利用光自注入改善DFB激光器的频率响应

介绍了一种简单有效的自注入方法,通过该方法对直接调制的分布反馈半导体激光器进行光自注入,可以得到非常平坦的频率响应曲线.实验中使用一个环形器和一个1×2耦合器来实现光自注入.实验结果表明,在不同的偏置电流下,适当改变自注入光的偏振状态,频率响应曲线的张弛振荡峰可以得到很好地抑制.     

用注入锁模法改善DFB激光器的频率响应

验证了通过注入锁模方法,分布反馈(DFB)半导体激光器的频率响应可以得到明显的改善.实验中通过一个环形器,将主激光器的输出光注入到从激光器.测量了从激光器在有注入光和没有注入光时的光谱和频率响应.发现在不同的注入光强度和波长下,激光器的调制带宽和弛豫振荡峰频率会发生变化.通过适当选择注入光的强度和波长,频率响应可以得到改善.激光器频率响应的改善可以用两个模式的拍频来解释,一个模式是从激光器的主模,另一个是主激光器的模式,该模式与从激光器的边带重合.该理论与实验结果符合得很好.     

用注入锁模法改善DFB激光器的频率响应

验证了通过注入锁模方法,分布反馈(DFB)半导体激光器的频率响应可以得到明显的改善.实验中通过一个环形器,将主激光器的输出光注入到从激光器.测量了从激光器在有注入光和没有注入光时的光谱和频率响应.发现在不同的注入光强度和波长下,激光器的调制带宽和弛豫振荡峰频率会发生变化.通过适当选择注入光的强度和波长,频率响应可以得到改善.激光器频率响应的改善可以用两个模式的拍频来解释,一个模式是从激光器的主模,另一个是主激光器的模式,该模式与从激光器的边带重合.该理论与实验结果符合得很好.     

质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用,并减小了限制层的寄生电容;ＤＦＢ激光器的斜率效率由注入前的０．１４７ｍＷ／ｍＡ提高到０．２１６ｍＷ／ｍＡ;电容测试结果表明：质子注入使ｐｎｐｎ结构的势垒电容明显减小,激光器的寄生电容由注入前的约１００ｐＦ降至注入后的６ｐＦ;激光器的３ｄＢ调制宽带由注入前的５００ＭＨｚ提高到５．６６ＧＨｚ。高温老化筛选结果表明     

DFB激光器静态特性的模拟分析

本文提出一个新的对分布反馈（ＤＢＦ）半导体激光器进行数值分析的模型,并对ＤＦＢ激光器在阈值以上时的稳定性进行了分析,该模型考虑了空间烧孔效应和非线性增益效应,提出用向量法解决ＤＦＢ激光器矩阵模型的数值方法,与牛顿－拉斐森（ＮＲ）法相比,向量法避免了复杂的自洽运算,节省了运算时间。文章还分析了非激光射模型存在时ＤＦＢ的单模稳定性问题。本文提出的数值模型适用于各种结构的ＤＦＢ激光器的特性分析。     

3相移DFB激光器的数值分析

分析了３ 相移激光器的稳态特性。在分析中,考虑了空间烧孔（ＳＨＢ） 及非线性增益等因素。在通用的传输矩阵法（ＴＭＭ） 的基础上,通过对ＴＭＭ 模型的输入进行向量处理来求解阈值及高于阈值条件下的主模及次模,进而求出单模稳定性。这个方法也可用于其他ＤＦＢ 结构的模分析     

半导体DFB激光器的自动温度控制

阐述了半导体热电制冷器（TEC）的工作原理,分析了线性驱动和脉冲宽度调制（PWM）驱动TEC的原理以及各自的特点,对Linear公司的热电制冷器控制芯片LTC1923作了介绍,讨论了基于LTC1923的半导体分布反馈式（DFB）激光器自动温度控制电路,并对实验和实际应用的结果进行了分析,给出了实测数据和波形。实验结果表明激光器中心波长变化范围为±5pm,对应管芯温度变化±0．05℃,说明温控电路可以有效地对激光器的工作温度进行控制。     

外部光注入分布反馈激光器的非线性动力学特性

实验研究了外部光注入分布反馈(DFB)激光器的非线性动力学行为,并给出了其输出特性随注入光强度和频率失谐量变化的动力学特征图.实验结果表明,激光器的动力学行为对外部的微扰十分敏感;在不同外部光注入条件下,激光器可以呈现出单周期、倍周期、多周期以及混沌等多种非线性动力学特征;在注入光强度和频率失谐量变化空间存在三个复杂动力学区域;激光器表现出的复杂动力学行为总是与周期行为有关;当激光器处于复杂动力学区域时,其频谱为连续谱,在连续谱上存在多个明显的峰,所对应的频率定义为特征频率,特征频率的大小不随注入光的强弱以及频率变化.     

纳米压印技术制作CWDM系统用DFB激光器阵列

使用纳米压印技术制作了用于1.3um CWDM系统的四通道单片集成折射率耦合DFB半导体激光器。得到了符合设计的20nm通道间隔激射波长。结果显示纳米压印技术在制作DFB半导体激光器方面是成熟可靠的。     

对10GHz DFB激光器参数的数值模拟及实验

对激光器速率方程所涉及的激光器的内部参数进行变换，得到一组新参数。它们可由实验中测得的激光器的数据通过曲线拟合的方法得到。利用拟合得到的参数对10GHz的分布反馈(DFB)半导体激光器(LD)进行数值求解，所得的结果和实验测量的结果相吻合。     

频移反馈激光器的某些驱动弛豫振荡特性

给出长寿命激光增益介质Ｎｄ∶ＹＬＦ频移反馈激光系统的某些驱动弛豫振荡特性。用速率方程对该系统进行模拟计算，获得了与实验一致的满意结果。     

激光强度稳定器的频率响应特性研究

建立了描述激光强度稳定器频率响应特性的数学模型。进行了相应的实验研究。理论分析与实验结果基本相符     

Modulation bandwidth enhancement in monolithic integrated two-section DFB lasers based on the detuned loading effect

Modulation bandwidth enhancement in a directly modulated two-section distributed feedback (TS-DFB) laser based on a detuned loading effect is investigated and experimentally demonstrated. The results show that the 3-dB bandwidth of the TS-DFB laser is increased to 17.6 GHz and that chirp parameter can be reduced to 2.24. Compared to the absence of a detuned loading effect, there is a 4.6 GHz increase and a 2.45 reduction, respectively. After transmitting a 10 Gb/s non-return-to-zero (NRZ) signal through a 5-km fiber, the modulation eye diagram still achieves a large opening. Eight-channel laser arrays with precise wavelength spacing are fabricated. Each TS-DFB laser in the array has side mode suppression ratios (SMSR) > 49.093 dB and the maximum wavelength residual < 0.316 nm.     

频率调制光谱稳频法的信号处理算法研究

频率调制光谱稳频法利用参考气体对激光吸收量来反馈控制激光波长稳定,反馈信号的提取通过调节参考信号与吸收分量同相的方式实现.为免除移相的麻烦,提出利用吸收分量和色散分量的合成信号作为反馈信号,通过仿真证明可以利用合成信号作为反馈信号.该合成信号的提取利用两正交参考信号与合成信号耦合的方式实现,该方式方便了信号的提取,免除了调相的麻烦.最后还提出一种判定激光波长偏移的方法.     

单量子阱激光器小信号频响特性模拟分析

量子阱激光器具有优良的性能 ,是宽带通信的重要光源。基于三层速率方程的量子阱激光器模型在明确引入了过渡态的概念后 ,对于量子阱中载流子的传输过程就有了更完整的描述。文中运用三层速率模型 ,对小信号调制下单量子阱激光器的频率响应进行模拟分析。与公开发表的文献资料比较 ,所设计的模型精度高 ,易于分析 ,有实用意义。     

DFB半导体激光器的频移和色散脉冲崎变

根据分布反馈（ＤＦＢ）半导体激光器的耦合波理论和电吸收调制器模型，推导出了描述ＤＦＢ／ＥＡ集成器件中调制器的端面反射造成的激光器的静态频移和动态频移的解析表达式，动态频移（“反射啁啾”）正比于调制器的有效端面反射率。利用动态频移模型对光脉冲经过反常色散光纤传输后的波形进行了计算机仿真，取得了与实验一致的结果。结果表明：无论脉冲的初始啁啾的正负如何，“反射啁啾”总是使得传输后的脉冲变窄，当反射啁啾为正时，脉冲的上升沿出现“过冲”，而下降沿变缓；当反射啁啾为负时，情况与之相反。     

高成品率DFB激光二极管的设计及制备

设计并制作了一种新型分布反馈(DFB)光栅激光二极管结构.采用传输矩阵法模拟得到了不同光栅耦合因子、不同结构下随机相位对归一化阈值增益差和性能参数分布的影响;对高于阈值增益情况下激光二极管的特性进行了分析,结果表明随着激光二极管偏置电流的增加,光场平坦因子和归一化阈值增益差几乎保持不变,激光二极管单模稳定性好;模拟得到了光谱随偏置电流的变化,不同偏置电流下光谱的边模抑制比均大于40 dB.采用全息光刻技术结合普通光刻技术制备了新型DFB光栅.相比于均匀光栅激光二极管,新型DFB光栅激光二极管性能参数一致性更好、成品率更高,成品率达到80％以上.