次磷酸盐化学镀铜体系主组份变化研究进展

随着对环境保护的重视,以甲醛为还原剂的化学镀铜体系将被环境友好型的化学镀铜体系所取代。以次磷酸盐为还原剂的化学镀铜体系环保、工艺参数范围大、镀液寿命长,可能成为下一步的研究热点。对次磷酸盐化学镀铜体系中主要组份含量变化对沉积速率和镀层性能的影响进行了综述,对其发展方向进行了展望。     

陶瓷基上化学镀铜

为提高化学镀铜液的稳定性在化学镀铜液中加入亚铁氰化钾和a,a'－联吡啶作为添加剂。研究了温度与陶瓷基体上化学镀铜沉积速度的关系,计算出铜沉积的活化能,当镀液中含有亚铁氰化钾或a,a'－联吡啶时,铜沉积活化能提高,铜沉积速度降低,镀铜层外观及镀液稳定性均得到改善。此外,镀液中同时含有亚铁氰化钾和a,a'-联吡定时,镀液、镀层性能得到进一步提高。     

印制板高速化学镀铜工艺

为提高化学镀铜的沉积速度和镀层质量,采用三烷醇胺兼作Cu~(2+)络合剂和沉铜加速剂,并利用铁离子化合物释放出的Fe~(2+)或Fe~(3+),可以有效地引发镀液的化学镀反应。     

无甲醛型酸性化学镀铜溶液的研究

一种新型无甲醛型酸性化学镀铜溶液已被研制出来,它采用次亚磷酸钠为还原荆,取代了传统的甲醛溶液。并分析了铜离子浓度。还原剂浓度,螯合物浓度,溶液温度和PH值对沉积速率的影响,同时对镀层的性能进行了测量与分析。该溶液除可解决严重的公害问题外,由于镀液稳定性好,便于操作维护,以及其镀层的优良品质可用于双面和多层印制板的孔金属化工艺,特别适用于聚酰亚胺基材印制板的孔金属化工艺。     

化学镀铜溶液的自动分析与自动控制

本文叙述了化学镀铜溶液的自动分析装置和自动控制方法。采用自动控制装置可以使化学镀铜液的成份维持恒定。自动分析与自动控制系统包括有:以一定的速率从镀槽中连续取出试样,然后自动进行分析化学镀铜液中的铜离子、氢氧根离子以及甲醛的浓度,并根据消耗的量自动进行补加,因而可以使化学镀铜液始终处于最佳状态,保证沉积出高质量的化学镀铜层。另外由于进行了溶液的自动分析补加,防止了化学镀铜液在使用过程中比例失调现象,可使镀液长期使用,显著减少了废液排放对环境污染的问题。     

PCB高稳定性中速化学镀铜工艺研究

主要研究微量添加剂对化学镀铜镀液沉积速率及镀液稳定性的影响,通过试验筛选合适的微量添加剂,在不改变化学镀铜镀液主反应物质含量的情况下实现镀速提高和镀液稳定性增加。开发出的高稳定性中速化学镀铜工艺,其性能满足PCB工业化生产。     

亚铁氰化钾添加于次亚磷酸钠还原化学镀铜的试验优化

化学镀铜技术是印制电路中的重要部分,采用正交实验法研究了以次亚磷酸钠为还原剂添加亚铁氰化钾的化学镀铜溶液,得到了的最佳参数和条件.镀液中添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,形貌得到改善,电阻率明显降低,镀层中镍的含量也有所降低.     

化学镀铜溶液的正确使用与维护

化学镀铜溶液是孔化生产线用量最大且易自然消耗的溶液。科学地安排生产、正确使用、调整和维护,不仅可以保证孔化质量,而且可以减少溶液分解、降低生产成本、提高经济效益,具有重要的经济意义。 一、化学镀铜液的成份及沉铜原理 连续生产用的进口或国产的化学镀铜液含铜添加液、还原液、稳定剂及氢氧化钠。其沉铜原理是:     

柠檬酸金钾无氰沉金厚度控制研究

柠檬酸金钾化学沉镍金工艺是一种新型无氰沉金工艺。利用单因素变化模拟试验及镀层厚度测试研究了该工艺中反应温度、金盐浓度、添加剂浓度、pH值、副产物等因素对无氰沉金工艺的影响,确定金平均沉积速率随各因素变化的关系,为实际生产中沉金厚度控制提供理论依据。     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

CVS技术在监控电镀铜槽液中的运用

介绍CVS技术在监控电镀铜槽液中有机添加剂的运用。文章首先将对电镀铜中的有机添加剂和CVS技术的电化学原理进行解说,然后对CVS分析仪对有机添加剂浓度进行测量的原理和CVS中有机添加剂程序的创建进行介绍,最后简要介绍CVS在有机添加剂来料查验、镀液污染值、碳处理情况等监控方面的运用,希望此文章能够对CVS化验分析人员对此仪器有更深一步的了解。     

New plating bath for electroless copper deposition on sputtered barrier layers

A new copper plating bath for electroless deposition directly on conductive copper-diffusion barrier layers has been developed. This plating bath can be operated at temperatures between 20 and 50°C and has good stability. High temperature processing allows for increased deposition rates and decreased specific resistivity values for the deposited copper films. Electroless Cu films deposited from this bath showed a conformal step coverage in high aspect ratio trenches and, therefore, are promising as seed layers for copper electroplating. The effect of the bath composition, activation procedure and processing temperature on the plating rate and morphology of the deposited copper has been studied and is presented here.     

pH值及NaOH对化学镀银包铜粉镀覆过程的影响

采用化学镀法制备了不同加载量的树枝状银包铜粉,研究了镀液的pH值及NaOH的添加方式和添加量对镀覆过程的影响,并采用SEM、EDS、化学分析和氧化增重法对粉体性能进行了分析。结果表明:镀液pH值的最佳范围为11.0～11.5,NaOH的最佳质量浓度为10 g/L,直接加入主盐络合;在最佳工艺下,测得银包铜粉银的平均质量分数为23.06%±0.54%,银的平均转化率为98.0%±0.5%,微区表面银含量为质量分数39.17%～90.31%;所得银包铜粉包覆完全,抗氧化性良好。     

用CVS分析仪监控酸性电镀铜溶液

循环伏安剥离分析是目前印制线路板业界广泛采用的一种分析技术,其结果可以作为离线或在线添加有机添加剂的依据,保障镀液的品质。本文对电镀铜中的有机添加剂和CVS技术的电化学原理进行了介绍,对运用CVS分析仪测试电镀添加剂浓度的方法和步骤进行了介绍,介绍了两则运用CVS分析仪分析调整电镀铜镀液的实例。     

点状孔壁分离影响因素之探讨

文章通过单因素试验方法探讨了导致点状孔壁分离的影响因素,包括对膨胀过程的高锰酸钠浓度,镀铜后水洗温度,新旧镀液等影响因素的对比测试,统计出不同影响因素下的不合格率,优选出孔壁分离少的镀液参数。结果表明,化学镀铜后水洗温度为30℃和使用新配镀液对点状孔壁分离有很大改善作用。     

超细铜粉的化学镀锡及其抗氧化性能研究

以水合肼还原法制备出平均粒径约1μm的超细铜粉,并对其进行化学镀锡。研究了镀锡层对复合粉末微观形貌及抗氧化性能的影响。结果表明:镀覆质量分数50%的锡后,复合粉末平均粒径有所减小,但在空气中的氧化起始温度从120℃提高到220℃,与镀银层相比,镀锡层在较低温度区间对铜粉抗氧化具有优势。     

不同添加剂镀铜效果的研究

对两种不同添加剂镀液在通孔和盲孔电镀过程深镀能力的研究,说明其各自对于通孔和盲孔电镀的优势所在。并确定对于通孔和盲孔同步电镀镀液添加剂的选择。     

Copper plating for 3D interconnects

In this paper we report on Cu plating of through-silicon-vias (TSV-s) using in-house made acidic Cu bath with model additives (SPS, PEG, and JGB). Although the model additives might not be as potent as commercial additives, they have been studied in detail, and their role in Cu plating has been described extensively in scientific literature. This in turn allows deeper insight into how changes in bath composition affect the plating mechanism and Cu via-fill.     

Factors influencing open circuit decomposition behavior of sulfur-containing additive component used in Cu plating for advanced interconnect metallization

Accelerated decomposition of organic additives during open circuit condition was observed only when both copper wire and oxygen are present in the copper sulfate solution. The data suggest that the accelerating mercapto species could form a complex with cuprous ions from copper anode in the plating solution. The copper complexes formed then undergo oxidation reaction and lose its original electrochemical activity by introducing byproducts. Adsorption behavior of various chemical components in the plating solution on the copper anode surface was found to have a significant influence on the sulfur-containing brightening agent degradation rate. The degradation mechanisms attributed to the interactions among different chemical components are also addressed and discussed.