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本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火.结果表明有四种损伤产生:氧化物正电荷建立、Si/SiO2快界面态增长、慢界面态产生和栅介质电容下降.当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化.实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介质电容呈现无规阶梯型下降.对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论.还给出产生的慢界面态对高频电容-电压测量的影响. 相似文献
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Si/SiO_2界面态的俘获截面及态密度的能量分布 总被引:2,自引:1,他引:1
本文用最近发展起来的准确测量绝缘体与半导体界面态俘获截面的方法[1],测量了MOS结构Si/SiO2界面态的俘获截面,并利用这些结果将界面态的DLTS谱反演成界面态的能量分布.结果表明:界面态的电子俘获截面强烈地依赖于能量和温度,空穴俘获截面依赖于温度而与能量无明显相关,Si/SiO2界面态在Si禁带下半部的是施主态,而在上半部的是受主态,用DLTS测量的界面态不呈U型分布,它与准静态C-V测量的结果完全不同. 相似文献
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研究了γ辐照感生Si/SiO2慢界面态的特性及其对高频C-V测试的影响。结果表明,辐照产生的慢界面态为界面态的0.3-0.8,分布在Si禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Si-O断键或弱键。慢界面态的产生还引起C-V曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频C-V测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。 相似文献
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Fowler—Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤研究 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究了Fowler-Nordheim高电场应力引起的MOS结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生,氧化物正电荷建立,Si/SiO2快界面态增长,慢界面态产生和栅介质电容下降,当终止应力后,前三种损伤在室温下有所恢复,但最后一种损伤没有变化,实验还表明:产生的慢界面态分布在禁带上半部;高电场下栅介电容呈现无规阶梯型下降,对四种损伤及其室温退火机理进行了讨论,还给出产生的慢界面态对高频电容- 相似文献
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用热激电流法测量了MOS及MNOS界面态.所测得的界面态密度分布与用准静态法测得的结果有不同之处在于:界面态密度在近带边时是减小的.这是由于界面态俘获截面在带边处急剧下降的关系,热激电流法测不到这部分界面态.在P型衬底MOS中在价带上 0.3 eV处有一分立能级,禁带中央处密度很小.部分n型样品在多次测量后产生一个新的能级,位置在导带下0.4eV处.有些n型样品在高反偏压下出现新的分立能级;有一批样品,其分立能级的激活能随偏压变化.这些能级可能与氧化层缺陷有关. 相似文献
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研究了沟长从0.525μm到1.025μm 9nm厚的P-MOSFETs在关态应力(Vgs=0,Vds<0)下的热载流子效应.讨论了开态和关态应力.结果发现由于在漏端附近存在电荷注入,关态漏电流在较高的应力后会减小.但是低场应力后关态漏电流会增加,这是由于新生界面态的作用.结果还发现开态饱和电流和阈值电压在关态应力后变化很明显,这是由于栅漏交叠处的电荷注入和应力产生的界面态的影响.Idsat的退化可以用函数栅电流(Ig)乘以注入的栅氧化层电荷数(Qinj)的幂函数表达.最后给出了基于Idsat退化的寿命预测模型. 相似文献
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采用受热激发电流和高频C—V测量技术,研究了MOS电容器中辐照引起的空穴俘获和界面态与器件加工的相互关系。我们发现、多晶硅栅的制备使研究的所有栅氧化物都酷似用氢氧火成法生长的那样。研究了氧化后退火(POA)在形成空穴和产生界面态的过程中所起的作用。从测量结果可以看出,POA使可变成空穴陷阱的二氧化硅的键“变弱”,并且在有OH时导致某种空穴陷阱的湮灭,同时又产生一些新种类的空穴陷阱和界面态。讨论了可能的模型和界面态分布。我们还发现,用中带电压漂移来测量这些MOS器件中的空穴俘获并不都是有效的。 相似文献
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He Guorong Yang Guohu Zheng Wanhu Wu Xuming Wang Xiaodong Cao Yulian Wang Qing Chen Lianghui 《半导体学报》2006,27(11):1906-1910
在考虑材料热膨胀系数随温度变化后,采用有限元方法结合ANSYS软件对Si/GaAs键合热应力进行了分析,研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布. 同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响,计算结果证明了该结构的有效性. 相似文献
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采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献