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在高真空中用热蒸发的方法沉积了碲锗铅Pb1-xGexTe薄膜。分析了基片表面状态(粗糙度、
晶向、温度)对膜层结构和红外光学特性的影响,发现光滑表面容易得到致密膜层和高红外折射率;
随着沉积温度的增加,膜层的短波吸收边(λc)往长波方向移动。 相似文献
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对 PVD沉积 Pb1 - x Gex Te薄膜研究发现 Pb1 - x Gex Te是一种高性能的红外材料 ,在 3～ 2 5μm光谱范围具有较好的透光性能 ,室温下的折射率为 4.8～ 5 .6 .薄膜的光学性质 ,包括透射率、色散关系以及折射率的温度系数dn/ d T,与材料中组分 x、环境温度和薄膜的沉积工艺条件有密切关系 .适当地改变组分和工艺条件 ,可以使薄膜的折射率温度系数 dn/ d T从负变到零并转为正 ,这对于制备高温度稳定性的红外光学薄膜器件具有重要的意义 相似文献
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性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。 相似文献
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采用分子束外延(MBE)方法在BaF2(111)衬底上生长了不同Mn组分的Pb1-xMnxTe(0≤x≤0.012)稀磁半导体薄膜.通过波长为3.0~11.0μm中红外透射谱的分析并应用透射光谱上干涉峰峰值的位置计算获得了Pb1-xMnxTe薄膜的折射率,由最小平方根拟合得到折射率的一阶Sellmeier色散关系.在吸收边附近,通过直接跃迁吸收系数与光子能量的关系外推得到其光学带隙.结果表明,在中红外区域其折射率随着Mn含量的增加而减小,其光学带隙则随着Mn含量的增加而增大,在温度T=295K时,随着Mn含量x由0变化到0.012,其光学带隙Eg由0.320eV增加到0.370eV. 相似文献
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采用磁控溅射技术在Si基底上制备了(Pb1-xSrx)TiO3(简称PST)铁电薄膜,采用双极性、双脉冲方波电压测试了其极化反转特性。测试结果表明,所制备的PST铁电薄膜的电流密度峰值达10-4A/mm2量级,开关时间可达1.0 ms左右,极化反转特性较好,有望未来在Si基集成单片红外探测焦平面阵列研制中加以应用。 相似文献
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从反铁电材料的储能特性出发，着重介绍了一类适合制作储能电容器的Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电陶瓷材料。通过电滞回线和直流偏压特性的测试，研究了反铁电陶瓷的电场强迫反铁电－铁电相变。结果表明：Ｌａ＾３＋掺杂Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３反铁电瓷料可用于制作高压、高储能密度、长工作寿命的储能电容器。 相似文献
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Pb0：97La0：02（Zr0：75Sn0：25x Ti x/O3（x D0.10, 0.105, 0.11）（PLZST） antiferroelectric ceramics with highly preferred-（110） orientation were successfully fabricated via the conventional solid-state reaction method.The antiferroelectric nature of PLZST ceramics induced by electric field was demonstrated by the dielectric constant-temperature（D-T） and the polarization-electric field（P-E） measurement. Typical phase transition from ferroelectric（FE） to antiferroelectric（AFE）, and then to paraelectric（PE） is obtained. The results indicate that the phase transition behavior is suppressed with increasing of x, and T c is remarkably shifted to higher temperature of168 ℃, 170 ℃ and 174 ℃, respectively. Besides, high phase transition current（110 6A, 810 7A and 610 7A, respectively） is obtained with temperature induced. Consequently, the excellent electric properties and the restraint between temperature and electric field would provide basis on the application of PLZST antiferroelectric ceramics in microelectronic integrated systems and sophisticated weapons systems. 相似文献
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本文基于传输线周期性加载可变电容理论,设计了一种X 波段的铁电薄膜移相器。测试结果表明,随着偏压的增加,移相度增大、插损减小。在32 伏的直流偏压下,X 波段最大移相度为140°,最大插损为10dB,回波损耗优于-10dB。 相似文献
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采用传统压电陶瓷固相合成法制得纯钙钛矿相的(1.002-5x)NBT-4xKBT-(x-0.002)BT(x=0.026,0.028,0.030,0.032,0.034)(简写为BNBKT100x)系弛豫铁电体。通过X-射线衍射(XRD)分析,当x=0.030时为三方、四方两相共存,为该体系的准同型相界。系列样品的介电温谱显示在室温到500℃之间存在两个介电反常峰,分别对应于陶瓷材料的铁电-反铁电-顺电相变。同时发现该系列样品显示出弛豫铁电体特性。并用成分起伏理论解释了这种弛豫弥散相变。 相似文献
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利用电子束蒸发反应沉积技术,在蓝宝石和硅化玻璃衬底上生长得到MgxZn1-xO薄膜。立方相MgxZn1-xO（0．55≤x≤1．00）薄膜的折射率通过透射光谱技术和Manifacier方法计算得到。与六方相MgxZn1-xO薄膜相似,在400～800nm波长范围内,立方相MgxZn1-xO薄膜的折射率色散关系遵循最小平方根的一阶Sellmeier色散方程。不同组分的MgxZn1-xO薄膜的三阶非线性极化率采用光克尔效应（OKE）技术测试获得。六方-立方双晶相结构的Mg0.37Zn0.63O薄膜具有最大的三阶非线性极化率,其原因可归功于薄膜微结构中六方和立方晶相分离所导致的晶粒散射。 相似文献
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SiO2薄膜折射率的准确拟合分析 总被引：5，自引：4，他引：5
精确的光学常数对于设计和制备高品质的光学薄膜非常重要,尤其是那些光学性能对折射率变化敏感的薄膜。SiO_2是一种常用的低折射率材料,因与常用基底折射率相近使其准确拟合有一定难度。实验通过离子束溅射制备了SiO_2单层膜。考虑测量时的误差和基底折射率的影响,采用透射率包络和反射率包络得到了SiO_2的折射率,并用所得折射率进行反演来对这两种途径在实际测量拟合过程中的准确性进行比对。分析表明,剩余反射率在实际的测量过程中误差更小,直接用测量镀膜前后基片的剩余反射率值可以更简便更准确地得到SiO_2的折射率,能达到10~(-2)的精度。 相似文献
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利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 )峰之外的其他峰位 ,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量 .室温透射谱与光致发光谱显示 ,其吸收边或带边发光峰随 Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移 .该反常现象与 Zn Mg O薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关 .研究表明在 MOCVD生长 Zn Mg O合金薄膜过程中 ,必须优化与控制反应条件 ,以抑制杂质缺 相似文献