氧化锌铝(ZAO)陶瓷靶材制备及其薄膜性能

溶胶-凝胶方法制备的ZnO和Al2O3混合粉末经冷压预成型加真空低压烧结,制备了高致密度(相对密度99%)、低成本的ZAO陶瓷靶材.研究了ZAO靶材与无氧铜的粘接性能.用中频交流磁控溅射ZAO靶材的工艺制备了ZAO薄膜.利用SEM和XRD分析测试了陶瓷靶材断口形貌以及靶材和薄膜的结构.试验结果表明制得的ZAO靶材具有良好的粘接性和溅射性能,内部组织致密,靶材中有明显的ZnAl2O4相.在优化沉积工艺条件下,制备的ZAO薄膜方块电阻为35 Ω,电阻率可达3.84×10-4 Ω·cm,可见光透过率(λ=550 nm)可达91.1%.沉积态的ZAO薄膜具有很好的结晶性,并呈现(002)择优取向.ZAO薄膜有明显的紫外吸收限,带隙Eg约为3.76 eV.ZAO靶材的工业化磁控镀膜试验也取得了较好的结果.     

铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究

用化学共常常法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套,采用铜箔作隔层,实验研究了热等静压工艺参数－保温温度、保压压力和保温时间对ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约１０００℃处有一峰值;相对密度随压力增加而增加;当保温温度较低时,适当处长保温时间有利于提高密度;当保温温度较高时,延长保温时间反而使密度降低,分析     

不同烧结气氛制备AZO靶材的实验研究

采用机械混粉、造粒、模压和冷等静压(CIP)成型相结合的功能陶瓷制备工艺制备了AZO靶材,研究了空气、真空及惰性气氛对AZO靶材性能的影响.结果发现,氩气保护烧结法制备的AZO靶材不仅密度高,电阻率达10-4Ω·cm量级,而且该方法还可明显抑制氧化锌的挥发,降低烧结温度,在1320℃的温度下便可制得相对密度为99％、晶粒度在4μm左右的靶材.     

磁性陶瓷靶材的制备及其应用研究

薄膜制备过程中溅射靶材的利用率很低,导致薄膜材料制备成本很高。以自制的高纯度纳米晶镍钴锌/二氧化硅复合铁氧体粉体为原料,冷等静压后高温烧结制备得到铁氧体复合靶材。用XRD、EPMA和SEM分析靶材的化学成分和微观形貌。结果表明：靶材为尖晶石型铁氧体和二氧化硅的复合材料,收缩率达14.37%,能在高真空多功能磁控溅射仪正常工作,并成功制备得到性能良好的软磁薄膜。整个制备过程工艺简单,操作方便可行,大大降低了靶材的制备成本。     

纳米掺铝氧化锌(ZAO)粉体的制备研究进展

掺铝氧化锌(ZAO)是一种具有广阔的应用前景和发展潜力的复合氧化物半导体。综述了化学沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法、沸腾回流法和络盐法等ZAO纳米粉体常用的制备方法,并对其进行了比较评价。     

铝掺杂氧化锌(AZO)废弃靶材回收再利用的研究

将AZO原料粉末和AZO残靶研磨后的粉末混合,采用注浆成型和常压大气烧结工艺制备靶材,实验主要测试了相对密度、吸水率、线收缩率和电阻率等性能,并通过XRD和SEM表征AZO靶材的晶体形态和微观结构,与新靶材进行性能对比,研究残靶粉末回收利用对靶材性能的影响。残靶粉末的加入对AZO靶材有轻微影响,测试结果显示烧结温度1450℃、保温5h、AZO残靶加入量为10%时有较好的性能:相对密度高达99.24%,吸水率和收缩率分别为17.96%和15.70%,电阻率为2.12×10-3Ω·cm。含有残靶的AZO靶材稍差的性能可能归结于AZO粉末和残靶粉末的兼容性。     

高密度与低电阻率ZnO:Al靶材的制备及缺陷分析

以纳米量级的ZnO和Al2O3粉体为原料,通过湿式球磨得到了混合粉体,再经过模压成型与常压烧结工艺即可获得致密度超过95%的ZnO:Al陶瓷靶材,其电阻率可达10-2Ω·cm数量级.高致密度的原因在于纳米粉体具有大的比表面积和粒子数,烧结均匀,气孔较少.低电阻率在于Al3 对Zn2 替代产生的自由电子.同时对靶材中的黑点进行了分析,EDS显示其不仅存在N元素,而且Al含量与致密度比正常区域低,其原因与粉体颗粒的均匀性有关.     

掺铝氧化锌粉末的制备及其性能研究

采用溶胶凝胶燃烧合成法制备了ZAO(掺铝氧化锌)粉末,借助于DSC-TG、XRD、SEM、反射率测试、红外辐射率测试对制得的ZAO粉末的形貌、微观结构、激光吸收性能和红外辐射性能进行表征.研究结果表明,制备的ZAO粉末属于六方晶系纤锌矿结构.XRD分析表明煅烧温度提高到700℃后,ZA0的晶相形成的更好.SEM图中可以看出,随着Al离子的掺杂量增加,ZAO粉末的粒径越来越小,形状越来越不规则.反射率图谱表明,在900～1200nm波长范围,存在较强的激光吸收.红外辐射率测试表明ZAO粉末具有中等红外辐射率.     

ZAO纳米粉体的制备及应用

ZAO作为一种新型的功能材料,具有广阔的应用前景和发展潜力.为获得性能优异的ZAO纳米粉体,各种各样的制备方法不断涌现.综述了ZAO纳米粉体的用途及化学共沉淀法、溶胶-凝胶法、沸腾回流法和水热法等几种常用的制备方法,并就这些方法进行了比较评价,最后展望了ZAO未来的发展方向.     

制备工艺对锌铝氧化物(ZAO)粉末红外发射率的影响

采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10μm;在中红外(3～5μm)和远红外(8～14μm)波段均具有较低的红外发射率.     

热等静压处理对球墨铸铁疲劳性能的影响

研究了球墨铸铁材料(EN-GJS500-7)热等静压处理前后疲劳性能的变化,并分析了珠光体、石墨、铁素体含量随热等静压工艺的变化及其对球墨铸铁疲劳性能的影响。结果表明,热等静压处理后如果珠光体含量增加而铁素体含量减少,则材料抗疲劳性能增强;反之,材料疲劳性能降低。     

ZAO透明导电薄膜的制备及性质

ZAO（ZnO：Al）透明导电薄膜是一种具有高的载离子浓度和宽禁带的半导体氧化物，电学和光学性能优异。极具应用前景。本文介绍了ZAO薄膜的制备现状、特性、磁控溅射参数对其电学和光学性质的影响以及今后研究的方向。     

直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

本文对直流磁控反应溅射制备ZAO薄膜的工艺作了具体分析，探讨了沉积温度、氧分压、Al含量和靶基距等对ZAO薄膜的电阻率、可见光区透射率的影响。     

纳米晶W-Cu合金粉体的冷压成形研究

研究了纳米晶Ｗ－Ｃｕ微粉在模压及冷等静压工艺下成形特性的对比,试验证明６００ＭＰａ压力下,冷等静压工艺较模压工艺获得的坏体致密度高于１５％,但冷等静压工艺中的包套除气对坯体致密及性能有较大的影响。     

TiAl合金粉末热等静压组织及其力学性能均匀性研究

目的 研究圆柱包套经热等静压后内部不同位置粉末TiAl合金的组织与力学性能,为后续复杂结构包套热等静压整体成形工艺优化提供参考.方法 将装填有Ti-47Al-2Cr-2Nb雾化粉末的不锈钢包套在1230℃/170 MPa/3.5 h条件下热等静压,利用扫描电子显微镜观察烧结后包套内不同区域的显微组织,利用显微硬度计测量...     

交流磁控溅射制备ZAO薄膜工艺参数的研究

对于交流磁控溅射氧化锌铝陶瓷靶材制备ZAO薄膜,研究了氧流量、基体温度、靶电流密度、铝的掺杂量、本底真空压力和工作气体压力对ZAO薄膜电学性能的影响规律,优化了工艺参数,为工业化生产提供了实验依据.     

14CrODS铁素体钢的制备及其拉伸性能

通过机械合金化制备了成分(质量分数/%)为Fe-14Cr-0.5Ti-0.35Y2O3的氧化物弥散强化合金粉末,机械合金化后粉末内部各合金元素分布均匀。采用热等静压的方法制得14CrODS铁素体钢,并对其进行锻造和热处理。与未添加氧化物弥散颗粒的14CrNA相比,14CrODS钢的强度有明显提高,但是与MA957有一定差距,抗拉强度有待改进;与MA957相比,14CrODS表现出良好的塑性,锻造可进一步提高14CrODS的高温塑性,但是锻造过程中的残余应力使材料低温拉伸时呈脆性,退火可去除残余应力,极大地提高14CrODS的塑性,使其远优于MA957。