铝酸铍的单晶定向

本文描述了用X射线背射劳厄法对铝酸铍晶体进行定向的过程,并给出沿(001)晶面的极射赤面投影图。     

CAS晶体生长与习性研究

采用中频感应上称重提拉技术对Ca_2Al_2SiO_7(CAS)压电晶体进行了生长,研究了不同转速及生长方向下晶体的生长习性,从理论上分析了转速和生长方向对晶体形貌的影响。结果表明,晶体外形随转速的增加,其形貌由圆柱状变为正方形,再变为长方形,当转速到一定临界值时,晶体呈多晶状;随晶体生长方向的不同,晶体有不同的显露方向,并都有强的显露面(001)。对晶体不同显露方向进行了X线衍射分析,且对(001)面进行回摆测试。结果表明,晶体结构完整,结晶性能好。     

碲锌镉晶体第二相夹杂物特性研究

高质量的碲锌镉单晶是制备碲镉汞红外焦平面器件的理想衬底材料,然而目前碲锌镉材料中的第二相夹杂物严重制约着晶体的质量.根据红外透射形貌的描述和表征,碲锌镉晶体的常见夹杂物被分成了五类,并在此基础上讨论了各自的形成机制,A、B和C类夹杂物与化学配比及其变化密切相关,而D和E类夹杂物与源材料中或者在生长工艺控制过程中氧含量相关.进一步的研究表明大尺寸、高密度的Te夹杂物将会严重降低红外透过率,同时腐蚀坑密集分布在与Cd夹杂对应的六重对称线上,该结果揭示了第二相夹杂物会产生其他缺陷的增殖,但夹杂物引起的应力影响区域是局限的.     

钕在铝酸钇激光晶体中及镱、铒在铝酸钇上转换晶体中的光谱

Ⅰ.钕在铝酸钇激光晶体中的光谱掺钕的铝酸钇(Nd:YAP)激光晶体自1969年问世以后,由于它与掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)比较具有下列特点:(1)生长速度快;(2)利用其各向异性,可改变轴向以改变增益而有不同用途;(3)钕的分配系数较高,可掺入较均匀,掺入浓度较高;     

铝酸钇晶体孪晶的观察与消除

具有畸变钙钛矿结构的铝酸钇晶体易生成孪晶。资料[2]作者将铝酸钇晶体的孪晶分为生长型孪晶和畸变型孪晶,对孪晶的行为有一定描述,并认为可用热处理方法消除畸变型孪晶,但并无数据报导。我们在生长c轴铝酸钇的实践中发现大部分加工的铝酸钇晶体棒都有不同程度的“开口”现象。     

正铝酸钇晶体色心的产生

本文讨论了在抽运氙灯、γ射线以及各种气氛中热处理作用下YAlO_3晶体内产生色心的吸收光谱。发现晶体的色心性质由生长条件决定而与钕离子无关。真空中生长的YAlO_3晶体实际上不被染色。氩气中生长的晶体在γ射线和紫外光辐照下以及热处理之后,出现同样的色心。不同结构色心的浓度比及其对光破坏的稳定性,取决于作用类型。     

铝酸钇晶体维克尔显微硬度的研究

一、前言硬度是晶体重要的物理性质之一。对研磨工艺、矿物的鉴定及晶体机械特性(塑性、弹性极限、弹性模数和强度等)的研究有重要意义。硬度与晶体结构、晶体化学成份、晶体表面情形等密切相关。自1956年合成得到YAP晶体以来,对于这一晶体的显微硬度虽有过几次较含糊的报导,但对适于微观结构研究、测量方便、精确度高的维克尔显微硬度至今尚未有详细数据。     

碲锌镉晶体中夹杂问题的实验研究

采用红外透射显微镜检测和研究了热解氮化硼(PBN)坩埚生长碲锌镉晶体(CdZnTe)中的缺陷—夹杂,并对夹杂的影响因素进行了分析。研究发现:不同原料的化学配比、自由空间体积、饱和蒸汽压、晶体生长温场对晶体中夹杂的种类、形状、密度和尺寸都存在着影响,通过一系列工艺的改进可以获得夹杂合格的碲锌镉晶体。     

金绿宝石晶体提拉法生长及光学性能

用提拉法生长出了金绿宝石（BeAl2O2Cr^3＋）晶体并由C向晶体棒获得了720～780nm波段的连续可调谐激光输出。本文着重描述金绿宝石晶体生长习性及光学性     

Polytype inclusions and polytype stability in silicon-carbide crystals

On the basis of both published data and our own experimental data we consider the main aspects of the problem related to ensuring polytype stability for ingots of grown 4H and 6H silicon-carbide compounds.     

单轴各向异性晶体中寻常光和非寻常光的关系

基于光束在单轴各向异性晶体传播的矢量理论,根据能量交换现象,对寻常光和非寻常光的关系进行了讨论,得出了两个方程,并对其可解性进行了讨论.基于该矢量理论,推导出了一个关于寻常光和非寻常光传播的一个可能的矛盾;注意到矛盾能否成立取决于满足相应波函数条件的方程组是否存在可行性解,即问题转化成了一个数学问题;模拟了高斯光束在单...     

某些有机晶体的倍频效应与分子偶极矩之间的关系

初步论证了有机共轭分子的偶极矩与其倍频效应的联系,并采用EHMO法对4-硝基吡啶-1-氧的3位和2位甲基衍生物及4-硝基苯胺的2位和8位卤素衍生物的分子偶极矩进行了理论计算,合成并测定了它们的倍频性能和偶极矩.实验结果与理论预测规律相吻合.     

Electric transport in gallium antimonide single crystals involving molten GaSb-Sn inclusions

Electromigration of molten tin-based inclusions in single-crystal p-GaSb:Zn(111) was studied. It was shown that molten inclusions are displaced by a current (j=(1–4)×10⁵ A/m²) toward a negative electrode in the temperature range T=750–920 K. The mechanism of this phenomenon was shown to be related to concentration changes in the bulk of molten inclusions. It was noted that the inclusion transport is initiated by two competing processes: the temperature changes at phase interfaces caused by the Peltier heat and the electric transport, leading to the redistribution of components, depending on their effective charges in the melt. The size dependence of the velocity of inclusion motion W in the bulk of a single-crystal matrix was determined: W increases with the inclusion size. The numerical values of the thermoelectric parameters of all the contacting phases were experimentally determined using independent methods. This made it possible, fitting the theory to the experimental data, not only to estimate quantitatively the effective charge Z* of a molten semiconductor, but also to explain the size dependence of the activation barrier overcome by a drifting inclusion.     

闪光灯泵浦NLPP晶体的激光输出和晶体均匀性之间的关系

本文揭示了影响NLPP晶体光学均匀性的内部缺陷,即生长条纹、扇形界。探索了这些缺陷形成和晶体生长过程之间的关系,详细研究了这类缺陷对激光性能的影响。     

BSO晶体的特性及其应用

本文概要地综述了Bi_(12)SiO_(20)(BSO)晶体的主要物理特性以及近几年来在实时全息术、斑纹干涉计量、光学信息处理等方面的应用和作者的一些实验结果。     

Advances in LEC growth of InP crystals

By reducing the temperature gradients in the vicinity of the crystal-melt interface, 35-mm-diameter InP boules with much reduced dislocation densities have been grown by the liquid-encapsulated Czochralski technique. A reduction in the residual donor concentration of InP grown by this technique has been achieved by using In-rich charges prepared by adding elemental In to polycrystalline InP ingot material. Nominally undoped crystals with carrier concentrations as low as 1–2 x₄ 10¹⁵ Cm − 1 and 77 K mobilities as high as 7.0 × 10 cm² V⁻¹ s⁻¹ have been obtained. By growing doped crystals at increased seed or crucible rotation rates, short-range longitudinal variations in dopant concentration have been reduced to a few per cent, as determined by optical absorption measurements with a scanning CO₂ laser.     

用于紫翠宝石激光器调Q的色心晶体

色心晶体做为被动激光Q开关元件较染料开关有显著的优点:激光束畸变小、破坏阈值高和可在高重复频率条件下工作等。积极探索不同种类的色心调Q晶体适应不同波长激光器是很有意义的。对宽带可调谐紫翠宝石激光器来说,色心晶体有与之匹配的宽吸收带,可在整个调谐区内实现调Q,其优点更为突出。 紫翠宝石(BeAl_2Q_4:Cr~(3+))激光器是室温下运转的终端声子激光器,调谐范围在700～800nm之间,发射中心波长在750nm附近,和棒内温度有关。根据波长匹配原则——激光发射波长和色心吸收带峰相重合,我们选择了两种色心晶体对其进行调Q。一为LiF:F_3~-色心晶体,一为NaF:F_2~+色心晶体。二种基质材料在上述激光波长上的吸收均很小。利用