反铁磁 (AFM )行为。x =0 .0 5的 ρ-T关系存在金属 绝缘体 (MI)转变 ;x≥ 0 .15的所有样品在测量温区内显示绝缘体行为。这些奇异现象用M H关系、ESR曲线和拉曼光谱给予了很好的解释     

二相复合体La_(2/3)Ca_(1/3)MnO_3/xCuO的界面效应

用固相反应法制备二相复合体La2/3Ca1/3Mn O3/x Cu O(x=0,0.04,0.08,0.12,0.20,0.30)。用X射线衍射(XRD)图谱、扫描电子显微镜(SEM)照片检测样品的结构,通过零场冷和加场冷的电阻率-温度(ρ-T)曲线、磁电阻-温度(MR-T)曲线研究界面效应对电输运性质及磁电阻的影响。结果表明:样品形成完好的钙钛矿相和Cu O相;复合样品的颗粒比较均匀,颗粒大小约2μm,界面比较清晰;复合样品的ρ-T曲线出现双峰,x=0.04的样品电输运性质出现反常,它的电阻率既小于x=0的电阻率,也小于x=0.08的电阻率;复合样品的MR-T曲线也出现双峰,x=0.20,0.30的样品,0.8 T磁场下在50~250 K温区磁电阻不小于13.4%,实现了大温区且有较高磁电阻,有利于MR的实际应用。用影响电输运的多种因素的竞争很好地解释了界面效应。     

Fe-Cu-Nb-Si-B薄带的淬态纳米化与巨磁阻抗效应

使用较低的快淬速度(V =2 2m·s- 1 ) ,可以使Fe Cu Nb Si B薄带实现淬态纳米晶化。Fe Cu Nb Si B薄带析出αFe(Si)纳米相,其晶粒尺寸在淬态薄带Fe73Cu1 .5Nb3Si1 3.5B9中约为15nm ,在Fe71 .5Cu3Nb3Si1 3.5B9中约为10nm。添加Cu元素可以细化淬态薄带的晶粒。实验发现磁阻抗ΔZ/Z0 ,磁电阻ΔR/R0 ,磁电抗ΔX/X0 三条曲线交叉于一点,通过推导发现此现象具有必然性。淬态薄带Fe74 .5-xCuxNb3Si1 3.5B9的磁阻抗显示了较强的Cu含量依赖性。在快淬速度v =2 2m·s- 1 下,在x =1.5和x =3左右观察到磁阻抗峰值现象。     

钙钛矿化合物SrFe_(1-x)Cu_xO_(3-δ)(0≤x≤0.3)的制备及磁性

采用溶胶-凝胶法制备钙钛矿结构化合物Sr Fe1-xCuxO3-δ(0≤x≤0.3)的多晶样品,通过X射线衍射(XRD)结合Rietveld结构精修方法研究该化合物的晶体结构,并使用物性综合测量系统(PPMS)研究其磁性能。精修结果表明掺Cu可使样品发生结构转变,x=0的样品为I4/mmm点群的正方结构,而x=0.1,0.2,0.3的样品均为Pm 3 m点群的立方结构,晶格常数随Cu含量的增加而减小。磁性测量的结果表明Cu含量越高,造成铁磁和反铁磁相互作用的竞争越激烈,形成自旋玻璃态;x=0.1,0.2,0.3的样品转变温度低于x=0的样品,但随Cu含量增加,x=0.1,0.2,0.3的样品转变温度逐渐升高;随Cu含量增加,Fe/Cu位的有效磁矩减小。     

Nb含量对Zr55Cu30Ni5Al10块体金属玻璃热稳定性和力学性能的影响

在水冷铜坩埚中采用铜模吸铸法制备出直径Ф3 mm的(Zr0.55Al0.10Ni0.05Cu0.30)100-xNbx(x=0,2,4,6,8,10)合金试样,利用X射线衍射(XRD)、差热分析(DSC)、扫描电镜(SEM)以及准静态压缩试验方法研究了Nb含量对Zr55Cu30Ni5Al10块体金属玻璃的非晶形成能力、热稳定性、力学性能和组织的影响。研究结果表明,添加适量的Nb元素能提高Zr55Cu30Ni5Al10合金的热稳定性和非晶形成能力。当Nb含量为x=8时,合金具有最宽的过冷液相区(ΔTx=86 K)和最大的非晶形成能力(参数γ=Tx/(Tg+Tl)=0.416)。对于Zr55Cu30Ni5Al10合金,优化Nb元素掺杂量可以获得最佳的非晶形成能力和热稳定性。Nb的适量添加也有利于提高Zr55Cu30Ni5Al10块体金属玻璃的压缩断裂强度和塑性变形能力,其中x=8时,合金的压缩断裂强度和塑性应变量分别达到1877MPa和1.92%,并具有加工硬化现象。     

钙钛矿氧化物La0.65(Ca,Ba)0.35Mn1-xFexOy的磁电阻效应

本工作制备了La065(Ca,Ba)035Mn1-xFexOy(x=0～02)氧化物系列样品。发现在常温附近,含Ba样品的磁阻变化率远比相应含Ca样品的高。在x=0时,样品电阻随温度的变化曲线存在金属—半导体转换峰,随着Fe对Mn的部分替代,该转换峰向低温区移动,当替代量x达到一定程度时,在实验温区观察不到金属—半导体转换峰。磁阻效应在高铁含量时只能在低温观察到。Fe替代Mn对大磁阻效应的影响,可能主要因为:随着Mn3 被Fe3 所替代,样品La065(Ca,Ba)035Mn1-xFexOy中的铁磁相互作用受到抑制,反铁磁相互作用得到加强。     

磁控溅射沉积Cu-Nb薄膜的特征及热退火的影响

用磁控共溅射法制备含铌1.16%～27.04%(原子分数)的Cu-Nb合金薄膜,运用EDX,XRD,SEM,TEM,显微硬度仪和电阻仪对沉积态和热退火态薄膜的成分、结构和性能进行了研究.结果表明,Nb添加显著影响Cu-Nb合金薄膜微结构,使Cu-Nb薄膜晶粒细化,含铌1.82%～15.75%的Cu-Nb膜呈纳米晶结构,存在Nb在Cu中的fec Cu(Nb)非平衡亚稳过饱和同溶体,固溶度随薄膜Nb浓度增加而上升,最大值为8.33%Nb.随Nb含量增加,薄膜中微晶体尺寸减小,Cu-27.04%Nb膜微结构演变至非晶态.与纯Cu膜对比表明,Nb添加显著提高沉积态Cu-Nb薄膜显微硬度和电阻率,总体上二者随膜Nb含量上升而增高.Nb含量高于4.05%时显微硬度增幅趋缓,非晶Cu-Nb膜硬度低于晶态膜,电阻卒则随铌含量上升而持续增加.经200,400及650℃退火1h后,Cu-Nb膜显微硬度降低、电阻率下降,降幅与退火温度呈正相关.XRD和SEM显示,650℃退火后晶态Cu-Nb膜基体相发生晶粒长大,并出现亚微米级富Cu第二相,非晶Cu-27.04%Nb膜则观察到晶化转变和随后的晶粒生长.Nb添加引起晶粒细化效应以及退火中基体相晶粒度增大是Cu-Nb薄膜微观结构和性能形成及演变的主要原因.     

La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)T_xO_3低场下的大磁阻效应

研究了在低磁场 H≤ 0 .8T区间下的材料 L a0 .6 7Ca0 .33Mn1 - x Tx O3( T=Fe或 Ni)中的磁阻效应 ,发现在L a0 .6 7Ca0 .33Mn1 - x Fex O3中用铁替代锰降低了磁阻比 ,但改善了磁阻随磁场变化的线性度。用少量的镍替换锰 ( x=0 .1)时 ,可得到较好的低场高磁阻变化特性     

金属间化合物Nd(Fe1-xCox)10V2的结构和磁性研究

通过 X射线衍射和磁测量等手段对金属间化合物 Nd(Fe1 - x Cox) 1 0 V2 的结构和磁性进行了研究。结果表明 ,金属间化合物 Nd(Fe1 - x Cox) 1 0 V2 (x=0 ,0 .0 5 ,0 .1,0 .15 ,0 .2 )的晶体结构均为 Th Mn1 2 型结构 ;随着 Co含量 x的增大 ,晶格常数 a、c和晶胞体积 V将单调减小 ,居里温度 Tc呈单调增大 ,饱和磁化强度 Ms逐渐增加。取向样品Nd Fe1 0 V2 的 X射线衍射和变温穆斯堡尔谱研究结果表明该化合物在 T=12 0 K条件下存在自旋重取向现象。     

(La_xNd_y)_(0.90)Mg_(0.10)Ni_(3.09)Mn_(0.12)Co_(0.60)Al_(0.13)贮氢合金自放电性能研究

为了提高La-Mg-Ni基贮氢合金的荷电保持率,本文研究了La/Nd比的变化对La-Mg-Ni基贮氢合金自放电性能的影响。随着Nd替代La量的增加,(LaxNdy)0.9Mg0.10Ni3.09Mn0.12Co0.60Al0.13(x/y=5,4,3,2,1)合金的荷电保持率先增大后减小,当x/y=4时,其荷电保持率达到最大值80.8%(318 K)。合金电极贮存后,FESEM-EDS和XRD分析表明,合金颗粒表面形成了Mg(OH)2和Nd(OH)3。P-C-T曲线和Tafel极化测试表明,随着Nd含量的增加,金属氢化物的稳定性呈现先增加后降低和腐蚀电流先减小后增大的规律。     

Indentation creep behaviors of Mg61Cu28Gd11 and （Mg61Cu28Gd11）99.5Sb0.5 bulk metallic glasses at room temperature

The room temperature creep behaviors of Mg61Cu28Gd11 and(Mg61Cu28Gd11)99.5Sb0.5 bulk metallic glasses(BMGs) were revealed by means of nanoindentation technique.The creep mechanism was explored by characterization of creep rate sensitivity,creep compliance and retardation spectra.The results showed that the experimental creep curves could be well described by a generalized Kelvin model.The low creep rate sensitivity of both Mg-based BMGs indicated that their room temperature creep was dominated by localized shear flow.In addition,the(Mg61Cu28Gd11)99.5Sb0.5 glassy alloy exhibited lower creep rate sensitivity,creep compliance and milder retardation peak,indicating its higher creep-resistance and less relaxed state.Furthermore,the creep retardation spectrum consisted of two relatively separated peaks with the well defined characteristic relaxation times.     

La_(1.1)Fe_(11.4)Si_(1.55)Ge_(0.05)合金的磁热效应

使用电弧熔炼法制备了La1.1Fe11.4Si1.55Ge0.05合金。研究了用少量的Ge替代Si后,La1.1Fe11.4Si1.55Ge0.05合金的磁性和磁热效应。粉末X射线衍射结果表明:在1273K真空退火处理10d后,合金La1.1Fe11.4Si1.55Ge0.05主相为NaZn13型立方结构,存在微量的α-Fe相。热磁曲线M-T与Arrott曲线表明:在居里温度Tc=205K处发生由铁磁性(TTc)转变为顺磁性(TTc)的二级磁相变。在磁场变化0～1.5T下,根据等温磁化曲线通过Maxwell关系式计算得出最大磁熵变-ΔSmmax=9J.kg-.1K-1。Ge替代Si后该合金在其居里温度Tc处-ΔSm-T曲线半高宽增大,使合金的相对制冷能力RCP(S)有所提高。     

Structure and Magnetic Properties of Y(Fe_(1-x) Co_x)_ (11.3) Nb_(0.7)

ＩｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓＴｈＭｎ12 ｔｙｐｅｉｒｏｎ ｒｉｃｈｃｏｍｐｏｕｎｄｓｈａｖｅｂｅｅｎｉｎｔｅｎｓｉｖｅｌｙｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｄｕｅｔｏｔｈｅｉｒｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｅｒｍａｎｅｎｔ ｍａｇｎｅｔｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ .ＡｌｔｈｏｕｇｈｐｕｒｅｂｉｎａｒｙＲＥ Ｆｅｃｏｍ ｐｏｕｎｄｓｄｏｎｏｔｅｘｉｓｔ,ｔｈｅＴｈＭｎ12 ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｃａｎｂｅｓｔａｂｉｌｉｚｅｄｉｎｐｓｅｕｄｏｂｉｎａｒｉｅｓｏｆｔｈｅｔｙｐｅＲＥＦｅ12 -ｘＭｘ,ｗｉｔｈＭ =Ａｌ,Ｔｉ,Ｃｒ ,Ｓｉ ,Ｍｏ ,Ｖ …     

Kinetics of Hydrogen Absorption in MmNi_（3．55）Co_（0．75）Mn_（0．4）Al_（0．3） Alloy

ＫｉｎｅｔｉｃｓｏｆＨｙｄｒｏｇｅｎＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎｉｎＭｍＮｉ_（３．５５）Ｃｏ_（０．７５）Ｍｎ_（０．４）Ａｌ_（０．３）ＡｌｌｏｙＬｉｎＱｉｎ（林勤），ＹｕＺｈｅｎｔａｏ（于振涛），ＹｅＷｅｎ（叶文）（ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａ...